【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，具体涉及一种太阳能电池的背面结构及其制备工艺、太阳能电池及作业机械。
技术介绍
1、目前，topcon电池(tunnel oxide passivated contact solar cell,隧穿氧化层钝化接触太阳能电池)的电极材料为银浆，而随着国内银点价格的持续走高，topcon电池的制造成本也日益增长。为了降低制造成本，少银化技术或银浆替代技术受到广泛关注。
2、topcon电池的背面结构包括依次设置的硅衬底、隧穿氧化层、掺杂层和背面电极。相关的少银化或者银浆替代技术中，背面电极通常采用铜浆、铝浆等部分代替或全部代替银浆，以减少银浆的用量，降低制造成本。然而，银浆与掺杂层之间的金属复合较小，且接触性能好，而铜浆或者铝浆与掺杂层之间的金属复合较大，且接触性能不如银浆，从而造成相关的少银化或者银浆替代技术中topcon电池开路电压及填充因子的大幅下降，从而降低了电池效率。
技术实现思路
1、因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服相关技术中的太阳能电池背面电极结构的少银化或者银浆替代技术中，电池效率较低的技术问题，提供一种太阳能电池的背面结构及其制备工艺、太阳能电池及作业机械。
2、第一方面，本专利技术提供了一种太阳能电池的背面结构，包括依次设置的硅衬底层、隧穿氧化层、掺杂层和背面电极；背面电极包括依次设置的钝化层、第一金属电极层和第二金属电极层，钝化层设置于掺杂层上，钝化层的部分结构上设置有第一金属电极层，第一金属电极层贯穿钝化
3、可选地，第二金属电极层完全覆盖钝化层和第一金属电极层设置。
4、可选地，第一金属电极层呈点状，或者线状设置。
5、可选地，第一金属电极层的厚度介于0-10μm之间。
6、可选地，第二金属电极层的厚度介于0-30μm之间。
7、可选地，钝化层的厚度介于60-100nm之间。
8、可选地，硅衬底层为n型硅衬底层，掺杂层为n+poly层。
9、可选地，硅衬底层为p型硅衬底层，掺杂层为p-poly层。
10、第二方面，本专利技术还提供了一种太阳能电池，包括：如上述的背面结构。
11、第三方面，本专利技术还提供了一种作业机械，包括：如上述的太阳能电池。
12、第四方面，本专利技术还提供了一种太阳能电池的背面结构的制备工艺，用于获得如上述的背面结构，包括以下步骤：s1:对硅衬底层进行制绒处理；s2:对硅衬底层的背面进行碱抛处理；s3:在硅衬底层的背面依次沉积隧穿氧化层和掺杂层，并进行热处理；s4:对硅衬底层的背面进行钝化减反膜处理，获得钝化层；s5:在硅衬底层的背面制得第一金属电极层，并进行固化处理；s6:在硅衬底层的背面制得第二金属电极层，并进行固化处理；s7:进行高温烧结处理，以使第一金属电极层分别与掺杂层、第二金属电极层形成接触。
13、可选地，在步骤s5中，采用印刷工艺、或者激光图形转印、或者蒸镀工艺、或者溅射工艺制得第一金属电极层；和/或在步骤s6中，采用印刷工艺、或者激光图形转印、或者蒸镀工艺、或者溅射工艺制得第二金属电极层。
14、可选地，在步骤s7中，烧结温度介于650-900℃之间。
15、本申请的技术方案相较于相关技术中的太阳能电池，至少具有以下优点：
16、1.减少了银的用量，降低了太阳能电池的生产成本，从而提升产品的竞争力；
17、2.第一金属电极层与掺杂层接触传导载流子，金属复合小且接触性能好，第二金属电极层与第一金属电极层接触并导电，而不与掺杂层接触，提高了太阳能电池的效率；
18、3.钝化层阻隔于掺杂层与第二金属电极层之间，解决了铝层与掺杂层接触易于烧穿掺杂层的问题；
19、4.第二金属电极层设置为整面的金属层，且位于背面结构的最外侧，能够充当背反射器，减少光的透射，提升短路电流，进而提升电池效率；
20、5.结构简单，便于量产。
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1.一种太阳能电池的背面结构，包括依次设置的硅衬底层(1)、隧穿氧化层(2)、掺杂层(3)和背面电极；其特征在于，
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述第二金属电极层(6)完全覆盖所述钝化层(4)和所述第一金属电极层(5)设置。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述第一金属电极层(5)呈点状，或者线状设置。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述第一金属电极层(5)的厚度介于0-10μm之间。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述第二金属电极层(6)的厚度介于0-30μm之间。
6.根据权利要求3所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述钝化层(4)的厚度介于60-100nm之间。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述硅衬底层(1)为N型硅衬底层，所述掺杂层(3)为n+poly层。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述硅
9.一种太阳能电池，其特征在于，包括：如权利要求1-8任一项所述的背面结构。
10.一种作业机械，其特征在于，包括：如权利要求9所述的太阳能电池。
11.一种太阳能电池的背面结构的制备工艺，用于获得如权利要求1-8任一项所述的背面结构，其特征在于，包括以下步骤：
12.根据权利要求11所述的太阳能电池的背面结构的制备工艺，其特征在于，在步骤S5中，采用印刷工艺、或者激光图形转印、或者蒸镀工艺、或者溅射工艺制得所述第一金属电极层(5)；
13.根据权利要求11或12所述的太阳能电池的背面结构的制备工艺，其特征在于，在步骤S7中，烧结温度介于650-900℃之间。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的背面结构，包括依次设置的硅衬底层(1)、隧穿氧化层(2)、掺杂层(3)和背面电极；其特征在于，
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述第二金属电极层(6)完全覆盖所述钝化层(4)和所述第一金属电极层(5)设置。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述第一金属电极层(5)呈点状，或者线状设置。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述第一金属电极层(5)的厚度介于0-10μm之间。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述第二金属电极层(6)的厚度介于0-30μm之间。
6.根据权利要求3所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述钝化层(4)的厚度介于60-100nm之间。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的太阳能电池的背面结构，其特征在于，所述硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈程，于震涛，余刚，袁琛，
申请(专利权)人：三一硅能株洲有限公司，
类型：发明
国别省市：
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