【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路(ic)，更具体地，涉及一种包括标准单元的ic以及一种设计该ic的方法。
技术介绍
1、随着半导体工艺的发展，ic可以具有高集成密度并且可以被要求具有高性能。例如，诸如晶体管的较小的器件可以减小ic的面积，而较大的器件可以高效地提高ic的工作速度。因此，为了实现所需的ic的功能和工作速度，考虑到集成密度和性能两者最佳地设计ic可能是有利的。
技术实现思路
1、示例实施例提供了一种提供最佳集成密度和性能的集成电路以及一种设计该集成电路的方法。
2、根据本公开的一方面，一种集成电路包括：第一区域，所述第一区域包括布置在沿第一方向延伸的第一行中的多个第一单元和在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的多个第一栅电极；第二区域，所述第二区域包括布置在沿所述第一方向延伸的第二行中的多个第二单元和在所述第二方向上延伸的多个第二栅电极；以及第三区域，所述第三区域位于所述第一区域与所述第二区域之间，所述第三区域包括在所述第二方向上延伸的多个第三栅电极，其中，每个所述第二行的第二高度大于每个所述第一行的第一高度，并且所述多个第一栅电极的节距、所述多个第二栅电极的节距和所述多个第三栅电极的节距是相同的。
3、根据本公开的一方面，一种集成电路包括：第一区域，所述第一区域包括布置在沿第一方向延伸的第一行中的多个第一单元和在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的多个第一栅电极；第二区域，所述第二区域包括布置在沿所述第一方向延伸的第二行中的多个第二单元和在所述第二方向上延伸
4、根据本公开的一方面，一种集成电路包括：第一区域，所述第一区域包括布置在沿第一方向延伸的第一行中的多个第一单元；第二区域，所述第二区域包括布置在沿所述第一方向延伸的第二行中的多个第二单元；以及第三区域，所述第三区域围绕所述第二区域并且被所述第一区域围绕，其中，每个所述第二行的第二高度大于每个所述第一行的第一高度，所述第三区域在第二方向上具有与所述第一高度的倍数相对应的长度，所述第二方向与所述第一方向交叉，并且所述第二区域在所述第二方向上的长度对应于所述第一高度和所述第二高度的最小公倍数的倍数。
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1.一种集成电路，所述集成电路包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，所述集成电路还包括：
3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述多个第一有源图案包括在所述第三区域中在所述第一方向上具有不同长度的至少两个第一有源图案。
4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述多个第三栅电极包括与所述至少两个第一有源图案交叉的至少一个第三栅电极。
5.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述多个第二有源图案包括在所述第三区域中在所述第一方向上具有不同长度的至少两个第二有源图案。
6.根据权利要求5所述的集成电路，其中，所述多个第三栅电极包括与所述至少两个第二有源图案交叉的至少一个第三栅电极。
7.根据权利要求1所述的集成电路，所述集成电路还包括：
8.根据权利要求1所述的集成电路，所述集成电路还包括：
9.根据权利要求1所述的集成电路，所述集成电路还包括：
10.根据权利要求9所述的集成电路，其中，所述多条第一电力线中的每一条第一电力线具有第一宽度，
11.根据权利要
12.根据权利要求11所述的集成电路，所述集成电路还包括：
13.根据权利要求12所述的集成电路，其中，所述多个第一有源图案均在所述第三区域中在所述第一方向上具有相同的长度，并且
14.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第三区域围绕所述第二区域，并且
15.根据权利要求14所述的集成电路，其中，所述第二区域在所述第二方向上的长度对应于所述第一高度和所述第二高度的最小公倍数的倍数。
16.根据权利要求14所述的集成电路，其中，所述第三区域包括均具有所述第一高度的第一部分和第二部分，并且
17.根据权利要求16所述的集成电路，所述集成电路还包括：
18.根据权利要求16所述的集成电路，所述集成电路还包括在所述第一方向上延伸跨过所述第一区域与所述第三区域之间的边界并且在所述第三区域中终止的多个阱，
19.一种集成电路，所述集成电路包括：
20.一种集成电路，所述集成电路包括：
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路，所述集成电路包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，所述集成电路还包括：
3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述多个第一有源图案包括在所述第三区域中在所述第一方向上具有不同长度的至少两个第一有源图案。
4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述多个第三栅电极包括与所述至少两个第一有源图案交叉的至少一个第三栅电极。
5.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述多个第二有源图案包括在所述第三区域中在所述第一方向上具有不同长度的至少两个第二有源图案。
6.根据权利要求5所述的集成电路，其中，所述多个第三栅电极包括与所述至少两个第二有源图案交叉的至少一个第三栅电极。
7.根据权利要求1所述的集成电路，所述集成电路还包括：
8.根据权利要求1所述的集成电路，所述集成电路还包括：
9.根据权利要求1所述的集成电路，所述集成电路还包括：
10.根据权利要求9所述的集成电路，其中，所述多条第一电力线中的每一条第一电力线具有第一宽度，
11.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵庸恩，崔银希，金起范，金宣暻，金夏永，卢贤定，裵武奎，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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