【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，具体涉及一种半导体器件的制作方法和二极管。
技术介绍
1、目前的电源电路和电机驱动电路中，为了能够缩短反向恢复时间，降低开关的损耗，更多的采用快恢复二极管(fast recovery diode，frd)作为控制开关。
2、但是在制作这种快恢复二极管时，需要在低浓度的单晶硅片的表面进行氧化光刻、以及杂质扩散等工艺，由于单晶硅片的厚度较薄，强度较低，比较脆弱，在加工过程中容易碎裂，出现碎片的情况，导致产品报废。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种半导体器件的制作方法和二极管，能够有效的减少单晶片的碎裂，减少产品报废的情况。
2、本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。
3、根据本申请实施例的一个方面，本申请提供一种半导体器件的制作方法，所述半导体器件的制作方法包括：
4、在单晶片的下表面或支撑片的上表面形成阻挡层，所述阻挡层包括多个阻挡部，多个所述阻挡部之间间隔设置，以在相邻的所述阻挡部之间形成间隔区；
5、将所述单晶片的下表面与所述支撑片的上表面对置，所述阻挡层位于所述单晶片和所述支撑片之间；
6、以所述支撑片作为扩散源，将所述支撑片的杂质经所述间隔区扩散向所述单晶片，在所述单晶片的下表面形成第一电极区，其中，所述第一电极区包括所述间隔区对应的高浓度掺杂区和所述阻挡部对应的低浓度掺杂区；
7、剥离掉所述阻挡层，分离所述单晶片和所述
8、在所述第一电极区的位置形成第一电极层。
9、在其中一个方面，所述在单晶片的下表面或支撑片的上表面形成阻挡层的步骤，包括：
10、在单晶片的下表面或支撑片的上表面设置氧化层，对所述氧化层的部分区域进行刻蚀，形成阻挡层。
11、在其中一个方面，，所述在单晶片的下表面或支撑片的上表面设置氧化层的步骤，包括：
12、采用生长的方式在所述单晶片的下表面或所述支撑片的上表面制作所述氧化层。
13、在其中一个方面，所述剥离掉所述阻挡层，分离所述单晶片和所述支撑片的步骤之前，包括：
14、对所述单晶片的上表面进行减薄抛光，并在所述单晶片的上表面形成第二电极层区，在所述第二电极层区位置形成第二电极层，其中，所述第一电极层和所述第二电极层其中之一为阴极，另一个为阳极。
15、在其中一个方面，所述单晶片为n型单晶片，所述高浓度掺杂区为n+型阴极区，所述低浓度掺杂区为n型阴极区，所述第一电极层为阴极，所述第二电极层区为p型区，所述第二电极层为阳极；
16、或者，所述单晶片为p型单晶片，所述高浓度掺杂区为p+型阳极区，所述低浓度掺杂区为p型阳极区，所述第一电极层为阳极，所述第二电极层区为n型区，所述第二电极层为阴极。
17、在其中一个方面，所述剥离掉所述阻挡层的步骤，包括：
18、向所述间隔区加入腐蚀液，腐蚀掉所述阻挡层。
19、在其中一个方面，所述向所述间隔区加入腐蚀液，腐蚀掉所述阻挡层的步骤之前，包括：
20、在所述第二电极层的上表面设置保护膜。
21、在其中一个方面，所述将所述单晶片的下表面与所述支撑片的上表面对置的步骤，包括：
22、升高温度，将所述阻挡层键合在所述单晶片的下表面和所述支撑片的上表面之间。
23、在其中一个方面，所述支撑片中的杂质浓度大于所述单晶片中的杂质浓度至少两个数量级。
24、此外，为了解决上述问题，本申请还提供一种二极管，所述二极管采用如上文所述的半导体器件的制作方法加工制备，所述二极管还包括钝化层，所述钝化层设置于所述单晶片的上表面。
25、本申请中，设置有支撑片，支撑片能够对单晶片起到支撑固定的作用，分散单晶片的受力，从而提高单晶片的结构强度。
26、同时本申请中还可以有阻挡层，阻挡层的两个阻挡部之间设置有间隔区，支撑片能够作为扩散源，经两个阻挡部之间的间隔区向单晶片进行杂质扩散，从而在单晶片的下表面形成第一电极区。杂质经过间隔区掺杂在单晶片的下表面，提高了掺杂浓度，形成高浓度掺杂区。阻挡部能够阻挡杂质扩散，因此阻挡部对应的掺杂浓度基本不变，形成低浓度掺杂区。由此可知，本申请中的支撑片不但能够提高单晶片的结构强度，还能够作为扩散源进行掺杂工艺。完成第一电极区的设置后，将阻挡层和支撑片从单晶片上剥离下来，并在第一电极区的位置设置第一电极层，完成半导体器件的一个电极制作。
27、本申请中应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
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1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在单晶片的下表面或支撑片的上表面形成阻挡层的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在单晶片的下表面或支撑片的上表面设置氧化层的步骤，包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述剥离掉所述阻挡层，分离所述单晶片和所述支撑片的步骤之前，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述单晶片为N型单晶片，所述高浓度掺杂区为N+型阴极区，所述低浓度掺杂区为N型阴极区，所述第一电极层为阴极，所述第二电极层区为P型区，所述第二电极层为阳极；
6.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述剥离掉所述阻挡层的步骤，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述向所述间隔区加入腐蚀液，腐蚀掉所述阻挡层的步骤之前，包括：
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半
9.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述支撑片中的杂质浓度大于所述单晶片中的杂质浓度至少两个数量级。
10.一种二极管，其特征在于，所述二极管采用如权利要求1至9中任一项所述的半导体器件的制作方法加工制备，所述二极管还包括钝化层，所述钝化层设置于所述单晶片的上表面。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在单晶片的下表面或支撑片的上表面形成阻挡层的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在单晶片的下表面或支撑片的上表面设置氧化层的步骤，包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述剥离掉所述阻挡层，分离所述单晶片和所述支撑片的步骤之前，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述单晶片为n型单晶片，所述高浓度掺杂区为n+型阴极区，所述低浓度掺杂区为n型阴极区，所述第一电极层为阴极，所述第二电极层区为p型区，所述第二电极层为阳极；
【专利技术属性】
技术研发人员：杨忠武，鲁艳春，
申请(专利权)人：北海惠科半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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