【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置。
技术介绍
1、在具备包含氮化镓(gan)的高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor：hemt)的半导体装置中，希望提高瞬态响应特性。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2019－121785号公报
5、专利文献2：日本特开2015－095605号公报
6、作为提高瞬态响应特性的方法，考虑使电子渡越层变薄。然而，在使电子渡越层变薄的情况下，沟道区域和电子供给层的结晶性可能会下降。结晶性的下降可能导致电子的迁移率等特性的劣化。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供一种能在避免结晶性的下降的同时提高瞬态响应特性的半导体装置。
2、本公开的半导体装置具有：基板；缓冲层，设于所述基板之上；阻挡层，设于所述缓冲层之上；电子渡越层，设于所述阻挡层之上；以及电子供给层，设于所述电子渡越层之上，所述电子渡越层比所述缓冲层薄，所述阻挡层的带隙比所述缓冲层的带隙和所述电子渡越层的带隙大。
3、专利技术效果
4、根据本公开，能在避免结晶性的下降的同时提高瞬态响应特性。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，具有：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具有：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1至...
【专利技术属性】
技术研发人员：丸山裕晃，
申请(专利权)人：住友电工光电子器件创新株式会社，
类型：发明
国别省市：
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