【技术实现步骤摘要】
本技术涉及抛光，尤其是涉及一种抛光设备的抛头和抛光设备。
技术介绍
1、sic（碳化硅）是优秀的第三代半导体材料，主要应用在大功率应用上，具有高硬度，难腐蚀，易碎的特点。cmp（化学机械抛光）是sic衬底加工最后的工序，用于获得无缺陷的表面。
2、目前sic应用的核心的问题是成本很高，高成本阻碍了sic的普及应用，迫切需要降低其生产成本。cmp是sic加工工序中成本最高的工序，其大约占加工总成本的50%，并且在cmp过程中，采用带气膜的抛光头将sic片吸附，并施加压力将sic片压到抛光盘上进行抛光。
3、现在的技术中，气膜的直径和厚度均较小，这样会造成气膜的寿命很短，会增大cmp的成本，不适于工业化生产。另外，这样会使sic片的背面产生圆弧状摩擦痕迹，面型也会恶化超出规格范围，常常为火山口形貌，阻碍了单片抛光设备在sic抛光上的应用。
技术实现思路
1、本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种抛光设备的抛头，该抛光设备的抛头的可靠性较好。
2、本技术进一步地提出了一种抛光设备。
3、为了实现上述目的，根据本技术的实施例提出了一种抛光设备的抛头，包括：抛头主体；真空吸附件，所述真空吸附件设置于所述抛头主体底部且包括气膜和动洞板，所述气膜周向环绕设置于动洞板至少部分的外侧，所述动洞板内设置有真空通道，所述真空通道与所述气膜相连通，所述气膜的底部用于吸附料片，所述气膜的厚度为d，d满足关系式：d≥1
4、由此，将气膜的厚度设置地大于等于1mm，并且在抛头的直径为6英寸时，将气膜的直径设置地大于等于148mm，在抛头的直径为8英寸时，将气膜的直径设置地大于197mm,这样不仅可以延长气膜的使用寿命，而且还可以防止在抛光完成后，气膜吸附的料片背面产生圆弧状摩擦痕迹的缺陷，以及可以防止气膜吸附的料片面型严重恶化，降低料片抛光后的良品率。
5、根据本技术的一些实施例，所述气膜为硅橡胶气膜。
6、根据本技术的一些实施例，所述气膜为氟橡胶气膜。
7、根据本技术的一些实施例，所述气膜包括底边、第一侧边、第二侧边和折边，所述底边水平延伸设置且用于吸附料片，所述第一侧边设置于所述底边的边缘且竖直延伸设置，所述折边设置于第一侧边竖直方向远离所述底边的一端且在水平方向上延伸设置，所述第二侧边设置于所述折边水平方向远离所述第一侧边的一端且在竖直方向上延伸设置，所述底边和所述折边位于所述第一侧边水平方向的同一侧，所述底边、所述第一侧边、所述第二侧边和所述折边均与动洞板的外壁相互贴合，所述底边的厚度为d，所述底边的直径为l。
8、根据本技术的一些实施例，所述抛光设备的抛头还包括压板，所述第二侧边和所述折边之间形成有限位台阶，所述压板设置于所述限位台阶且与所述限位台阶限位配合。
9、根据本技术的一些实施例，所述抛光设备的抛头还包括保持环，所述保持环设置于所述抛头主体的底部，所述保持环环绕设置于真空吸附件的外周且周向压设所述折边。
10、根据本技术的一些实施例，所述气膜还包括顶边，所述顶边设置于所述第二侧边竖直方向远离所述折边的一端且在水平方向上延伸设置，所述顶边与所述折边位于所述第二侧边水平方向的同一侧，所述顶边压设固定在所述保持环和所述抛头主体之间。
11、根据本技术的实施例提出了一种抛光设备，包括：以上所述的抛光设备的抛头。
12、本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
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1.一种抛光设备的抛头，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的抛光设备的抛头，其特征在于，所述气膜（122）为硅橡胶气膜（122）。
3.根据权利要求1所述的抛光设备的抛头，其特征在于，所述气膜（122）为氟橡胶气膜（122）。
4.根据权利要求1所述的抛光设备的抛头，其特征在于，所述气膜（122）包括底边（1223）、第一侧边（1224）、第二侧边（1225）和折边（1226），所述底边（1223）水平延伸设置且用于吸附料片（40），所述第一侧边（1224）设置于所述底边（1223）的边缘且竖直延伸设置，所述折边（1226）设置于第一侧边（1224）竖直方向远离所述底边（1223）的一端且在水平方向上延伸设置，所述第二侧边（1225）设置于所述折边（1226）水平方向远离所述第一侧边（1224）的一端且在竖直方向上延伸设置，所述底边（1223）和所述折边（1226）位于所述第一侧边（1224）水平方向的同一侧，所述底边（1223）、所述第一侧边（1224）、所述第二侧边（1225）和所述折边（1226）均与动洞板（121）的外壁相互贴合
5.根据权利要求4所述的抛光设备的抛头，其特征在于，还包括压板（123），所述第二侧边（1225）和所述折边（1226）之间形成有限位台阶（1227），所述压板（123）设置于所述限位台阶（1227）且与所述限位台阶（1227）限位配合。
6.根据权利要求4所述的抛光设备的抛头，其特征在于，还包括保持环（13），所述保持环（13）设置于所述抛头主体（11）的底部，所述保持环（13）环绕设置于真空吸附件（12）的外周且周向压设所述折边（1226）。
7.根据权利要求6所述的抛光设备的抛头，其特征在于，所述气膜（122）还包括顶边（1222），所述顶边（1222）设置于所述第二侧边（1225）竖直方向远离所述折边（1226）的一端且在水平方向上延伸设置，所述顶边（1222）与所述折边（1226）位于所述第二侧边（1225）水平方向的同一侧，所述顶边（1222）压设固定在所述保持环（13）和所述抛头主体（11）之间。
8.一种抛光设备，其特征在于，包括：权利要求1-7中任一项所述的抛光设备（100）的抛头（10）。
...【技术特征摘要】
1.一种抛光设备的抛头，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的抛光设备的抛头，其特征在于，所述气膜（122）为硅橡胶气膜（122）。
3.根据权利要求1所述的抛光设备的抛头，其特征在于，所述气膜（122）为氟橡胶气膜（122）。
4.根据权利要求1所述的抛光设备的抛头，其特征在于，所述气膜（122）包括底边（1223）、第一侧边（1224）、第二侧边（1225）和折边（1226），所述底边（1223）水平延伸设置且用于吸附料片（40），所述第一侧边（1224）设置于所述底边（1223）的边缘且竖直延伸设置，所述折边（1226）设置于第一侧边（1224）竖直方向远离所述底边（1223）的一端且在水平方向上延伸设置，所述第二侧边（1225）设置于所述折边（1226）水平方向远离所述第一侧边（1224）的一端且在竖直方向上延伸设置，所述底边（1223）和所述折边（1226）位于所述第一侧边（1224）水平方向的同一侧，所述底边（1223）、所述第一侧边（1224）、所述第二侧边（1225）和所述折边（1226）均与动洞板（121）的外壁相互贴合，所述底边（1223）...
【专利技术属性】
技术研发人员：李清，付磊，
申请(专利权)人：铭扬半导体科技合肥有限公司，
类型：新型
国别省市：
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