【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、随着半导体器件尺寸的持续微缩，对半导体芯片的工艺及设计带来了以下一系列新的挑战。为了尽可能地缩小单个阵列区晶体管面积，追求更高的芯片面积利用率，出现了垂直沟道阵列晶体管(vertical channel array transistor，vcat)技术。
2、然而，对于垂直沟道阵列晶体管，由于半导体有源柱顶面尺寸小很小，结构均一性较差，容易发生位置偏差或尺寸偏差的情况，从而影响存储阵列晶体管性能。
技术实现思路
1、基于此，本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法，可以有效改善有源柱的结构均一性。
2、一种半导体结构的制备方法，包括：
3、提供半导体衬底；
4、于所述半导体衬底内形成多个间隔设置的第一隔离沟槽；
5、于所述半导体衬底内形成多个间隔设置的间隙沟槽，所述间隙沟槽的延伸方向与所述第一隔离沟槽的延伸方向相交，且所述间隙沟槽的底面高于所述第一隔离沟槽的底面；
6、形成覆盖且部分填充所述间隙沟槽的第一图形化掩膜层，所述第一图形化掩膜层与所述间隙沟槽底部之间形成空气间隙；
7、以所述第一图形化掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底，以形成第二隔离沟槽，所述第二隔离沟槽的底面低于所述间隙沟槽的底面，所述第二隔离沟槽与所述第一隔离沟槽将所述半导体衬底隔离成多个有源柱，所述有源柱包括位于所述空气间隙两侧的第一子柱和第二子柱。
<...【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二图形化掩膜层包括第二掩膜图形以及位于所述第二掩膜图形侧壁的掩膜侧墙；
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜图形与所述掩膜侧墙的材料相同。
5.根据权利要求3或4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述半导体衬底上形成第二图形化掩膜层，包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述半导体衬底上形成第二掩膜图形包括：
7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述半导体衬底内形成多个间隔设置的间隙沟槽之后，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一图形化掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底之后，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第一子柱和所述第二子柱
10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述有源柱之间的区域形成衬垫隔离层包括：
11.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述字线材料层进行各向异性刻蚀，于所述空气间隙两侧形成所述字线之后，包括：
12.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述半导体衬底内形成多个间隔设置的第一隔离沟槽之后，且于所述半导体衬底内形成多个间隔设置的间隙沟槽之前，还包括：
13.一种半导体结构，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
15.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述字线的底面平齐于所述空气间隙的底面或高于所述空气间隙的底面，所述字线的顶面平齐于所述空气间隙的顶面或低于所述空气间隙的顶面。
16.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述间隙沟槽暴露的半导体衬底的侧壁和底部；
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二图形化掩膜层包括第二掩膜图形以及位于所述第二掩膜图形侧壁的掩膜侧墙；
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜图形与所述掩膜侧墙的材料相同。
5.根据权利要求3或4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述半导体衬底上形成第二图形化掩膜层，包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述半导体衬底上形成第二掩膜图形包括：
7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述半导体衬底内形成多个间隔设置的间隙沟槽之后，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一图形化掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底之后，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第一子柱和所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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