【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，特别涉及一种发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，led)是一种半导体发光器件，具有较高的转换效率，广泛应用于照明、显示屏、汽车、通信等领域。
2、现有的发光二极管一般包括基板和设置于基板上方的半导体叠层，半导体叠层自上而下包括依次叠置的第一半导体层、有源层和第二半导体层，基板和半导体叠层之间自上而下至少依次叠置反射层和金属保护层，反射层与第二半导体层电连接，金属保护层整面覆盖于反射层背离第二半导体层的表面，且包裹反射层的侧面。由于反射层和金属保护层均存在薄膜应力，且金属保护层的张应力抵消反射层的压应力，因此，反射层的膜层变平，变平后的反射层对光束的汇聚效果会变差，导致发光二极管的光效降低。
3、为了提高发光二极管的光效，本申请提供了一种发光二极管及发光装置。
技术实现思路
1、鉴于现有技术中发光二极管的缺陷及不足，本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管将除导电孔之外的半导体叠层对应的区域的金属保护层，设置为具有至少一个间断区域的结构，且间断区域不含金属保护层的金属，使得反射层的两侧向半导体叠层一侧收缩，中间向金属保护层一侧凸出，反射层形成的上述结构的反射率高于平整的反射层的反射率，上述结构有利于光束汇聚，能够提高发光二极管的光效。
2、本申请的一实施例，提供一种发光二极管，包括：
3、半导体叠层，所述半导体叠层包括依次叠置的第一半导体层、有源层
4、反射层，所述反射层设置于所述第二半导体层远离所述有源层的一侧；
5、金属保护层，所述金属保护层设置于所述反射层远离所述第二半导体层的一侧；
6、其中，除所述导电孔之外的所述半导体叠层对应的区域，所述金属保护层具有至少一个间断区域，所述间断区域不含所述金属保护层金属。
7、根据本申请的另一实施例，提供了一种发光装置，包括线路板和设置于所述线路板上的多个发光单元，所述发光单元包括本申请所述的发光二极管。
8、如上所述，本申请的发光二极管及发光装置，具有以下有益效果：
9、本申请的发光二极管通过将除导电孔之外的半导体叠层对应的区域的金属保护层，设置为具有至少一个间断区域的结构，使得金属保护层的张应力未完全作用在整个反射层的膜层上，金属保护层的张应力未完全抵消反射层的压应力，反射层在压应力的作用下，其两侧向半导体叠层一侧收缩，中间向金属保护层一侧凸出，反射层形成的上述结构的反射率高于平整的反射层的反射率，上述结构有利于光束汇聚，能够提高发光二极管的光效。
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1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属保护层具有多个所述间断区域，多个所述间断区域平行间隔设置。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，相邻所述间断区域之间的距离介于
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述间断区域的宽度介于1μm～
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属保护层的厚度介于50nm～
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述反射层的厚度介于10nm～1000nm。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属保护层背离所述反射层的一侧设置第一绝缘层，且所述间断区域设置所述第一绝缘层。
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述第一绝缘层背离所述金属保护层的一侧设置金属层。
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述金属层背离所述第一绝缘层的一侧设置基板。
10.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述导电孔
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属保护层靠近所述反射层的一侧具有未被所述半导体叠层覆盖的区域，所述区域内设置有电极，所述电极与所述金属保护层电连接。
12.一种发光装置，其特征在于，包括线路板和设置于所述线路板上的多个发光单元，所述发光单元包括权利要求1～11任一项所述的发光二极管。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属保护层具有多个所述间断区域，多个所述间断区域平行间隔设置。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，相邻所述间断区域之间的距离介于
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述间断区域的宽度介于1μm～
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属保护层的厚度介于50nm～
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述反射层的厚度介于10nm～1000nm。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属保护层背离所述反射层的一侧设置第一绝缘层，且所述间断区域设置所述第一绝缘层。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：杨欣欣，韩涛，谢昆达，周弘毅，邓有财，蔡家豪，陈铭欣，张家豪，张中英，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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