【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射频器件，尤其涉及一种声表面波谐振器。
技术介绍
1、近年来，随着第五代移动通信技术（5g）的落地与普及，射频前端作为5g时代移动终端通信的基础环节，其发展至关重要。声表面波滤波器是目前射频前端的关键组件之一，其工作频率和带内相对插损（即插入损耗）对射频前端的发射信号和接受信号的处理具有重要影响。
2、声表面波滤波器是由若干个声表面波谐振(saw)器通过串并联构成，saw主要是由叉指电极周期性排列在压电层的上表面形成，由逆压电效应产生的驻波形式的声波沿着垂直于电极的方向进行传播，其频率主要由叉指电极之间的间距和电极厚度决定。
3、其中，声表面波器件的电极材料对性能具有较大的影响，也即电极的质量负载效应。改变电极厚度会影响谐振器的弹性系数，进而减小声波在谐振器内的传播速度，因此在波长不变的情况下，不同电极厚度下的谐振频率也不同。现有技术中，声表面波谐振器中的电极厚度一致，使得叉指区域的各部分对声信号的传播强度相同，电极之间的衍射效应造成的纹波较多，从而造成通带插损较大。
4、图1是现有技术的声表面波谐振器的导纳示意图，图中，横坐标为频率f（单位：mhz），纵坐标为导纳y（单位：db），实线为导纳曲线，虚线为电导曲线（导纳y由电导g作为实部和电纳b作为虚部构成，即y=g+jb），如图1所示，在目前的声表面波滤波器中，由于低于串联谐振器的串联谐振点q0（导纳值最大的点）的频率fr附近会存在一些寄生模式，通常会造成滤波器通带左侧（即串联谐振点q0左侧）会产生一些纹波（如图中串联谐振点q0
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种声表面波谐振器，以抑制存在于谐振点频率左侧的纹波，改善滤波器整体的插入损耗。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种声表面波谐振器，包括：压电层和位于所述压电层上的电极层；
3、所述声表面波谐振器还包括第一反射栅区、第二反射栅区、第一电极区、第二电极区和第三电极区；
4、沿第一方向，所述第一反射栅区、所述第一电极区、所述第二电极区、所述第三电极区和所述第二反射栅区依次排列；
5、在所述第一反射栅区，所述电极层包括阵列设置的第一反射栅；在所述第二反射栅区，所述电极层包括阵列设置的第二反射栅；在所述第一电极区，所述电极层包括阵列设置的第一叉指电极；在所述第二电极区，所述电极层包括阵列设置的第二叉指电极；在所述第三电极区，所述电极层包括阵列设置的第三叉指电极；
6、沿第二方向，所述第一叉指电极具有第一高度h1，所述第二叉指电极具有第二高度h2，所述第三叉指电极具有第三高度h3，所述第一反射栅具有第四高度h4；所述第二反射栅具有第五高度h5；
7、h1＜h2＜h4且h3＜h2＜h5；或者，h4＜h2＜h1且h5＜h2＜h3；
8、其中，所述第一方向垂直于所述压电层和所述电极层的层叠方向，所述第二方向与所述压电层和所述电极层的层叠方向平行。
9、可选的，所述第四高度h4和所述第五高度h5满足：h4=h5。
10、可选的，所述第一高度h1和所述第三高度h3满足：h1=h3。
11、可选的，所述第一电极区包括n1个第一电极子区；所述第三电极区包括n2个第三电极子区；n1≥2，n2≥2，n1和n2均为整数；
12、位于不同所述第一电极子区的第一叉指电极的高度不同；和/或，位于不同所述第三电极子区的第三叉指电极的高度不同。
13、可选的，n1=n2；
14、沿所述第一方向，各所述第一电极子区的长度相等，各所述第三电极子区的长度相等，且所述第一电极子区的长度与所述第三电极子区的长度相等。
15、可选的，所述第二电极区包括中线，沿所述第一方向，所述第二电极区关于所述中线对称；
16、沿所述第一方向，各所述第一电极子区中各所述第一叉指电极的高度与各所述第三电极子区中各所述第三叉指电极的高度关于所述第二电极区的中线对称。
17、可选的，所述第一反射栅区包括n3个第一反射栅子区；所述第二反射栅区包括n4个第二反射栅子区；n3≥2，n4≥2，且n3和n4均为整数；
18、位于不同所述第一反射栅子区的第一反射栅的高度不同；和/或，位于不同所述第二反射栅子区的第二反射栅的高度不同。
19、可选的，n3=n4；
20、沿所述第一方向，各所述第一反射栅子区的长度相等，各所述第二反射栅子区的长度相等，且所述第一反射栅子区的长度与所述第二反射栅子区的长度相等。
21、可选的，所述第二电极区包括中线，沿所述第一方向，所述第二电极区关于所述中线对称；
22、沿所述第一方向，各所述第一反射栅子区中各所述第一反射栅的高度与各所述第二反射栅子区中各所述第二反射栅的高度关于所述第二电极区的中线对称。
23、根据本专利技术的另一方面，提供了一种声表面波谐振器，包括：压电层和位于所述压电层上的电极层；
24、所述声表面波谐振器还包括第一反射栅区、第二反射栅区、第一电极区、第二电极区和第三电极区；
25、沿第一方向，所述第一反射栅区、所述第一电极区、所述第二电极区、所述第三电极区和所述第二反射栅区依次排列；
26、在所述第一反射栅区，所述电极层包括阵列设置的第一反射栅；沿所述第一方向，各所述第一反射栅的高度递增或递减；
27、在所述第二反射栅区，所述电极层包括阵列设置的第二反射栅；沿所述第一方向，各所述第二反射栅的高度递增或递减；
28、在所述第一电极区，所述电极层包括阵列设置的第一叉指电极；沿所述第一方向，各所述第一叉指电极的高度递增或递减；
29、在所述第二电极区，所述电极层包括阵列设置的第二叉指电极；各所述第二叉指电极的高度相同；
30、在所述第三电极区，所述电极层包括阵列设置的第三叉指电极；沿所述第一方向，各所述第三叉指电极的高度递增或递减；
31、其中，所述第一方向垂直于所述压电层和所述电极层的层叠方向。
32、本实施例中，通过设置声表面波谐振器包括压电层和位于压电层上的电极层，并且设置声表面波谐振器还包括第一反射栅区、第二反射栅区、第一电极区、第二电极区和第三电极区，使得在第一电极区，电极层包括阵列设置的第一叉指电极；在第二电极区，电极层包括阵列设置的第二叉指电极，在第三电极区，电极层包括阵列设置的第三叉指电极，能够使得压电层和压电层上阵列排布的第一叉指电极、第二叉指电极和第三叉指电极实现声电转换，并且位于第一反射栅区阵列排布的第一反射栅和位于第二反射栅区阵列排布的第一反射栅能够降低信号损耗，提高信号传输的准确性，并且设置沿第二方向y，第一叉指电极b11的第一高度h1、第二叉指电极b21的第二高度h2、第三叉指电极b31的第三高度h3、第一反射栅a11的第四高度h4和第二反射本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：压电层和位于所述压电层上的电极层；
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第四高度H4和所述第五高度H5满足：H4=H5。
3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一高度H1和所述第三高度H3满足：H1=H3。
4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一电极区包括N1个第一电极子区；所述第三电极区包括N2个第三电极子区；N1≥2，N2≥2，N1和N2均为整数；
5.根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，N1=N2；
6.根据权利要求5所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第二电极区包括中线，沿所述第一方向，所述第二电极区的长度关于所述中线对称；
7.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一反射栅区包括N3个第一反射栅子区；所述第二反射栅区包括N4个第二反射栅子区；N3≥2，N4≥2，且N3和N4均为整数；
8.根据权利要求7所述的声表面波谐振器，其特征在于，N3=N4；
...【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：压电层和位于所述压电层上的电极层；
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第四高度h4和所述第五高度h5满足：h4=h5。
3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一高度h1和所述第三高度h3满足：h1=h3。
4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一电极区包括n1个第一电极子区；所述第三电极区包括n2个第三电极子区；n1≥2，n2≥2，n1和n2均为整数；
5.根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，n1=n2；
6.根据权利要求5所述的声...
【专利技术属性】
技术研发人员：石林豪，姜建利，刘晓军，华嘉源，
申请(专利权)人：天通瑞宏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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