【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子设备，具体涉及一种稳压结构。
技术介绍
1、先进soc(system on chip)芯片为了满足高性能、低功耗要求，通常选择ldo(lowdropout regulator，低压差线性稳压器)电路进行供电。ldo是集成电路设计领域中处于核心地位的模块，用于给电路板其他模块提供最基础的电源电压信号。
2、soc在工作的过程中可能处于不同的工作状态，不同工作状态下对于电源电压信号的需求存在一定的差异，单一的ldo电路无法满足soc不同工作状态下的需求。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题或至少部分解决上述技术问题，本申请提供了一种稳压结构。
2、第一方面，本申请提供了一种稳压结构，所述稳压结构包括：
3、控制单元、模式检测单元、第一稳压单元和第二稳压单元；
4、所述模式检测单元的第一端电连接所述控制单元，所述模式检测单元用于检测所述控制单元的工作模式，所述模式检测单元的第二端基于所述工作模式电连接所述第一稳压单元的第一端或所述第二稳压单元的第一端；
5、所述第一稳压单元的第二端和所述第二稳压单元的第二端电连接输出电源；
6、所述第一稳压单元以n型mos管作为功率管，所述第二稳压单元以p型mos管作为功率管。
7、可选地，所述第一稳压单元包括第一变压器、第一基准电源、第一放大器、第一n型mos管、第一电阻和第二电阻；
8、所述第一变压器的第一端和所述第一n型mos管的漏极电
9、所述第一变压器的第二端、所述第一放大器的第一输入端和所述第一基准电源的正极相互电连接；
10、所述第一基准电源的负极接地；
11、所述第一放大器的输出端电连接所述第一n型mos管的栅极；
12、所述第一电阻的第一端电连接所述第一n型mos管的源极，且用于电连接所述模式检测单元的第二端；
13、所述第一电阻的第二端、所述第一放大器的第二输入端和所述第二电阻的第一端相互电连接；
14、所述第二电阻的第二端接地。
15、可选地，所述第一稳压单元还包括第一缓冲器；
16、所述第一缓冲器电连接在所述第一放大器的输出端与所述第一n型mos管的栅极之间，所述第一缓冲器用于增强所述第一放大器的输出端对应输出信号的电压或电流。
17、可选地，所述第一缓冲器包括第一电容和第三电阻；
18、所述第三电阻的第一端电连接所述第一放大器的输出端，所述第三电阻的第二端电连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端电连接所述第一n型mos管的栅极。
19、可选地，所述第一缓冲器包括第二电容、第四电阻和第一二极管；
20、所述第一二极管的阳极电连接所述第一放大器的输出端，所述第一二极管的阴极、所述第四电阻的第一端和所述第二电容的第一端相互电连接，所述第四电阻的第二端、所述第二电容的第二端和所述第一n型mos管的栅极相互电连接。
21、可选地，所述第一稳压单元还包括第三电容；
22、所述第三电容的第一端、所述第一n型mos管的栅极和所述第一放大器的输出端相互电连接。
23、可选地，所述第一稳压单元还包括第四电容；
24、所述第四电容的第一端、所述第一电阻的第一端和所述第一n型mos管的源极相互电连接，且用于电连接所述模式检测单元的第二端，所述第四电容的第二端接地。
25、可选地，所述第二稳压单元包括第二变压器、第二基准电源、第二放大器、第一p型mos管、第二p型mos管、电容修调阵列、电阻修调阵列、第二缓冲器和第五电容；
26、所述第二变压器的第一端、所述第一p型mos管的源极、所述第二p型mos管的源极相互电连接；
27、所述第二变压器的第二端、所述第二放大器的第一输入端和所述第二基准电源的正极相互电连接；
28、所述第二基准电源的负极接地；
29、所述第二放大器的输出端、所述第二缓冲器的第一端、所述电容修调阵列的第一端相互电连接；
30、所述电容修调阵列的第二端电连接所述第一p型mos管的漏极；
31、所述第二缓冲器的第二端、所述第一p型mos管的栅极和所述第二p型mos管的栅极相互电连接；
32、所述电阻修调阵列的第一端电连接所述第二放大器的第二输入端，所述电阻修调阵列的第二端电连接所述第五电容的第一端，且用于电连接所述模式检测单元的第二端，所述电阻修调阵列的第三端接地；
33、所述第五电容的第二端接地；
34、其中，所述第二缓冲器用于增强所述第二放大器的输出端对应输出信号的电压或电流，所述电阻修调阵列用于调整所述第二p型mos管的漏极电压，所述电容修调阵列用于补偿零极点。
35、可选地，所述电阻修调阵列包括第五电阻、第六电阻、n个修调电阻和n-1组控制阵列；其中，n≥2；
36、n个所述修调电阻之间相互串联，且多个串联的所述修调电阻的一端接地，另一端电连接所述第六电阻的第一端；
37、所述第六电阻的第二端、所述第二p型mos管的漏极和所述第五电容的第一端相互电连接，且用于电连接所述模式检测单元的第二端；
38、所述第五电阻的第一端电连接接地的所述修调电阻远离地端的一端，所述第五电阻的第二端电连接所述第六电阻的第一端；
39、所述控制阵列包括多个串联的第二n型mos管，所述控制阵列中的一个所述第二n型mos管的源极电连接所述第二放大器的第二输入端，所述控制阵列中的另一个所述第二n型mos管的漏极电连接在相邻的所述修调电阻之间。
40、可选地，所述电容修调阵列包括m组相互并联的修调电容组；其中，m≥2；
41、所述修调电容组包括修调电容和第三n型mos管，所述第三n型mos管的源极电连接所述第二放大器的输出端，所述第三n型mos管的漏极电连接所述修调电容的第一端，所述修调电容的第二端电连接所述第一p型mos管的漏极。
42、本申请通过设置以n型mos管作为功率管的第一稳压单元和以p型mos管作为功率管的第二稳压单元，并通过控制单元控制模式切换用于为负载器件供电的稳压单元。以nmos作为功率管的第一稳压单元可以提供稳定的电源特性，以pmos作为功率管的第二稳压单元，能够在提供较大输出电流的同时拥有较低的压差电压，保证整体具有高效率的同时具有低功耗特性。本申请可以基于两种类型的稳压单元相互切换，使电源的使用效率得到充分利用。
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1.一种稳压结构，其特征在于，所述稳压结构包括：
2.根据权利要求1所述的稳压结构，其特征在于，所述第一稳压单元包括第一变压器、第一基准电源、第一放大器、第一N型MOS管、第一电阻和第二电阻；
3.根据权利要求2所述的稳压结构，其特征在于，所述第一稳压单元还包括第一缓冲器；
4.根据权利要求3所述的稳压结构，其特征在于，所述第一缓冲器包括第一电容和第三电阻；
5.根据权利要求3所述的稳压结构，其特征在于，所述第一缓冲器包括第二电容、第四电阻和第一二极管；
6.根据权利要求2所述的稳压结构，其特征在于，所述第一稳压单元还包括第三电容；
7.根据权利要求2所述的稳压结构，其特征在于，所述第一稳压单元还包括第四电容；
8.根据权利要求1所述的稳压结构，其特征在于，所述第二稳压单元包括第二变压器、第二基准电源、第二放大器、第一P型MOS管、第二P型MOS管、电容修调阵列、电阻修调阵列、第二缓冲器和第五电容；
9.根据权利要求8所述的稳压结构，其特征在于，所述电阻修调阵列包括第五电阻、第六电阻、
10.根据权利要求8所述的稳压结构，其特征在于，所述电容修调阵列包括M组相互并联的修调电容组；其中，M≥2；
...【技术特征摘要】
1.一种稳压结构，其特征在于，所述稳压结构包括：
2.根据权利要求1所述的稳压结构，其特征在于，所述第一稳压单元包括第一变压器、第一基准电源、第一放大器、第一n型mos管、第一电阻和第二电阻；
3.根据权利要求2所述的稳压结构，其特征在于，所述第一稳压单元还包括第一缓冲器；
4.根据权利要求3所述的稳压结构，其特征在于，所述第一缓冲器包括第一电容和第三电阻；
5.根据权利要求3所述的稳压结构，其特征在于，所述第一缓冲器包括第二电容、第四电阻和第一二极管；
6.根据权利要求2所述的稳压结构，其特征在于，所述第一稳压单元...
【专利技术属性】
技术研发人员：方少平，李介民，包冲，李佳林，李壮，张东伟，梁学锋，
申请(专利权)人：北京国科环宇科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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