【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种基板处理装置。
技术介绍
1、在专利文献1中公开了一种具备调整控制部的结构，该调整控制部针对使用含金属抗蚀剂形成的覆膜缩小每个基板的在加热处理时发生反应的水分量之差。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2020-119961号公报
技术实现思路
1、技术要解决的问题
2、本公开提供一种尽可能缩短形成于基板的、由含金属抗蚀剂形成的覆膜与大气气氛接触的时间的技术。
3、用于解决问题的方案
4、本技术的第一方面的基板处理装置对包括含金属抗蚀剂的覆膜的基板进行处理，所述基板处理装置具有：热处理部，其对所述覆膜被实施了曝光处理的所述基板进行加热处理；显影处理部，其对被实施了所述加热处理的所述基板的所述覆膜进行显影处理；以及气体接触部，在从所述曝光处理之后起到进行所述显影处理之前的期间，所述气体接触部使所述覆膜与非活性气体接触。
5、本技术的第二方面提供根据前述第一方面所述的基板处理装置，其中，所述气体接触部是将所述基板一度载置于规定的壳体内并且包括向所述壳体内供给所述气体的气体供给部的气体处理单元，所述气体接触部设置于接口块。
6、本技术的第三方面提供根据前述第一方面所述的基板处理装置，其中，所述热处理部具有：热板，其将所述基板进行加热；以及温度调整板，其保持在所述热板中进行加热处理后的所述基板，所述气体接触部包括：所述热处理部的所述温度调整板；以及第二气体供给
7、本技术的第四方面提供根据前述第三方面所述的基板处理装置，其中，所述气体接触部还包括腔室，所述腔室以使从所述第二气体供给部供给的所述非活性气体与所述覆膜接触的方式包围所述温度调整板的周围。
8、本技术的第五方面提供根据前述第一方面所述的基板处理装置，其中，所述气体接触部是在向所述显影处理部搬入从所述热处理部搬出的所述基板之前一度保持所述基板的温度调整单元，所述气体接触部包括向所述温度调整单元内供给所述非活性气体的第三气体供给部。
9、本技术的第六方面提供根据前述第一方面所述的基板处理装置，其中，还具有控制部，所述控制部对所述气体接触部中的所述基板的接触期间以及所述基板的向所述气体接触部的搬送进行控制。
10、本技术的第七方面提供根据前述第六方面所述的基板处理装置，其中，所述气体接触部是将所述基板一度载置于规定的壳体内并且包括向所述壳体内供给所述气体的气体供给部的气体处理单元，所述气体接触部设置于接口块，所述控制部进行以下控制：将所述基板搬送到所述气体处理单元，在所述气体处理单元中使所述覆膜与所述非活性气体接触规定时间。
11、本技术的第八方面提供根据前述第七方面所述的基板处理装置，其中，所述热处理部具有：热板，其将所述基板进行加热；温度调整板，其保持在所述热板中进行加热处理后的所述基板；以及第二气体供给部，其以使所述温度调整板上的所述基板的所述覆膜与所述非活性气体接触的方式供给所述非活性气体，所述控制部进行以下控制：在所述热处理部的所述温度调整板上使从所述气体处理单元搬出的所述基板的所述覆膜与所述非活性气体接触规定时间。
12、本技术的第九方面提供根据前述第八方面所述的基板处理装置，其中，所述基板处理装置还具有温度调整单元，在向所述显影处理部搬入从所述热处理部搬出的所述基板之前，所述温度调整单元一度保持所述基板，所述温度调整单元包括向所述温度调整单元内供给所述非活性气体的第三气体供给部，所述控制部进行以下控制：在所述温度调整单元中使从所述热处理部搬出的所述基板的所述覆膜与所述非活性气体接触规定时间。
13、本技术的第十方面提供根据前述第一方面所述的基板处理装置，其中，所述气体接触部具有：基板保持部，其保持所述基板；包围部，其包围所述基板保持部的上方和侧方；以及气体供给口，其用于从所述包围部的上方向所述包围部内供给所述非活性气体，其中，通过向所述包围部内供给非活性气体来将内部的大气向下方推出，由此使所述非活性气体与保持于所述基板保持部的所述基板接触。
14、本技术的第十一方面提供根据前述第一方面所述的基板处理装置，其中，所述气体接触部具有：基板保持部，其保持所述基板；包围部，其包围所述基板保持部的上方和下方、以及侧方的一部分；以及气体供给口，其用于向所述包围部内供给所述非活性气体，其中，通过向所述包围部内供给非活性气体来将内部的大气向具有开口的侧方推出，由此使所述非活性气体与保持于所述基板保持部的所述基板接触。
15、本技术的第十二方面提供根据前述第一方面所述的基板处理装置，其中，所述非活性气体是氮气。
16、本技术的第十三方面提供根据前述第一方面所述的基板处理装置，其中，还具有第二气体接触部，在通过在所述基板上形成含金属抗蚀剂的覆膜的成膜处理部进行处理之后起到进行所述曝光处理之前的期间，所述第二气体接触部使所述覆膜与非活性气体接触。
17、本技术的第十四方面提供根据前述第一方面所述的基板处理装置，其中，搬送装置，其搬送所述基板；以及控制部，其控制所述搬送装置，所述气体接触部包括：收容室，其设置于接口块，用于收容曝光处理后的所述基板；以及气体供给部，其向所述收容室内供给所述气体，其中，所述控制部控制所述搬送装置，以使得在所述热处理部能够接受所述基板之后将所述基板从所述收容室搬出并搬入所述热处理部。
18、本技术的第十五方面提供根据前述第十四方面所述的基板处理装置，其中，还具有温度调整单元，所述温度调整单元收容从所述热处理部搬出的所述基板，并对所述基板进行温度调整处理，所述热处理部具有将所述基板进行加热的热板，所述气体接触部还包括：第二收容室，其以收容在所述热板中进行加热处理后的所述基板的方式设置于所述热处理部；以及第二气体供给部，其向所述第二收容室内供给所述非活性气体，所述控制部控制所述搬送装置，以使得在所述温度调整单元能够接受所述基板之后将所述基板从所述第二收容室搬出并搬入所述温度调整单元。
19、本技术的第十六方面提供根据前述第十五方面所述的基板处理装置，其中，所述气体接触部还包括向所述温度调整单元内供给所述非活性气体的第三气体供给部，所述控制部控制所述搬送装置，以使得在所述显影处理部能够接受所述基板之后将所述基板从所述温度调整单元搬出并搬入所述显影处理部。
20、本技术的第十七方面提供根据前述第十四方面所述的基板处理装置，其中，所述热处理部具有将所述基板进行加热的热板，所述气体接触部包括：第二收容室，其以收容在所述热板中进行加热处理后的所述基板的方式设置于所述热处理部；以及第二气体供给部，其向所述第二收容室内供给所述非活性气体，所述控制部控制所述搬送装置，以使得在所述显影处理部能够接受所述基板之后将本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，对包括含金属抗蚀剂的覆膜的基板进行处理，所述基板处理装置具有：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
13.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具有：
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，
17.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，对包括含金属抗蚀剂的覆膜的基板进行处理，所述基板处理装置具有：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：鬼塚智也，川上真一路，源岛久志，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。