【技术实现步骤摘要】
本文总体上涉及体声波(baw)谐振器，并且更具体地涉及具有声子晶体(pnc)声学镜(pcam)的baw谐振器。
技术介绍
1、在baw谐振器中，压电材料层的顶部表面和底部表面上的电极(例如，触点、金属补片等)激发压电材料中的声波。在谐振腔内生成特定频率的体声波，从而形成谐振响应。
技术实现思路
1、示例集成电路封装件包括体声波(baw)谐振器，该体声波谐振器包括声子晶体声学镜(pcam)。pcam包括第一区域中的第一构件的第一布置和第二区域中的第二构件的第二布置。第一布置不同于第二布置。
【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，即BAW谐振器，其包括：
2.根据权利要求1所述的BAW谐振器，其中所述PnC声学镜被配置成减小声学能量从所述压电材料泄露。
3.根据权利要求1所述的BAW谐振器，其中所述PnC的第一区域包括第一多个构件的第一侧向布置，并且所述PnC的第二区域包括第一第二构件的第二侧向布置，所述第一布置不同于所述第二布置，并且所述第一侧向布置和所述第二侧向布置中的每个均沿着与所述PnC声学镜的厚度垂直的侧向方向延伸。
4.根据权利要求3所述的BAW谐振器，其中所述第一多个构件的所述第一侧向布置实现第一声学特性变型，并且所述第二多个构件的所述第二侧向布置实现第二声学特性变型，所述第二声学特性变型不同于所述第一声学特性变型。
5.根据权利要求3所述的BAW谐振器，其中所述第一侧向布置包括所述第一多个构件的周期侧向布置。
6.根据权利要求1所述的BAW谐振器，其中所述PnC的第一区域将声学能量限制在第一方向上，并且所述PnC的第二区域将声学能量限制在第二方向上，所述第二方向不同于所述第一方向。
7.根据权利要
8.根据权利要求1所述的BAW谐振器，所述PnC声学镜的第一区域包括布拉格反射器、声学反射器或介电镜中的至少一者。
9.根据权利要求8所述的BAW谐振器，还包括所述介电材料中的平坦金属构件，以实现布拉格反射器、声学反射器或声学镜中的所述至少一者，所述平坦金属构件在所述第一电极下面延伸，所述PnC声学镜在所述压电材料下面从所述平坦金属构件侧向延伸。
10.根据权利要求1所述的BAW谐振器，其中所述多个构件的第一部分在所述PnC声学镜的第一区域中的布置不同于所述多个构件的第二部分在所述PnC声学镜的第二区域中的布置。
11.根据权利要求10所述的BAW谐振器，其中所述PnC声学镜的声学特性变型在所述PnC声学镜的区域之间有所不同。
12.根据权利要求1所述的BAW谐振器，其中所述PnC声学镜在所述第一电极和所述压电材料下面延伸。
13.根据权利要求1所述的BAW谐振器，其中所述压电材料包括薄膜，所述薄膜包含氮化铝或氧化锌中的至少一者，所述介电材料包含SiO2或SiCOH中的至少一者，并且所述平坦金属构件包含钨(W)、钛钨(TiW)或铜(Cu)中的至少一者。
14.根据权利要求1所述的BAW谐振器，其中所述BAW谐振器是封装的集成电路的一部分。
15.根据权利要求14所述的BAW谐振器，其中所述封装的集成电路包括数字逻辑电路、模拟电路、处理器核心、数字信号处理器核心即DSP核心中的至少一者。
...【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，即baw谐振器，其包括：
2.根据权利要求1所述的baw谐振器，其中所述pnc声学镜被配置成减小声学能量从所述压电材料泄露。
3.根据权利要求1所述的baw谐振器，其中所述pnc的第一区域包括第一多个构件的第一侧向布置，并且所述pnc的第二区域包括第一第二构件的第二侧向布置，所述第一布置不同于所述第二布置，并且所述第一侧向布置和所述第二侧向布置中的每个均沿着与所述pnc声学镜的厚度垂直的侧向方向延伸。
4.根据权利要求3所述的baw谐振器，其中所述第一多个构件的所述第一侧向布置实现第一声学特性变型，并且所述第二多个构件的所述第二侧向布置实现第二声学特性变型，所述第二声学特性变型不同于所述第一声学特性变型。
5.根据权利要求3所述的baw谐振器，其中所述第一侧向布置包括所述第一多个构件的周期侧向布置。
6.根据权利要求1所述的baw谐振器，其中所述pnc的第一区域将声学能量限制在第一方向上，并且所述pnc的第二区域将声学能量限制在第二方向上，所述第二方向不同于所述第一方向。
7.根据权利要求1所述的baw谐振器，其中所述pnc将声学能量至少部分地限制在所述压电材料中。
8.根据权利要求1所述的baw谐振器，所述pnc声学镜的第一区域包括布拉格反射器、声学反射器或介电镜...
【专利技术属性】
技术研发人员：TT·叶，B·巴赫，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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