【技术实现步骤摘要】
本技术涉及机电控制,尤其是一种高压抱闸电路。
技术介绍
1、传统的低压抱闸电路难以支撑高锁定力矩的抱闸电流,同时大容量电源的设计也较为困难,这就需要提升抱闸线圈的工作电压,以降低抱闸电流,因此,高压抱闸电路应运而生。
2、目前的高压抱闸电路一般采用buck电路,通过buck电路将母线电压转换成直流电压为抱闸线圈供电,以抱闸线圈的输入电压为控制对象,控制抱闸线圈的吸合与抱死,这种控制方式的响应速度低,无法满足抱闸线圈的应用需求。同时,由于母线电压的范围较宽,buck电路中所需的电感量较大,所用的磁环电感尺寸及散热量较大,且存在振动失效的风险,降低了高压抱闸电路的可靠性。
技术实现思路
1、本专利技术人针对上述问题及技术需求,提出了一种高压抱闸电路。
2、本技术的技术方案如下:
3、一种高压抱闸电路,其特征在于,包括:
4、微控制模块;
5、抱闸线圈模块,至少包括抱闸线圈本体;
6、整流控制模块,与抱闸线圈模块以及光耦隔离模块适配连接,用于向抱闸线圈模块提供所需的控制电流,包括适配连接的第一桥臂以及第二桥臂,所述第一桥臂至少包括开关器件q1,所述第二桥臂至少包括开关器件q2;
7、抱闸检测模块,与微控制模块以及抱闸线圈模块适配连接,用于检测抱闸线圈本体的工作状态信息,所述工作状态信息至少包括抱闸线圈本体的工作电流以及工作电压;
8、光耦隔离模块,与微控制模块以及整流控制模块适配连接,用于实现
9、基于抱闸检测模块所检测的工作状态信息,所述微控制模块通过光耦隔离模块控制开关器件q1以及开关器件q2的导通状态,开关器件q1以及开关器件q2同时导通期间,开关器件q1、开关器件q2以及抱闸线圈本体构成一控制电流回路,通过控制电流控制抱闸线圈本体的工作状态。
10、其进一步的技术方案为,所述第一桥臂还包括二极管d1,所述第二桥臂还包括二极管d2;
11、所述抱闸线圈模块还包括第一输入端以及第二输入端,其中,
12、所述开关器件q1的第二电极端与二极管d1的阴极连接,并作为第一节点,所述第一节点与抱闸线圈模块的第一输入端连接;
13、所述开关器件q2的第一电极端与二极管d2的阳极连接,并作为第二节点,所述第二节点与抱闸线圈模块的第二输入端连接;
14、所述开关器件q1的第一电极端与二极管d2的阴极连接,所述开关器件q2的第二电极端与二极管d1的阳极连接。
15、其进一步的技术方案为,所述整流控制模块还包括保护单元,所述保护单元包括稳压保护子单元、电容保护子单元和/或电阻保护子单元。
16、其进一步的技术方案为,所述稳压保护子单元包括第一稳压保护子单元和/或第二稳压保护子单元;
17、所述第一稳压保护子单元包括稳压二极管zd1以及稳压二极管zd2;
18、所述稳压二极管zd1的阴极与开关器件q1的第三电极端连接,稳压二极管zd1的阳极与稳压二极管zd2的阳极连接,稳压二极管zd2的阴极与开关器件q1的第二电极端连接;
19、所述第二稳压保护子单元包括稳压二极管zd3以及稳压二极管zd4;
20、所述稳压二极管zd3的阴极与开关器件q2的第三电极端连接,稳压二极管zd3的阳极与稳压二极管zd4的阳极连接,稳压二极管zd4的阴极与开关器件q2的第二电极端连接。
21、其进一步的技术方案为,所述电容保护子单元包括电容c1,所述电容c1的一端与开关器件q1的第一电极端以及二极管d2的阴极连接,所述电容c1的另一端与开关器件q2的第二电极端以及二极管d1的阳极连接。
22、其进一步的技术方案为,所述电阻保护子单元包括电阻rg1以及电阻rg2;
23、所述电阻rg1的一端与光耦隔离模块连接,电阻rg1的另一端与开关器件q1的第三电极端连接;
24、所述电阻rg2的一端与光耦隔离模块连接,电阻rg2的另一端与开关器件q2的第三电极端连接。
25、其进一步的技术方案为,所述抱闸线圈模块还包括保险丝f1以及保险丝f2,其中,
26、所述抱闸线圈本体通过保险丝f1与第一输入端连接;
27、所述抱闸线圈本体通过保险丝f2与第二输入端连接。
28、其进一步的技术方案为,所述微控制模块包括mcu处理器,包括模拟量输入引脚以及控制信号引脚,其中,
29、所述模拟量输入引脚与抱闸检测模块连接,用于接收检测结果;
30、所述控制信号引脚与光耦隔离模块连接。
31、其进一步的技术方案为,所述光耦隔离模块包括光电耦合器ic1、光电耦合器ic2、电阻r1以及开关单元,其中,
32、光电耦合器ic1以及光电耦合器ic2的型号均为hcnw3120;
33、对于任一光电耦合器,包括a引脚、k引脚、vcc引脚、vo引脚以及vee引脚,其中,
34、光电耦合器ic1的k引脚与光电耦合器ic2的a引脚连接;
35、光电耦合器ic1的a引脚通过电阻r1与电压源vd连接;
36、光电耦合器ic1的vo引脚与整流控制模块连接;
37、光电耦合器ic1的vcc引脚接入电压源vh1,vee引脚接入电压源vh2;
38、光电耦合器ic2的k引脚通过开关单元与所述控制信号引脚连接;
39、光电耦合器ic2的vcc引脚接入电压源vl1,vee引脚接入电压源vl2。
40、其进一步的技术方案为,所述开关单元包括三极管q3,三极管q3的基极与所述控制信号引脚连接,三极管q3的集电极与k引脚连接,三极管q3的发射极接地。
41、本技术的有益技术效果是:
42、本技术提供的高压抱闸电路中以抱闸电流为控制对象,mcu处理器通过配置控制电流回路中开关器件q1以及开关器件q2的导通状态,控制抱闸线圈本体的抱闸电流,从而控制抱闸线圈本体的工作状态。上述控制方式可以实现抱闸线圈的快速吸合与抱死,提高了高压抱闸电路的响应速度。
43、并且,该高压抱闸电路未增加新的磁环电感,以抱闸线圈自身电感对电流进行滤波。有效减小了抱闸电路的体积及内部的发热源,并且避免质量较重的电感出现振动失效的风险,提高了高压抱闸电路的可靠性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种高压抱闸电路,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的高压抱闸电路,其特征在于,所述第一桥臂还包括二极管D1,所述第二桥臂还包括二极管D2;
3.根据权利要求1所述的高压抱闸电路,其特征在于,所述整流控制模块还包括保护单元,所述保护单元包括稳压保护子单元、电容保护子单元和/或电阻保护子单元。
4.根据权利要求3所述的高压抱闸电路,其特征在于,所述稳压保护子单元包括第一稳压保护子单元和/或第二稳压保护子单元;
5.根据权利要求3所述的高压抱闸电路,其特征在于,所述电容保护子单元包括电容C1,所述电容C1的一端与开关器件Q1的第一电极端以及二极管D2的阴极连接,所述电容C1的另一端与开关器件Q2的第二电极端以及二极管D1的阳极连接。
6.根据权利要求3所述的高压抱闸电路,其特征在于,所述电阻保护子单元包括电阻RG1以及电阻RG2;
7.根据权利要求1所述的高压抱闸电路,其特征在于,所述抱闸线圈模块还包括保险丝F1以及保险丝F2,其中,
8.根据权利要求1所述的高压抱闸电路,其特征在于,所述
9.根据权利要求8所述的高压抱闸电路,其特征在于,所述光耦隔离模块包括光电耦合器IC1、光电耦合器IC2、电阻R1以及开关单元,其中,
10.根据权利要求9所述的高压抱闸电路,其特征在于,所述开关单元包括三极管Q3,三极管Q3的基极与所述控制信号引脚连接,三极管Q3的集电极与K引脚连接,三极管Q3的发射极接地。
...【技术特征摘要】
1.一种高压抱闸电路,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的高压抱闸电路,其特征在于,所述第一桥臂还包括二极管d1,所述第二桥臂还包括二极管d2;
3.根据权利要求1所述的高压抱闸电路,其特征在于,所述整流控制模块还包括保护单元,所述保护单元包括稳压保护子单元、电容保护子单元和/或电阻保护子单元。
4.根据权利要求3所述的高压抱闸电路,其特征在于,所述稳压保护子单元包括第一稳压保护子单元和/或第二稳压保护子单元;
5.根据权利要求3所述的高压抱闸电路,其特征在于,所述电容保护子单元包括电容c1,所述电容c1的一端与开关器件q1的第一电极端以及二极管d2的阴极连接,所述电容c1的另一端与开关器件q2的第二电极端以及二极管d1的阳极连接。
【专利技术属性】
技术研发人员:曲振帅,徐四向,
申请(专利权)人:江苏索力德普半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。