【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及led芯片，尤其涉及一种led芯片的制备方法及led芯片。
技术介绍
1、目前业界内为提高led芯片的亮度，常用的方法为在芯片制造过程中与led芯片的非出光面上沉积一层分布式布拉格反射镜（以下简称dbr），通过dbr的反射作用，可以将led芯片向下射出的光反射回出光面，从而达到提高led芯片亮度的效果。然而其中led芯片向下射出的光需经过钝化保护层，该钝化保护层一般采用pecvd沉积一层sio2膜层，而sio2膜层会影响出光亮度。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种led芯片的制备方法及led芯片，旨在解决micro led的钝化层影响出光亮度的问题。
2、第一方面，本申请提供一种led芯片的制备方法，包括：提供一外延片，所述外延片包括依次堆叠的p型半导体层、发光层以及n型半导体层；在所述n型半导体层上蒸镀一层ito薄膜，所述ito薄膜的厚度为100nm~300nm；对具有所述ito薄膜的外延片进行mesa刻蚀，以刻蚀出台面，所述台面暴露出部分所述p型半导体层；在部分所述p型半导体层和所述ito薄膜上蒸镀电极；在具有所述电极的外延片上制备第一层增透保护层，所述第一层增透保护层的厚度为30nm~100nm；在具有所述第一层增透保护层的外延片上制备第二层增透保护层，所述第二层增透保护层的厚度为20nm~70nm，所述第二层增透保护层与所述第一层增透保护层的成分不同。
3、在一可能的实施例中，在具有所述电极的外延片上制
4、在一可能的实施例中，所述三甲基铝和水的吹扫时间分别为3~8s、8~15s。
5、在一可能的实施例中，所述第一层增透保护层的厚度为30nm。
6、在一可能的实施例中，所述第一层增透保护层的厚度为100nm。
7、在一可能的实施例中，所述第一层增透保护层的厚度为65nm。
8、在一可能的实施例中，所述在具有所述第一层增透保护层的外延片上制备第二层增透保护层，包括：
9、采用等离子化学气相沉积方法，在压力小于100pa，反应温度为200~300℃、等离子体发生的功率设为130-200w的条件下，通入硅烷和笑气，生成厚度为20nm~70nm的第二层增透保护层。
10、在一可能的实施例中，所述通入硅烷和笑气中的硅和氧的比例大于1:40。
11、在一可能的实施例中，所述方法还包括：对所述第二层增透保护层和所述第一层增透保护层进行开孔到达电极；在开孔后的外延片上沉积分布式布拉格反射镜，所述分布式布拉格反射镜的厚度700nm~900nm；对所述分布式布拉格反射镜进行开孔到达电极；在具有开孔的所述分布式布拉格反射镜的外延片上蒸镀电极垫至所述电极上。
12、第二方面，基于相同的思想，本申请还提供一种led芯片，包括：依次堆叠的p型半导体层、发光层、n型半导体层、ito薄膜、电极、第一层增透保护层以及第二层增透保护层。
13、有益效果：本专利技术提供的一种led芯片的制备方法及led芯片，通过在外延上制备第一层增透保护层和与第一层增透保护层的成分不同的第二层增透保护层的方式，可大幅度提高芯片亮度，同时兼顾了传统的钝化层的保护性能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，在具有所述电极的外延片上制备第一层增透保护层，包括：
3.如权利要求2所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述三甲基铝和水的吹扫时间分别为3~8s、8~15s。
4.如权利要求2所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一层增透保护层的厚度为30nm。
5.如权利要求2所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一层增透保护层的厚度为100nm。
6.如权利要求2所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一层增透保护层的厚度为65nm。
7.如权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于， 所述在具有所述第一层增透保护层的外延片上制备第二层增透保护层，包括：
8.如权利要求7所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述通入硅烷和笑气中的硅和氧的比例大于1:40。
9.如权利要求1-8任意一项所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
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...【技术特征摘要】
1.一种led芯片的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的led芯片的制备方法，其特征在于，在具有所述电极的外延片上制备第一层增透保护层，包括：
3.如权利要求2所述的led芯片的制备方法，其特征在于，所述三甲基铝和水的吹扫时间分别为3~8s、8~15s。
4.如权利要求2所述的led芯片的制备方法，其特征在于，所述第一层增透保护层的厚度为30nm。
5.如权利要求2所述的led芯片的制备方法，其特征在于，所述第一层增透保护层的厚度为100nm。
6.如权利要求2所述的led芯片的制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈国栋，姚军亭，贾风光，李志锋，丁斌，古缘，
申请(专利权)人：山东中清智能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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