【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体产品制作，尤其涉及一种硅片研磨去除量测量装置。
技术介绍
1、在300mm单晶硅晶片加工过程中，其主要加工过程包括：长晶(growing)，晶棒外径研磨(ingot grinding)，截断(band saw)，晶棒晶向测量及粘连工件板(ingot mounting)，晶棒线切割(wire saw)，倒角(edge grinding)，双面研磨(double side grinding)，以及抛光(polishing)，清洗(cleaning)等过程。其中双面研磨作为硅片精细化加工的重要步骤，对硅片厚度，平坦度，表面损伤等有重要影响。多数研磨设备在加工过程中采用单面依次加工，但此种方法效率较低。双面同时研磨对于厚度整体有控制，但同时加工对于两面的厚度去除量无法作单独控制。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本技术提供一种硅片研磨去除量测量装置，解决双面研磨对单面的厚度无法单独控制的问题。
2、为了达到上述目的，本技术实施例采用的技术方案是：一种硅片研磨去除量测量装置，包括：
3、夹持结构，包括旋转轴，和旋转连接于所述旋转轴上的两个夹持臂，两个夹持臂被配置为夹持待测硅片；
4、导电参考板，固定于所述旋转轴上，且所述导电参考板位于两个所述夹持臂之间，所述导电参考板与所述旋转轴的径向方向相平行，且所述导电参考板与两个所述夹持臂之间的距离相同；
5、第一测量结构，每个所述夹持臂上设置有所述第一测量结构，所述第一测量结构被
6、所述第一测量结构包括可移动的设置于对应的所述夹持臂上的导电柱，所述导电柱的延伸方向与所述导电参考板垂直；
7、所述第一测量结构还包括与所述导电柱接触连接的导电块，所述导电块与对应的所述夹持臂连接；
8、所述第一测量结构还包括与所述导电块电连接的第一电极引脚，以及与所述导电参考板电连接的第二电极引脚；
9、所述第一测量结构还包括与所述第一电极引脚和所述第二电极引脚连接的电流测量仪；
10、所述第一测量结构还包括第一处理器，所述第一处理器被配置为根据所述导电柱的电流变化量获取待测硅片的对应的一面的研磨去除量。
11、可选的，每个所述夹持臂上设置有通孔，所述通孔内可滑动的设置所述导电柱。
12、可选的，所述通孔的侧壁上嵌设有所述导电块。
13、可选的，所述夹持臂复用为所述导电块。
14、可选的，根据以下公式获得待测硅片的对应的一面的研磨去除量δx：
15、a/a＝a′/a′＝δa/δx＝l/l；
16、δa＝a′-a
17、δx＝a-a′；
18、其中a为研磨前导电柱位于对应的所述夹持臂和所述导电参考板之间的距离，a′为研磨后导电柱位于对应的所述夹持臂和所述导电参考板之间的距离，a为研磨前对应的所述夹持臂的夹持端与所述导电参考板之间的距离，a′为研磨后对应的所述夹持臂的夹持端与所述导电参考板之间的距离，l为所述夹持臂的延长线和所述导电参考板的延长线的交点到所述导电柱之间的距离，l为所述夹持臂的延长线和所述导电参考板的延长线的交点到所述夹持臂的夹持端的距离。
19、可选的，所述硅片研磨去除量测量装置还包括第二测量结构，所述第二测量结构被配置为测量待测硅片的整体的研磨去除量，所述第二测量结构包括：
20、设置于每个所述夹持臂的夹持端的导电夹持柱；
21、电阻测量仪，被配置为测量两个导电夹持柱之间的电阻；
22、第二处理器，被配置为将两个导电夹持柱之间的电阻变化量转化为待测硅片的整体的研磨去除量。
23、本技术的有益效果是：对硅片的正反两面的厚度分别进行测量控制，用以确保硅片在加工过程中两面的去除量相同，提升硅片更好的平坦度数据，且更加有效的去除硅片两面表面损伤层。
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1.一种硅片研磨去除量测量装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅片研磨去除量测量装置，其特征在于，每个所述夹持臂上设置有通孔，所述通孔内可滑动的设置所述导电柱。
3.根据权利要求2所述的硅片研磨去除量测量装置，其特征在于，所述通孔的侧壁上嵌设有所述导电块。
4.根据权利要求1所述的硅片研磨去除量测量装置，其特征在于，所述夹持臂复用为所述导电块。
5.根据权利要求1所述的硅片研磨去除量测量装置，其特征在于，还包括第二测量结构，所述第二测量结构被配置为测量待测硅片的整体的研磨去除量，所述第二测量结构包括：
【技术特征摘要】
1.一种硅片研磨去除量测量装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅片研磨去除量测量装置，其特征在于，每个所述夹持臂上设置有通孔，所述通孔内可滑动的设置所述导电柱。
3.根据权利要求2所述的硅片研磨去除量测量装置，其特征在于，所述通孔的侧壁上嵌设有所...
【专利技术属性】
技术研发人员：鲁晶鑫，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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