【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，具体涉及一种改善ald镀膜的腔体结构。
技术介绍
1、原子层沉积作为前沿的纳米结构合成与薄膜镀制技术，是高端制造业的代表之一。该技术通过周期性地操纵惰性气体和前驱体交替进入设备反应腔内，在基底表面实现具有自限制性和自饱和性的化学反应，使得原子能够有效沉积。与传统的化学沉积方法相比，原子层沉积技术的工艺过程中每次只有一层沉积，且由于新的一层原子薄膜的化学反应仅与前一层相互关联，所以该技术在保持形状、沉积薄膜精度、薄膜阶梯覆盖率等性能指标方面具有巨大优势。
2、ald镀膜设备的反应过程，通常需要保证反应腔体内处于真空状态，反应过程中的反应前驱气体通常具有化学性质，容易附着于腔体内部，较难清理，该气体的沉积容易影响后续的反应过程，也容易导致生成物结果的不准确。
3、基于此，本技术设计了一种改善ald镀膜的腔体结构以解决上述问题。
技术实现思路
1、针对现有技术所存在的上述缺点，本技术提供了一种改善ald镀膜的腔体结构。
2、为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：
3、一种改善ald镀膜的腔体结构，包括镀膜设备，所述镀膜设备上安装有反应腔体组件，还包括通气组件，所述通气组件设于镀膜设备连接且安装于反应腔体组件上；
4、所述反应腔体组件包括内腔体组件和固定组件，所述内腔体组件和镀膜设备之间通过固定组件连接；
5、所述通气组件包括反应气管、真空气管和压力气口，所述反应气管、真空气管均安装于内腔体
6、更进一步的，所述镀膜设备包括外腔体组件和把手，所述把手安装于外腔体组件上，所述内腔体组件和外腔体组件之间通过固定组件连接，所述压力气口设于外腔体组件上。
7、更进一步的，所述外腔体组件包括箱体、外腔和密封盖，所述箱体内端开设有外腔，所述内腔体组件位于外腔内，所述箱体和密封盖铰接，所述密封盖的下端和箱体的上端贴合密封连接，所述外腔、密封盖均和固定组件连接，所述压力气口设于箱体上，所述把手固定安装于密封盖上。
8、更进一步的，所述反应气管、真空气管分别穿过箱体的下端开设的两个通孔，并和通孔内的密封圈贴合滑动连接，所述反应气管连通有反应气体，所述真空气管连通有真空泵。
9、更进一步的，所述压力气口开设于箱体的侧壁上，压力气口连通有填充气体。
10、更进一步的，所述内腔体组件包括镀膜座、反应罩体、载物台和反应腔，所述镀膜座位于外腔内端，所述载物台固定安装于镀膜座的上端，所述反应罩体的下端和镀膜座的上端贴合连接，所述反应罩体和密封盖之间通过固定组件连接，所述镀膜座和外腔之间通过固定组件连接，所述反应气管、真空气管均贯穿镀膜座的上下端并和镀膜座固定连接，所述反应腔开设于反应罩体的下端，所述反应罩体的内端固定安装有密封圈。
11、更进一步的，所述固定组件包括固定块、螺丝和弹性垫，所述固定块固定安装于反应罩体的侧壁上，所述固定块和密封盖之间通过螺丝固定连接，所述弹性垫和固定块的下端接触连接，所述弹性垫和外腔的内端固定连接。
12、更进一步的，还包括弹性固定组件，所述弹性固定组件包括紧固组件和弹性组件，所述紧固组件和反应气管、真空气管均连接，所述弹性组件和紧固组件、镀膜设备连接。
13、更进一步的，所述紧固组件包括第一螺纹套和第二螺纹套，所述第一螺纹套、第二螺纹套分别和反应气管、真空气管的下端侧壁螺纹连接，所述第一螺纹套、第二螺纹套均和弹性组件连接。
14、更进一步的，所述弹性组件包括第一弹簧和第二弹簧，所述第一弹簧设于反应气管的外端且接触连接第一螺纹套的上端和箱体的下端，所述第二弹簧设于真空气管的外端且接触连接第二螺纹套的上端和箱体的下端。
15、有益效果
16、本技术使用时，通过真空气管对镀膜设备和内腔体组件的内端抽真空使得镀膜设备和内腔体组件中的压力相等且相通，通过压力气口向镀膜设备的内端填充气体提高镀膜设备内的压力，此时镀膜设备和内腔体组件内气压出现压力差，使得内腔体组件在气压差的作用下和镀膜设备之间密封隔离，通过反应气管向内腔体组件内通入反应气体同时关闭真空气管，并始终保持内腔体组件内压强小于镀膜设备内的压强，从而实现内腔体组件内的反应气体不发生外泄进入镀膜设备中；
17、本技术使用时，通过当镀膜座带动反应气管、真空气管和箱体发生滑动时，弹性固定组件的反应气管、真空气管带动第一螺纹套、第二螺纹套向上运动，第一螺纹套、第二螺纹套压缩两者和箱体之间的第一弹簧和第二弹簧，实现反应结束后镀膜座复位；
18、本技术使用时，当需要更换镀膜座、反应罩体时，反应气管、真空气管分别和第一螺纹套、第二螺纹套螺纹连接，通过旋转第一螺纹套、第二螺纹套，使得两者和反应气管、真空气管脱离，从而将反应气管、真空气管、镀膜座整体更换，通过螺丝解锁固定块和密封盖，使得反应罩体和密封盖脱离实现反应罩体的更换。
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1.一种改善ALD镀膜的腔体结构，包括镀膜设备(1)，其特征在于：所述镀膜设备(1)上安装有反应腔体组件(2)，还包括通气组件(3)，所述通气组件(3)设于镀膜设备(1)连接且安装于反应腔体组件(2)上；
2.根据权利要求1所述的改善ALD镀膜的腔体结构，其特征在于：所述镀膜设备(1)包括外腔体组件(11)和把手(12)，所述把手(12)安装于外腔体组件(11)上，所述内腔体组件(21)和外腔体组件(11)之间通过固定组件(22)连接，所述压力气口(33)设于外腔体组件(11)上。
3.根据权利要求2所述的改善ALD镀膜的腔体结构，其特征在于：所述外腔体组件(11)包括箱体(111)、外腔(112)和密封盖(113)，所述箱体(111)内端开设有外腔(112)，所述内腔体组件(21)位于外腔(112)内，所述箱体(111)和密封盖(113)铰接，所述密封盖(113)的下端和箱体(111)的上端贴合密封连接，所述外腔(112)、密封盖(113)均和固定组件(22)连接，所述压力气口(33)设于箱体(111)上，所述把手(12)固定安装于密封盖(113)上。<...
【技术特征摘要】
1.一种改善ald镀膜的腔体结构，包括镀膜设备(1)，其特征在于：所述镀膜设备(1)上安装有反应腔体组件(2)，还包括通气组件(3)，所述通气组件(3)设于镀膜设备(1)连接且安装于反应腔体组件(2)上；
2.根据权利要求1所述的改善ald镀膜的腔体结构，其特征在于：所述镀膜设备(1)包括外腔体组件(11)和把手(12)，所述把手(12)安装于外腔体组件(11)上，所述内腔体组件(21)和外腔体组件(11)之间通过固定组件(22)连接，所述压力气口(33)设于外腔体组件(11)上。
3.根据权利要求2所述的改善ald镀膜的腔体结构，其特征在于：所述外腔体组件(11)包括箱体(111)、外腔(112)和密封盖(113)，所述箱体(111)内端开设有外腔(112)，所述内腔体组件(21)位于外腔(112)内，所述箱体(111)和密封盖(113)铰接，所述密封盖(113)的下端和箱体(111)的上端贴合密封连接，所述外腔(112)、密封盖(113)均和固定组件(22)连接，所述压力气口(33)设于箱体(111)上，所述把手(12)固定安装于密封盖(113)上。
4.根据权利要求3所述的改善ald镀膜的腔体结构，其特征在于：所述反应气管(31)、真空气管(32)分别穿过箱体(111)的下端开设的两个通孔，并和通孔内的密封圈贴合滑动连接，所述反应气管(31)连通有反应气体，所述真空气管(32)连通有真空泵。
5.根据权利要求4所述的改善ald镀膜的腔体结构，其特征在于：所述压力气口(33)开设于箱体(111)的侧壁上，压力气口(33)连通有填充气体。
6.根据权利要求5所述的改善ald镀膜的腔体结构，其特征在于：所述内腔体组件(21)包括镀膜座(211)、反应罩体(212)、载物台(213)和反应腔(214)，所述镀膜座(211)位于外腔(112)内端，所述载物台(213)固定安装于镀膜座(211)的上端，所述反应罩体(212)的下端和镀...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱大军，刘晓涵，李祥明，
申请(专利权)人：泽鸿半导体设备科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：
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