【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及mos/igbt驱动的，尤其涉及一种具有两级电流控制的mos/igbt驱动电路。
技术介绍
1、mos/igbt驱动过程中，在mos/igbt在开通或关断时对米勒平台的驱动电流要求较大，对其余时段的驱动电流要求较小。
2、但是现有的mos/igbt驱动电路通常是在这两个阶段采用折中给定相同的电流的方式，这就导致栅极驱动波形在米勒平台出现一个台阶，甚至栅极驱动波形在米勒平台来回震荡，从而影响mos/igbt的开关速度。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种具有两级电流控制的mos/igbt驱动电路，既能在开通或关断时段提供合适的大电流驱动，在其余时段提供合适的小电流驱动，又能优化栅极驱动波形，提高被驱动的mos/igbt的开关速度。
2、为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
3、本专利技术提供一种具有两级电流控制的mos/igbt驱动电路，该方法包括：第一驱动模块、第二驱动模块以及控制模块；
4、所述第一驱动模块和所述第二驱动模块的输出端均用于与待驱动的mos/igbt的栅极连接，用于驱动所述待驱动的mos/igbt的栅极工作；
5、所述第一驱动模块用于根据接入的第一pwm信号输出第一驱动电流；
6、所述第二驱动模块用于根据接入的第二pwm信号输出第二驱动电流；所述第二pwm信号为延时预设时长后的第一pwm信号；
7、所述控制模块包括小电流驱动模式与大电流驱动模式；
9、在所述大电流驱动模式时，控制所述第一驱动模块和所述第二驱动模块同时工作；所述第一驱动电流和所述第二驱动电流叠加为所述待驱动的mos/igbt的栅极接收的大电流驱动信号。
10、在一种可能的实现方式中，所述具有两级电流控制的mos/igbt驱动电路还包括延时电路模块以及波形整形电路模块；
11、所述延时电路模块的输入端与所述第一驱动模块的输入端连接，用于将所述第一pwm信号延时所述预设时长，得到延时信号；
12、所述波形整形电路模块的输入端与所述延时电路模块的输出端连接，用于将所述延时信号整形为所述第二pwm信号。
13、在一种可能的实现方式中，所述第一驱动模块包括第一驱动单元、第一栅极电阻以及第一开关；
14、所述第一驱动单元的输入端用于接入所述第一pwm信号，所述第一驱动单元的输出端通过依此串联的所述第一栅极电阻和所述第一开关与所述待驱动的mos/igbt的栅极连接；
15、所述第一驱动单元为图腾柱电路或与所述待驱动的mos/igbt配合的驱动芯片。
16、在一种可能的实现方式中，所述第二驱动模块包括第二驱动单元、第二栅极电阻以及第二开关；
17、所述第二驱动单元的输入端用于接入所述第二pwm信号，所述第二驱动单元的输出端通过依此串联的所述第二栅极电阻和所述第二开关与所述待驱动的mos/igbt的栅极连接；
18、所述第二驱动单元为图腾柱电路或与所述待驱动的mos/igbt配合的驱动芯片。
19、在一种可能的实现方式中，所述第二栅极电阻小于所述第一栅极电阻。
20、在一种可能的实现方式中，所述第一驱动单元包括第一npn三极管、第一pnp三极管以及第一电阻；
21、所述第一电阻的一端用于接入所述第一pwm信号，所述第一电阻的另一端与所述第一npn三极管的基极和所述第一pnp三极管的基极连接；
22、所述第一npn三极管的集电极用于连接电源，所述第一npn三极管的发射极与所述第一pnp三极管的发射极连接，所述第一pnp三极管的集电极接地。
23、在一种可能的实现方式中，所述第二驱动单元包括第二npn三极管、第二pnp三极管以及第二电阻；
24、所述第二电阻的一端用于接入所述第二pwm信号，所述第二电阻的另一端与所述第二npn三极管的基极和所述第二pnp三极管的基极连接；
25、所述第二npn三极管的集电极用于连接电源，所述第二npn三极管的发射极与所述第二pnp三极管的发射极连接，所述第二pnp三极管的集电极接地。
26、在一种可能的实现方式中，所述延时电路模块为rc延时电路，包括延时电阻与延时电容。
27、在一种可能的实现方式中，所述波形整形电路模块包括比较器、第三电阻与第四电阻；
28、所述比较器的电源正极用于连接电源；所述比较器的电源负极接地；所述比较器的输入正极连接在所述延时电阻与所述延时电容之间的电路上；所述比较器的输入负极通过所述第三电阻与所述电源连接，同时通过所述第四电阻接地；所述比较器的输出端与所述第二驱动模块的输入端连接。
29、在一种可能的实现方式中，所述具有两级电流控制的mos/igbt驱动电路还包括还包括pwm信号发生模块，所述pwm信号发生模块的输出端用于输出所述第一pwm信号；
30、所述pwm信号发生模块为pwm芯片或mcu。
31、本专利技术实施例提供的具有两级电流控制的mos/igbt驱动电路在实际应用时，由于驱动到mos/igbt的米勒平台时需要大电流驱动，此时，令控制模块工作在大电流驱动模式，即控制所述第一驱动模块和所述第二驱动模块同时工作，以第一驱动模块输出的第一驱动电流和第二驱动模块输出的第二驱动电流的叠加作为待驱动的mos/igbt的栅极接收的大电流驱动信号；在不需要大电流驱动的其他时段，令控制模块工作在小电流驱动模式，即控制第一驱动模块独立工作，以第一驱动模块输出的第一驱动电流为待驱动的mos/igbt的栅极接收的小电流驱动信号；本专利技术的具有两级电流控制的mos/igbt驱动电路的驱动方式不仅能在开通或关断时段提供合适的大电流驱动，在其余时段提供合适的小电流驱动，而且能优化栅极驱动波形，提高被驱动的mos/igbt的开关速度。
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1.一种具有两级电流控制的MOS/IGBT驱动电路，其特征在于，包括：第一驱动模块、第二驱动模块以及控制模块；
2.根据权利要求1所述的具有两级电流控制的MOS/IGBT驱动电路，其特征在于，所述具有两级电流控制的MOS/IGBT驱动电路还包括延时电路模块以及波形整形电路模块；
3.根据权利要求2所述的具有两级电流控制的MOS/IGBT驱动电路，其特征在于，所述第一驱动模块包括第一驱动单元、第一栅极电阻以及第一开关；
4.根据权利要求3所述的具有两级电流控制的MOS/IGBT驱动电路，其特征在于，所述第二驱动模块包括第二驱动单元、第二栅极电阻以及第二开关；
5.根据权利要求4所述的具有两级电流控制的MOS/IGBT驱动电路，其特征在于，所述第二栅极电阻小于所述第一栅极电阻。
6.根据权利要求3所述的具有两级电流控制的MOS/IGBT驱动电路，其特征在于，所述第一驱动单元包括第一NPN三极管、第一PNP三极管以及第一电阻；
7.根据权利要求6所述的具有两级电流控制的MOS/IGBT驱动电路，其特征在于，所述第二
8.根据权利要求2所述的具有两级电流控制的MOS/IGBT驱动电路，其特征在于，所述延时电路模块为RC延时电路，包括延时电阻与延时电容。
9.根据权利要求8所述的具有两级电流控制的MOS/IGBT驱动电路，其特征在于，所述波形整形电路模块包括比较器、第三电阻与第四电阻；
10.根据权利要求1所述的具有两级电流控制的MOS/IGBT驱动电路，其特征在于，所述具有两级电流控制的MOS/IGBT驱动电路还包括还包括PWM信号发生模块，所述PWM信号发生模块的输出端用于输出所述第一PWM信号；
...【技术特征摘要】
1.一种具有两级电流控制的mos/igbt驱动电路，其特征在于，包括：第一驱动模块、第二驱动模块以及控制模块；
2.根据权利要求1所述的具有两级电流控制的mos/igbt驱动电路，其特征在于，所述具有两级电流控制的mos/igbt驱动电路还包括延时电路模块以及波形整形电路模块；
3.根据权利要求2所述的具有两级电流控制的mos/igbt驱动电路，其特征在于，所述第一驱动模块包括第一驱动单元、第一栅极电阻以及第一开关；
4.根据权利要求3所述的具有两级电流控制的mos/igbt驱动电路，其特征在于，所述第二驱动模块包括第二驱动单元、第二栅极电阻以及第二开关；
5.根据权利要求4所述的具有两级电流控制的mos/igbt驱动电路，其特征在于，所述第二栅极电阻小于所述第一栅极电阻。
6.根据权利要求3所述的具有两级电流控制的mos...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟任生，
申请(专利权)人：华羿微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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