【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、在功率半导体模块内使用用于温度感测的可烧结温度传感器，在主功率管芯(芯片)(诸如，sic-mos、igbt(绝缘栅双极晶体管)和高压二极管等)也被烧结的情况下，降低了模块的总体成本和工作量。烧结是通过压力和/或热在不将材料熔化到液化点的情况下压实并形成固体块体的工艺，而焊接是通过熔化金属表面之间的合金来结合两个金属表面的工艺。
2、用于功率半导体模块的常规可烧结温度传感器通常使用多晶硅二极管。为了用这种传感器装置检测温度，需要附加的外部恒定电流源，与仅基于使用ntc(负温度系数)电阻器的电压源的温度检测的解决方案相比，这对栅极驱动器和/或印刷电路板的选择施加了限制。然而，常规ntc电阻器只是能够焊接的。
技术实现思路
1、根据功率半导体模块的实施例，所述功率半导体模块包括：电绝缘框架；多个功率半导体管芯，被容纳在所述电绝缘框架内并且电互连以形成功率电子电路；有源温度传感器管芯，被容纳在所述电绝缘框架内且包括集成电流源；第一温度感测端子，电连接到所述有源温度传感器管芯的第一接触焊盘；以及第二温度感测端子，电连接到所述有源温度传感器管芯的第二接触焊盘。
2、根据分立功率半导体装置的实施例，所述分立功率半导体装置包括：功率晶体管管芯，附接到衬底；有源温度传感器管芯，其包括集成电流源；模制化合物，包封所述功率晶体管管芯和所述有源温度传感器管芯；第一温度感测引线，电连接到所述有源温度传感器管芯的第一接触焊盘并且至少部分未被所述模制化合物覆盖；以及第二温
3、根据生产功率半导体模块的方法的实施例，所述方法包括：将多个功率半导体管芯和有源温度传感器管芯容纳在电绝缘框架中，所述有源温度传感器管芯包括集成电流源；将所述多个功率半导体管芯电互连以形成功率电子电路；将第一温度感测端子电连接到所述有源温度传感器管芯的第一接触焊盘；以及将第二温度感测端子电连接到所述有源温度传感器管芯的第二接触焊盘。
4、本领域技术人员在阅读以下详细描述并查看附图后将认识到附加的特征和优点。
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1.一种功率半导体模块，包括：
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述多个功率半导体管芯和所述有源温度传感器管芯附接到衬底。
3.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其中，所述多个功率半导体管芯和所述有源温度传感器管芯被焊接到所述衬底。
4.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其中，所述多个功率半导体管芯和所述有源温度传感器管芯被烧结到所述衬底。
5.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述第一温度感测端子是附接到所述衬底的第一压配合引脚，并且其中，所述第二温度感测端子是附接到所述衬底的第二压配合引脚。
6.根据权利要求1所述的功率半导体模块，还包括：
7.根据权利要求6所述的功率半导体模块，其中，所述第一温度感测端子是附接到所述夹具框架或引线框架的第一压配合引脚，并且其中，所述第二温度感测端子是附接到所述夹具框架或引线框架的第二压配合引脚。
8.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述集成电流源是温度相关电流源。
9.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，
10.一种分立功率半导体装置，包括：
11.根据权利要求10所述的分立功率半导体装置，其中，所述有源温度传感器管芯附接到所述衬底。
12.根据权利要求11所述的分立功率半导体装置，其中，所述功率晶体管管芯和所述有源温度传感器管芯被焊接到所述衬底。
13.根据权利要求11所述的分立功率半导体装置，其中，所述功率晶体管管芯和所述有源温度传感器管芯被烧结到所述衬底。
14.根据权利要求10所述的分立功率半导体装置，还包括：
15.根据权利要求10所述的分立功率半导体装置，其中，所述有源温度传感器管芯附接到所述功率晶体管管芯的背离所述衬底的侧。
16.根据权利要求10所述的分立功率半导体装置，其中，所述衬底是引线框架的管芯翼部，其中，所述第一温度感测引线和所述第二温度感测引线是所述引线框架的一部分，其中，所述有源温度传感器管芯的所述第一接触焊盘通过嵌入所述模制化合物中的第一接合线电连接到所述第一温度感测引线，并且其中，所述有源温度传感器管芯的所述第二接触焊盘通过嵌入所述模制化合物中的第二接合线电连接到所述第二温度感测引线。
17.根据权利要求16所述的分立功率半导体装置，其中，所述有源温度传感器管芯附接到所述管芯翼部。
18.一种生产功率半导体模块的方法，所述方法包括：
19.根据权利要求18所述的方法，还包括：
20.根据权利要求19所述的方法，其中，将所述多个功率半导体管芯和所述有源温度传感器管芯附接到所述衬底包括将所述多个功率半导体管芯和所述有源温度传感器管芯并行烧结到所述衬底。
21.根据权利要求18所述的方法，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种功率半导体模块，包括：
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述多个功率半导体管芯和所述有源温度传感器管芯附接到衬底。
3.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其中，所述多个功率半导体管芯和所述有源温度传感器管芯被焊接到所述衬底。
4.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其中，所述多个功率半导体管芯和所述有源温度传感器管芯被烧结到所述衬底。
5.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述第一温度感测端子是附接到所述衬底的第一压配合引脚，并且其中，所述第二温度感测端子是附接到所述衬底的第二压配合引脚。
6.根据权利要求1所述的功率半导体模块，还包括：
7.根据权利要求6所述的功率半导体模块，其中，所述第一温度感测端子是附接到所述夹具框架或引线框架的第一压配合引脚，并且其中，所述第二温度感测端子是附接到所述夹具框架或引线框架的第二压配合引脚。
8.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述集成电流源是温度相关电流源。
9.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述集成电流源是恒定电流源。
10.一种分立功率半导体装置，包括：
11.根据权利要求10所述的分立功率半导体装置，其中，所述有源温度传感器管芯附接到所述衬底。
12.根据权利要求11所述的分立功率半导体装置，其中，所述功率晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：T·瓦尔特，M·诺伊贝特，A·克拉夫琴科，C·施魏克特，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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