【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及用于半导体制造的部件和装置。更具体地，本技术涉及处理腔室部件和其他半导体处理装备，以及操作方法。
技术介绍
1、通过在基板表面上产生复杂地图案化的材料层的处理使得集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要受控的形成和去除材料的方法。前驱物通常被传送到处理区域并被分配以在基板上均匀沉积或蚀刻材料。处理腔室的许多方面可能影响处理均匀性，诸如腔室内的处理条件的均匀性、流经部件的均匀性、以及其他处理和部件参数。即使基板上的微小差异也可能影响形成或去除处理。
2、因此，需要可用于生产高质量器件和结构的改进的系统和方法。这些和其他需求由本技术解决。
技术实现思路
1、半导体处理的示例性方法可包括将沉积前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域中。方法可包括在容纳于半导体处理腔室的处理区域中的基板上沉积材料层。处理区域可在沉积期间保持在第一压力。方法可包括在处理区域内延伸挡板。挡板可改变处理区域内的流动路径。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成处理或蚀刻前驱物的等离子体。处理区域可在形成期间保持在第二压力。方法可包括利用处理前驱物的等离子体流出物处理沉积在基板上的材料层。处理可循环任意次数。
2、在一些实施例中，半导体处理腔室可包括面板。腔室可包括基板支撑件，基板安置在基板支撑件上。处理区域可界定在面板和基板支撑件之间。腔室可包括泵送环。泵送环可围绕处理区域周向延伸。挡板可围绕基板支撑件延伸。延伸挡板可包括将挡板朝向面板移动。在延伸位置中的挡板可限制到泵送环的
3、本技术的一些实施例涵盖半导体处理系统。系统可包括腔室主体，腔室主体包括侧壁和基座。腔室主体可界定处理区域。系统可包括基板支撑件，基板支撑件延伸穿过腔室主体的基座。基板支撑件可被配置为支撑处理区域内的基板。系统可包括面板，面板界定穿过面板的多个孔。面板可从上方界定处理区域。系统可包括泵送环，泵送环围绕处理区域延伸并提供从处理区域的排气路径。系统可包括挡板，挡板围绕基板支撑件延伸。挡板可在第一位置和第二位置之间平移，第一位置中的挡板围绕基板支撑件缩回，第二位置中的挡板延伸到处理区域中。
4、在一些实施例中，第二位置中的挡板可将泵送环的内边缘与面板的外边缘之间的间隙距离减小大于或约10％。第二位置中的挡板可与面板和泵送环之间的流动路径相交。挡板可包括盘，其界定中央凹部。挡板可包括孔，其延伸穿过盘并被配置以接收基板支撑件的杆。挡板可包括一个或多个柱，其将盘与致动器耦接。挡板可包括界定内部形状的末端执行器，内部形状被配置为控制到排气系统的流动。挡板可包括陶瓷材料。
5、本技术的一些实施例涵盖半导体处理方法。方法可包括将沉积前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域中。方法可包括在容纳于半导体处理腔室的处理区域中的基板上沉积材料层。处理区域可在沉积期间保持在大于或约100torr的第一压力。方法可包括在处理区域内延伸挡板。挡板可改变处理区域内的流动路径。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成处理前驱物的等离子体。处理区域可在形成期间保持在小于或约20torr的第二压力。方法可包括利用处理前驱物的等离子体流出物处理沉积在基板上的材料层。
6、在一些实施例中，挡板可从上方将界定排气路径的泵送环的内边缘与界定处理区域的面板的外边缘之间的间隙距离减小大于或约10％。半导体处理腔室可包括面板。腔室可包括基板支撑件，基板安置在基板支撑件上。处理区域可界定在面板和基板支撑件之间。腔室可包括泵送环。泵送环可围绕处理区域周向延伸，且其中挡板围绕基板支撑件延伸。挡板可包括盘，其界定中央凹部。挡板可包括孔，其延伸穿过盘并配置以接收基板支撑件的杆。挡板可包括一个或多个柱，其将盘与致动器耦接。挡板可包括末端执行器，末端执行器与盘耦接并界定挡板的内部形状，内部形状被配置为控制到排气系统的流动。
7、相对于常规的系统和技术，本技术可提供许多益处。例如，本技术的实施例可允许在发生沉积的相同腔室中执行工艺处理。此外，这些部件可允许修改以适应任何数量的腔室或处理，以提高处理的均匀性。结合以下描述和附图更详细地描述了这些和其他实施例以及它们的许多优点和特征。
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1.一种半导体处理方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述半导体处理腔室包括：
3.如权利要求2所述的半导体处理方法，其中所述挡板围绕所述基板支撑件延伸。
4.如权利要求3所述的半导体处理方法，其中延伸所述挡板包括将所述挡板朝向所述面板移动。
5.如权利要求4所述的半导体处理方法，其中在延伸位置中的所述挡板限制到所述泵送环的流动路径。
6.如权利要求5所述的半导体处理方法，其中所述挡板将所述泵送环的内边缘与所述面板的外边缘之间的间隙距离减小大于或约10％。
7.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中沉积所述材料层是在所述处理区域内大于或约100Torr的压力下执行的，且其中形成所述处理前驱物的所述等离子体是在所述处理区域内小于或约20Torr的压力下执行的。
8.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中在所述沉积期间和在所述处理期间，所述基板保持在大于或约400℃的温度。
9.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述挡板包括界定内部形状的末端执行器，所述内部形状被配
10.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：
11.一种半导体处理系统，包括：
12.如权利要求11所述的半导体处理系统，其中所述第二位置中的所述挡板将所述泵送环的内边缘与所述面板的外边缘之间的间隙距离减小大于或约10％。
13.如权利要求11所述的半导体处理系统，其中所述第二位置中的所述挡板与所述面板和所述泵送环之间的流动路径相交。
14.如权利要求11所述的半导体处理系统，其中所述挡板包括：
15.如权利要求11所述的半导体处理系统，其中所述挡板包括界定内部形状的末端执行器，所述内部形状被配置为控制到排气系统的流动。
16.如权利要求11所述的半导体处理系统，其中所述挡板包括陶瓷材料。
17.一种半导体处理方法，包括：
18.如权利要求17所述的半导体处理方法，其中所述挡板从上方将界定排气路径的泵送环的内边缘与界定所述处理区域的面板的外边缘之间的间隙距离减小大于或约10％。
19.如权利要求17所述的半导体处理方法，其中所述半导体处理腔室包括：
20.如权利要求17所述的半导体处理方法，其中所述挡板包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体处理方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述半导体处理腔室包括：
3.如权利要求2所述的半导体处理方法，其中所述挡板围绕所述基板支撑件延伸。
4.如权利要求3所述的半导体处理方法，其中延伸所述挡板包括将所述挡板朝向所述面板移动。
5.如权利要求4所述的半导体处理方法，其中在延伸位置中的所述挡板限制到所述泵送环的流动路径。
6.如权利要求5所述的半导体处理方法，其中所述挡板将所述泵送环的内边缘与所述面板的外边缘之间的间隙距离减小大于或约10％。
7.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中沉积所述材料层是在所述处理区域内大于或约100torr的压力下执行的，且其中形成所述处理前驱物的所述等离子体是在所述处理区域内小于或约20torr的压力下执行的。
8.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中在所述沉积期间和在所述处理期间，所述基板保持在大于或约400℃的温度。
9.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述挡板包括界定内部形状的末端执行器，所述内部形状被配置为控制到排气系统的流动。
10.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：U·S·科塔基，M·G·库尔卡尼，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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