【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种双rank内存表贴架构，特别是一种基于国产cpu的双rank内存表贴架构。
技术介绍
1、目前国产芯片技术水平及生产工艺等受到严重限制，因此具有自主可控的计算机的整体性能偏低、兼容性差，使用范围小等问题，在特殊环境下国产cpu的计算性能不够支撑其使用需求。
技术实现思路
1、专利技术目的：本技术所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种基于国产cpu的双rank内存表贴架构。
2、为了解决上述技术问题，本技术公开了一种基于国产cpu的双rank内存表贴架构，包括：国产cpu和国产ddr4内存颗粒；
3、其中，国产cpu包含有两路64位的内存通道，第一内存通道连接16片x8位宽的国产ddr4内存颗粒，第二内存通道连接16片x8位宽的国产ddr4内存颗粒。
4、进一步的，所述国产ddr4内存颗粒采用正反贴方式与国产cpu连接，实现表贴双通道国产32g内存容量。
5、进一步的，所述的正反贴方式，包括：
6、国产cpu中，第一内存通道采用正反贴各8片国产ddr4内存颗粒，并与其连接，第二内存通道采用正反贴各8片国产ddr4内存颗粒，并与其连接。
7、进一步的，所述的第一内存通道采用正反贴各8片国产ddr4内存颗粒，具体包括：
8、国产cpu中的第一内存通道正面贴有8片国产ddr4内存颗粒，连接第一内存通道的64位数据接口信号、地址和控制信号、命令接口信号、数据差分选通信号、校验信号、差分
9、第一内存通道的反面贴有8片国产ddr4内存颗粒，连接第一内存通道的64位数据接口信号、地址和控制信号、命令接口信号、数据差分选通信号、校验信号、差分时钟、终端匹配电阻的使能控制信号、片选信号以及时钟使能信号。
10、进一步的，所述的第二内存通道采用正反贴各8片国产ddr4内存颗粒，具体包括：
11、国产cpu中的第二内存通道正面贴有8片国产ddr4内存颗粒，连接第二内存通道的64位数据接口信号、地址和控制信号、命令接口信号、数据差分选通信号、校验信号、差分时钟、终端匹配电阻的使能控制信号、片选信号以及时钟使能信号；
12、第二内存通道的反面贴有8片国产ddr4内存颗粒，连接第二内存通道的64位数据接口信号、地址和控制信号、命令接口信号、数据差分选通信号、校验信号、差分时钟、终端匹配电阻的使能控制信号、片选信号以及时钟使能信号。
13、进一步的，所述的国产ddr4内存颗粒，连接内存通道的64位数据接口信号，即国产ddr4内存颗粒的数据位分别通过8位一组连接至cpu的两个内存通道的数据位，具体包括：
14、每根内存数据走线不超过5000mil；且进行正反面走线时需打孔换层，其中，过孔数量不超过2个，并且在打孔处设置伴地孔回流，所打的过孔位置满足：内存通道的数据位从过孔处到正反面表贴的内存颗粒的走线长度相等。
15、进一步的，所述的国产ddr4内存颗粒，连接内存通道的地址和控制信号，具体包括：
16、走线不超过5000mil；且进行正反面走线时打孔换层，其中，过孔数量不超过2个，所打的过孔位置满足：地址和控制信号从过孔处到正反面表贴的内存颗粒的走线长度相等。
17、进一步的，所述的国产ddr4内存颗粒，连接至内存通道的命令接口信号、数据差分选通信号、校验信号、差分时钟、终端匹配电阻的使能控制信号、片选信号以及时钟使能信号，具体包括：
18、走线不超过5000mil；且进行正反面走线时打孔换层，其中，过孔数量不超过2个，所打的过孔位置满足：差分时钟、终端匹配电阻的使能控制信号及片选信号从过孔处到正反面表贴的内存颗粒的走线长度相等。
19、有益效果：
20、本技术提供的一种基于国产cpu的双rank内存表贴方法，利用双rank技术正反面表贴国产ddr4内存颗粒，增加cpu的内存容量，同时大大增加cpu的计算性能，具体包括：
21、1、利用双rank技术正反贴国产ddr4颗粒，实现表贴32g大内存容量；
22、2、cpu处理器以及内存颗粒均选用国产自主研发的芯片；
23、3、该双rank内存表贴技术皆适用于国产飞腾、龙芯cpu处理器。
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1.一种基于国产CPU的双RANK内存表贴架构，其特征在于，包括：国产CPU和国产DDR4内存颗粒；
2.根据权利要求1所述的一种基于国产CPU的双RANK内存表贴架构，其特征在于，所述国产DDR4内存颗粒采用正反贴方式与国产CPU连接，实现表贴双通道国产32G内存容量。
3.根据权利要求2所述的一种基于国产CPU的双RANK内存表贴架构，其特征在于，所述的正反贴方式，包括：
4.根据权利要求3所述的一种基于国产CPU的双RANK内存表贴架构，其特征在于，所述的第一内存通道MC0采用正反贴各8片国产DDR4内存颗粒，具体包括：
5.根据权利要求3所述的一种基于国产CPU的双RANK内存表贴架构，其特征在于，所述的第二内存通道采用正反贴各8片国产DDR4内存颗粒，具体包括：
6.根据权利要求4或5所述的一种基于国产CPU的双RANK内存表贴架构，其特征在于，所述的国产DDR4内存颗粒，连接内存通道的64位数据接口信号DQS，即国产DDR4内存颗粒的数据位分别通过8位一组连接至CPU的两个内存通道的数据位，具体包括：
...【技术特征摘要】
1.一种基于国产cpu的双rank内存表贴架构，其特征在于，包括：国产cpu和国产ddr4内存颗粒；
2.根据权利要求1所述的一种基于国产cpu的双rank内存表贴架构，其特征在于，所述国产ddr4内存颗粒采用正反贴方式与国产cpu连接，实现表贴双通道国产32g内存容量。
3.根据权利要求2所述的一种基于国产cpu的双rank内存表贴架构，其特征在于，所述的正反贴方式，包括：
4.根据权利要求3所述的一种基于国产cpu的双rank内存表贴架构，其特征在于，所述的第一内存通道mc0采用正反贴各8片国产ddr4内存颗粒，具体包括：
5.根据权利要求3所述的一种基于国产cpu的双rank内存表贴架构，其特征在于，所述的第二内存通道采用正反贴各8片国产ddr4内存颗粒，具体包括：
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：何桃桃，贾敬乐，潘望，史健，连锦波，李达，何明雪，邹超凡，
申请(专利权)人：南京莱斯电子设备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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