【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种复合薄膜及其制备方法。
技术介绍
1、复合薄膜能够满足电子元器件向小型化、低功耗以及高性能方向发展的要求，因此，其在半导体行业成为越来越重要的材料。复合薄膜至少包括依次层叠的缺陷层和隔离层，厚度超过7μm的隔离层能够阻隔隔离层两侧薄膜层的信号串扰，缺陷层能够进一步优化电子元器件的性能。
2、相关技术中，通常采用常规的层叠制备的方式制备复合薄膜，即在缺陷层的表面制备隔离层。
3、然而，由于缺陷层对于工艺温度的要求，在缺陷层的表面直接制备厚度超过7μm的隔离层所耗费的时间较长，生产效率较低。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，以解决相关技术中由于缺陷层对于工艺温度的要求，在缺陷层的表面制备厚度超过7μm的隔离层所耗费的时间较长，生产效率较低的技术问题。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
3、在第一衬底层表面制备第一隔离层得到第一结合体；
4、在第二衬底层表面制备缺陷层得到第二结合体；
5、将功能层的表面与第一结合体中第一隔离层的表面键合，得到第一键合体；
6、去除第一键合体表面的第一衬底层得到第二键合体；
7、将第二结合体与第二键合体键合得到复合薄膜。
8、在一种可行的实现方式中，在缺陷层和功能层之间形成隔离层，隔离层至少包括第一隔离层。
9、在一种可行的实现方式中，第一隔
10、在一种可行的实现方式中，将第二结合体与第二键合体键合得到复合薄膜，具体包括以下步骤：
11、将第二结合体中缺陷层的表面与第二键合体中第一隔离层的表面分别进行活化处理，以将第二结合体与第二键合体键合得到复合薄膜。
12、在一种可行的实现方式中，在第二衬底层表面制备缺陷层得到第二结合体具体包括以下步骤：
13、对第二衬底层表面进行沉积制备缺陷层后，在缺陷层表面制备第二隔离层得到第二结合体；其中，第一隔离层的厚度和第二隔离层的厚度之和等于隔离层的厚度，第二隔离层的厚度小于第一隔离层的厚度。
14、在一种可行的实现方式中，将第二结合体与第二键合体键合得到复合薄膜，具体包括以下步骤：
15、将第二结合体中第二隔离层的表面与第二键合体中第一隔离层的表面分别进行活化处理，以将第二结合体与第二键合体键合得到复合薄膜。
16、在一种可行的实现方式中，采用热氧化或者沉积的方式制备第二隔离层。
17、在一种可行的实现方式中，隔离层的厚度为7μm～25μm。
18、在一种可行的实现方式中，将第二结合体与第二键合体键合得到复合薄膜的步骤之后还包括：
19、将复合薄膜中的功能层进行研磨减薄至目标厚度得到目标复合薄膜。
20、在一种可行的实现方式中，将功能层与第一结合体中第一隔离层的表面键合，得到第一键合体具体包括以下步骤：
21、将功能层的表面与第一结合体中第一隔离层的表面分别进行活化，以将功能层与第一键合体键合，得到第一键合体。
22、在一种可行的实现方式中，第一衬底层采用硅或soi；
23、第二衬底层采用硅、soi、石英、蓝宝石、或碳化硅中的一种材料。
24、在一种可行的实现方式中，功能层采用铌酸锂晶体材料、磷酸钛氧钾晶体材料、或磷酸钛氧铷晶体材料中的一种材料。
25、第二方面，本申请实施例还提供了一种复合薄膜，采用第一方面任一技术方案中的一种复合薄膜的制备方法制备，复合薄膜至少包括依次层叠的第二衬底层、缺陷层、隔离层和功能层；其中，隔离层的厚度为7μm～25μm。
26、第一方面，本申请实施例还提供了一种复合薄膜的制备方法，通过分别在第一衬底层表面制备第一隔离层，在第二衬底表面制备缺陷层，再将制备好的第二结合体和第二键合体键合得到具有缺陷层，且隔离层厚度较厚的能够优化电子器件性能的复合薄膜。本申请实施例中通过对缺陷层和第一隔离层进行分别制备，能够避免在缺陷层表面制备第一隔离层时，为了减少温度对缺陷层晶格的影响，限制制备第一隔离层的温度，从而使得第一隔离层制备时间较长。因此，通过本申请实施例的设置，能够缩短第一隔离层的制备时长，提高生产效率。通过本申请实施例的设置，提供了一种制备能够优化电子器件性能复合薄膜的制备方法，且该制备方法制备复合薄膜生产时间较短，生产效率较高。
27、第二方面，本申请实施例提供了一种复合薄膜，复合薄膜至少包括依次层叠的第二衬底层、缺陷层、隔离层和功能层，其中，将隔离层的厚度设置为7μm～25μm，通过较大厚度的隔离层的设置能够阻隔缺陷层和功能层之间的信号串扰，且在隔离层表面设置缺陷层能够进一步优化电子器件的性能。因此，通过本申请实施例的设置，提供了一种能够有效阻隔缺陷层和功能层之间信号串扰，且能够优化电子器件性能的复合薄膜。
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1.一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，在所述缺陷层(105)和所述功能层(103)之间形成隔离层(107)，所述隔离层(107)至少包括所述第一隔离层(102)。
3.根据权利要求2所述的一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一隔离层(102)的厚度等于所述隔离层(107)的厚度。
4.根据权利要求3所述的一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述将所述第二结合体(14)与所述第二键合体(13)键合得到复合薄膜，具体包括以下步骤：
5.根据权利要求2所述的一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述在第二衬底层(104)表面制备缺陷层(105)得到第二结合体(14)具体包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述将所述第二结合体(14)与所述第二键合体(13)键合得到复合薄膜，具体包括以下步骤：
7.根据权利要求5所述的一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，采用热氧化或者沉积的方式制备所述第二隔离层(
8.根据权利要求1-7任一项所述的一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述隔离层(107)的厚度为7μm～25μm。
9.根据权利要求1-7任一项所述的一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述将所述第二结合体(14)与所述第二键合体(13)键合得到复合薄膜的步骤之后还包括：
10.根据权利要求1-7任一项所述的一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述将所述功能层(103)的表面与所述第一结合体(11)中所述第一隔离层(102)的表面键合，得到第一键合体(12)具体包括以下步骤：
11.根据权利要求1-7任一项所述的一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一衬底层(101)采用硅或SOI；
12.根据权利要求1-7任一项所述的一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述功能层(103)采用铌酸锂晶体材料、磷酸钛氧钾晶体材料、或磷酸钛氧铷晶体材料中的一种材料。
13.一种复合薄膜，其特征在于，采用权利要求1-12任一项所述的一种复合薄膜的制备方法制备，所述复合薄膜至少包括依次层叠的第二衬底层(104)、缺陷层(105)、隔离层(107)和功能层(103)；其中，所述隔离层(107)的厚度为7μm～25μm。
...【技术特征摘要】
1.一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，在所述缺陷层(105)和所述功能层(103)之间形成隔离层(107)，所述隔离层(107)至少包括所述第一隔离层(102)。
3.根据权利要求2所述的一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一隔离层(102)的厚度等于所述隔离层(107)的厚度。
4.根据权利要求3所述的一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述将所述第二结合体(14)与所述第二键合体(13)键合得到复合薄膜，具体包括以下步骤：
5.根据权利要求2所述的一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述在第二衬底层(104)表面制备缺陷层(105)得到第二结合体(14)具体包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述将所述第二结合体(14)与所述第二键合体(13)键合得到复合薄膜，具体包括以下步骤：
7.根据权利要求5所述的一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，采用热氧化或者沉积的方式制备所述第二隔离层(106)。
8.根据权利要求1-7任一项所...
【专利技术属性】
技术研发人员：连坤，周丽雪，张涛，陈明珠，刘桂银，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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