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显示装置和制造该显示装置的方法制造方法及图纸

技术编号:42048869 阅读:8 留言:0更新日期:2024-07-16 23:30
提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法,所述显示装置包括:基底,具有透射区域、显示区域和在透射区域与显示区域之间的中间区域;第一有源层,包括第一有源图案;第一导电层,在第一有源层上并且包括与第一有源图案叠置的栅电极;第二有源层,在第一导电层上并且包括第二有源图案;第二导电层,在第一导电层与第二有源层之间;第三导电层,在第二导电层上并且包括使栅电极和第二有源图案电连接的桥接电极;第一子层,在中间区域中并且与第二导电层在同一层;以及第二子层,覆盖第一子层的外表面。第一子层和第二子层具有彼此连接的第一子开口和第二子开口。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例的方面涉及一种显示装置和一种制造该显示装置的方法。


技术介绍

1、电子元件(例如,相机等)可以设置在显示装置中,使得用户可以使用显示装置执行各种功能。为了使电子元件高效地起作用,应提高入射到电子元件的外部光的透射率。此外,最近,为了扩大显示装置的显示区域,已经开发了其中电子元件被布置为与显示区域叠置的结构。


技术实现思路

1、本公开的实施例提供了一种表现出改善制造工艺效率的显示装置。

2、本公开的实施例还提供了一种用于制造显示装置的方法。

3、根据本公开的实施例的显示装置包括:基底,具有透射区域、在透射区域的外围周围延伸的显示区域和在透射区域与显示区域之间的中间区域;第一有源层,在基底上并且包括在显示区域中的第一有源图案;第一导电层,在第一有源层上并且包括与第一有源图案叠置的栅电极;第二有源层,在第一导电层上并且包括在显示区域中的第二有源图案;第二导电层,在第一导电层与第二有源层之间;第三导电层,在第二导电层上并且包括使栅电极和第二有源图案电连接的桥接电极;第一子层,在中间区域中并且与第二导电层在同一层;以及第二子层,在中间区域中并且覆盖第一子层的外表面。第一子层具有第一子开口,并且第二子层具有连接到第一子开口的第二子开口。

4、显示装置还可以包括在第三导电层和第二子层上并且覆盖桥接电极的上绝缘层。第一子开口和第二子开口可以互连以限定金属开口,并且上绝缘层可以具有连接到金属开口的绝缘开口。

5、金属开口和绝缘开口可以互连以限定槽,并且金属开口的内表面可以在远离槽的中心的方向上比绝缘开口的内表面凹进得更多。

6、显示装置还可以包括在第二导电层和第一子层下方的下绝缘层,下绝缘层具有连接到金属开口的沟槽以形成槽。

7、槽可以相对于槽的中心轴轴对称。

8、槽可以相对于槽的中心轴不对称。

9、显示装置还可以包括发光器件,发光器件在显示区域中并且包括阳极电极、阴极电极和在阳极电极与阴极电极之间的中间层,并且,阴极电极可以被槽断开。

10、中间层可以包括发射层、在阳极电极与发射层之间的第一功能层和在发射层与阴极电极之间的第二功能层,并且第一功能层和第二功能层中的至少一个可以被槽断开。

11、第一有源图案可以包括硅半导体,并且第二有源图案可以包括氧化物半导体。

12、第二导电层和第一子层可以包括相同的材料,并且第三导电层和第二子层可以包括相同的材料。

13、显示装置还可以包括:第四导电层,在第三导电层上并且包括接触第一有源图案的第一连接电极和接触第二有源图案的第二连接电极;以及第五导电层,在第四导电层上并且包括接触第一连接电极的第三连接电极。

14、根据本公开的另一实施例的显示装置包括:基底,具有透射区域、在透射区域的外围周围延伸的显示区域和在透射区域与显示区域之间的中间区域;第一有源层,在基底上并且包括在显示区域中的第一有源图案;第一导电层,在第一有源层上并且包括与第一有源图案叠置的栅电极;第二有源层,在第一导电层上并且包括在显示区域中的第二有源图案;第二导电层,在第一导电层与第二有源层之间;第三导电层,在第二导电层上并且包括使栅电极和第二有源图案电连接的桥接电极;第一子层,在中间区域中并且与第一导电层在同一层;以及第二子层,在中间区域中并且覆盖第一子层的外表面。第一子层具有第一子开口,第二子层具有连接到第一子开口的第二子开口。

15、显示装置还可以包括在第三导电层和第二子层上并且覆盖桥接电极的上绝缘层。第一子开口和第二子开口可以互连以限定金属开口,并且上绝缘层可以具有连接到金属开口的绝缘开口。

16、金属开口和绝缘开口可以互连以限定槽,并且金属开口的内表面可以在远离槽的中心的方向上比绝缘开口的内表面凹进得更多。

17、第一导电层和第一子层可以包括相同的材料,并且第三导电层和第二子层可以包括相同的材料。

18、制造根据本公开的实施例的显示装置的方法包括以下步骤:在基底的显示区域中形成包括第一有源图案的第一有源层,基底具有透射区域和中间区域,显示区域在透射区域的外围周围延伸,中间区域在透射区域与显示区域之间;在第一有源层上形成包括与第一有源图案叠置的栅电极的第一导电层;在第一导电层上形成包括第二有源图案的第二有源层;在第一导电层与第二有源层之间形成第二导电层;在第二导电层上形成第三导电层,第三导电层包括使栅电极和第二有源图案电连接的桥接电极;在中间区域中和第一有源层上形成第一子层;在中间区域中形成第二子层并且第二子层覆盖第一子层的外表面;在第三导电层和第二子层上形成具有使第二子层的一部分暴露的绝缘开口的上绝缘层;通过去除由上绝缘层暴露的第二子层来暴露第一子层的一部分;以及去除由第二子层暴露的第一子层。

19、形成第一子层的步骤可以与形成第二导电层的步骤和形成第一导电层的步骤中的任何一个一起执行。

20、形成第二子层的步骤和形成第三导电层的步骤可以在同一工艺中同时地执行。

21、在去除由第二子层暴露的第一子层的步骤期间,第二子层的一部分可以与其一起被去除。

22、所述方法还可以包括以下步骤:在第三导电层上形成第四导电层,第四导电层包括接触第一有源图案的第一连接电极和接触第二有源图案的第二连接电极;在第四导电层上形成第五导电层,第五导电层包括接触第一连接电极的第三连接电极;以及在第五导电层上形成阳极电极并且接触第三连接电极。可以在形成上绝缘层的步骤之后执行形成第四导电层的步骤、形成第五导电层的步骤和形成阳极电极的步骤。

23、形成第四导电层的步骤可以包括:在上绝缘层上形成第一初始导电层;以及去除第一初始导电层的一部分,并且去除由上绝缘层暴露的第二子层的步骤可以与去除第一初始导电层的部分的步骤一起执行。

24、可以通过干蚀刻工艺执行去除第一初始导电层的部分的步骤。

25、形成第五导电层的步骤可以包括:在上绝缘层上形成第二初始导电层;以及去除第二初始导电层的一部分,并且去除由上绝缘层暴露的第二子层的步骤可以与去除第二初始导电层的部分的步骤一起执行。

26、可以通过干蚀刻工艺执行去除第二初始导电层的部分的步骤。

27、形成阳极电极的步骤可以包括:在上绝缘层上形成第三初始导电层;以及去除第三初始导电层的一部分,并且去除由第二子层暴露的第一子层的步骤可以与去除第三初始导电层的部分的步骤一起执行。

28、可以通过湿蚀刻工艺执行去除第三初始导电层的部分的步骤。

29、在去除由第二子层暴露的第一子层的步骤之后,第一子层可以具有第一子开口,第二子层可以具有连接到第一子开口的第二子开口,第一子开口和第二子开口可以互连以限定金属开口。金属开口和绝缘开口可以互连以限定槽。

30、所述方法还可以包括通过去除第一子层下面的下绝缘层的一部分来形成连接到金属开口的沟槽,并且可以在去除由第二子层暴露的第一子本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种显示装置,所述显示装置包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括在所述第三导电层和所述第二子层上并且覆盖所述桥接电极的上绝缘层,

3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述金属开口和所述绝缘开口互连以限定槽,并且

4.根据权利要求3所述的显示装置,所述显示装置还包括在所述第二导电层和所述第一子层下方的下绝缘层,所述下绝缘层具有连接到所述金属开口的沟槽,使得所述槽还包括所述沟槽。

5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述槽相对于所述槽的中心轴轴对称。

6.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述槽相对于所述槽的中心轴不对称。

7.根据权利要求3所述的显示装置,所述显示装置还包括发光器件,所述发光器件在所述显示区域中并且包括阳极电极、阴极电极和在所述阳极电极与所述阴极电极之间的中间层,

8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述中间层包括发射层、在所述阳极电极与所述发射层之间的第一功能层和在所述发射层与所述阴极电极之间的第二功能层,并且

9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一有源图案包括硅半导体,并且

10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二导电层和所述第一子层包括相同的材料,并且

11.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:

12.一种显示装置,所述显示装置包括:

13.根据权利要求12所述的显示装置,所述显示装置还包括在所述第三导电层和所述第二子层上并且覆盖所述桥接电极的上绝缘层,

14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述金属开口和所述绝缘开口互连以限定槽,并且

15.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述第一导电层和所述第一子层包括相同的材料,并且

16.一种制造显示装置的方法,所述方法包括:

17.根据权利要求16所述的方法,其中,形成所述第一子层的步骤与形成所述第二导电层的步骤和形成所述第一导电层的步骤中的任何一个一起执行。

18.根据权利要求16所述的方法,其中,形成所述第二子层的步骤和形成所述第三导电层的步骤在同一工艺中同时地执行。

19.根据权利要求16所述的方法,其中,在去除由所述第二子层暴露的所述第一子层的步骤期间,所述第二子层的一部分与其一起被去除。

20.根据权利要求16所述的方法,所述方法还包括以下步骤:

21.根据权利要求20所述的方法,其中,形成所述第四导电层的步骤包括:

22.根据权利要求21所述的方法,其中,通过干蚀刻工艺执行去除所述第一初始导电层的所述部分的步骤。

23.根据权利要求20所述的方法,其中,形成所述第五导电层的步骤包括:

24.根据权利要求23所述的方法,其中,通过干蚀刻工艺执行去除所述第二初始导电层的所述部分的步骤。

25.根据权利要求20所述的方法,其中,形成所述阳极电极的步骤包括:

26.根据权利要求25所述的方法,其中,通过湿蚀刻工艺执行去除所述第三初始导电层的所述部分的步骤。

27.根据权利要求16所述的方法,其中,在去除由所述第二子层暴露的所述第一子层的步骤之后:

28.根据权利要求27所述的方法,所述方法还包括通过去除所述第一子层下面的下绝缘层的一部分来形成连接到所述金属开口的沟槽,

...

【技术特征摘要】

1.一种显示装置,所述显示装置包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括在所述第三导电层和所述第二子层上并且覆盖所述桥接电极的上绝缘层,

3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述金属开口和所述绝缘开口互连以限定槽,并且

4.根据权利要求3所述的显示装置,所述显示装置还包括在所述第二导电层和所述第一子层下方的下绝缘层,所述下绝缘层具有连接到所述金属开口的沟槽,使得所述槽还包括所述沟槽。

5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述槽相对于所述槽的中心轴轴对称。

6.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述槽相对于所述槽的中心轴不对称。

7.根据权利要求3所述的显示装置,所述显示装置还包括发光器件,所述发光器件在所述显示区域中并且包括阳极电极、阴极电极和在所述阳极电极与所述阴极电极之间的中间层,

8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述中间层包括发射层、在所述阳极电极与所述发射层之间的第一功能层和在所述发射层与所述阴极电极之间的第二功能层,并且

9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一有源图案包括硅半导体,并且

10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二导电层和所述第一子层包括相同的材料,并且

11.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:

12.一种显示装置,所述显示装置包括:

13.根据权利要求12所述的显示装置,所述显示装置还包括在所述第三导电层和所述第二子层上并且覆盖所述桥接电极的上绝缘层,

14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述金属开口和所述绝缘开口互...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔锺炫
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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