【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在卸载过程期间从支撑台卸载物体的方法、一种光刻设备、一种用于保持物体的光刻设备的支撑台的真空系统、以及一种定位装置。
技术介绍
1、光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(ic)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也常常被称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
2、为了将图案投影到衬底上，所述光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定了在衬底上被形成图案的特征的最小尺寸。当前使用的典型的波长是365nm(i-线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如193nm波长的辐射的光刻设备相比，可以使用波长在4nm至20nm范围内(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外线(euv)辐射的光刻设备以在衬底上形成更小的特征。
3、浸没技术已被引入到光刻系统中，使得能够改善较小特征的分辨率。在浸没式光刻设备中，具有相对高折射率的浸没液体的液体层被插置于所述设备的投影系统(通过所述投影系统，被形成图案的束朝向衬底投影)与衬底之间的空间中。所述浸没液体最后覆盖位于所述投影系统的最终元件下方的衬底的部分。因此，至少衬底的经受曝光的部分被浸没在液体中。所述浸没液体的效果是能够对较小特征进行成像，因为曝光辐射在浸没液体中的波长将比在气体中的波长更短。所述液体的效果也可以被认为是增加了系统的有效数值孔径(na)并且也增加了焦深。
4、在商业浸没式光刻术中，浸没液体是水。通常
5、在本说明书中，将在说明中提及局部浸没，其中浸没液体在使用时被限制于最终元件与面向最终元件的表面之间的空间。面向的表面是衬底的表面，或者是与衬底的表面共面的支撑台(或衬底支撑件)的表面。(请注意，除非另有明确说明，否则下文中对衬底的表面的提及也另外或替代地指的是衬底支撑件的表面；反之亦然)。在投影系统与平台之间存在流体处理结构，用于将浸没液体限制于所述空间。由浸没液体填充的空间在平面中小于衬底的顶部表面，并且当衬底与衬底平台在下面移动的同时，所述空间相对于投影系统保持基本静止。
6、已设想了其它浸没系统，诸如无限制浸没系统(所谓的“全湿式(all wet)”浸没系统)和浴器浸没系统。在无限制浸没系统中，浸没液体覆盖超过最终元件下方的表面。所述空间外侧的液体以薄的液体膜的形式存在。浸没液体可以覆盖衬底的整个表面，或甚至可以覆盖衬底以及与衬底共面的支撑台。在浴器类型的系统中，衬底被完全浸没在浸没液体的浴器中。
7、流体处理结构是这样一种结构：其供应所述浸没液体至所述空间，从所述空间去除所述浸没液体，且由此将浸没液体限制于所述空间。它包括作为流体供应系统的一部分的特征。图2和图3示出了可以在这样的系统中使用的不同供应装置。流体处理结构沿介于投影系统的最终元件与支撑台或衬底之间的空间的边界的至少一部分延伸，以便部分地限定所述空间。
8、所述流体处理结构可以具有不同功能的选择。每个功能可以从使流体处理结构能够实现所述功能的相应特征得到。流体处理结构可以用许多不同术语来指代，每个术语都指代功能，诸如阻挡构件、密封构件、流体供应系统、流体去除系统、液体限制结构等。
9、作为阻挡构件，所述流体处理结构是针对所述浸没液体从所述空间流动的阻挡构件。作为液体限制结构，所述结构将浸没液体限制于所述空间。作为密封构件，流体处理结构的密封特征形成密封以将浸没液体限制于所述空间。密封特征可以包括来自密封构件的表面中的开口的额外的气流，诸如气刀。
10、在浸没设备中，液体(例如水)弯液面被稳定在介于衬底的背侧与支撑台的顶部之间的密封处。当从支撑台去除衬底时，这种液体的一部分可能保留在衬底上和在支撑台上。当从支撑台上去除衬底时，期望减少保留在衬底上和/或支撑台上的液体的量。
技术实现思路
1、根据本专利技术的方面，提供了一种在卸载过程期间从支撑台卸载物体的方法，所述物体在曝光过程期间通过以下方式被夹持到支撑台：
2、向物体的中心部分下方的支撑台的中心区域施加第一压力；和
3、向物体的周缘部分下方的支撑台的周缘区域施加第二压力，其中在夹持期间控制所述第一压力和所述第二压力，使得所述液体被保持在物体与密封构件之间，所述密封构件在支撑台的上表面处径向地定位于所述中心区域与所述周缘区域之间，并且朝向所述物体突出，所述方法包括：
4、朝向环境压力增大第一压力；
5、通过减小第二压力来去除保持在物体与密封构件之间的液体中的至少一些液体；和
6、朝向环境压力增大第二压力。
7、根据本专利技术的方面，提供了一种光刻设备，包括：
8、用于保持物体的支撑台，所述支撑台包括：
9、第一通道，所述第一通道用于向物体的中心部分下方的所述支撑台的中心区域施加第一压力；
10、第二通道，所述第二通道用于向物体的周缘部分下方的所述支撑台的周缘区域施加第二压力；和
11、密封构件，所述密封构件在所述支撑台的上表面处径向地定位于所述第一通道与所述第二通道之间，且朝向所述物体突出；和
12、控制器，所述控制器适于：
13、控制在曝光过程期间所述第一压力和所述第二压力的施加，使得所述液体在曝光过程期间保持在所述物体与所述密封构件之间；
14、朝向环境压力增大所述第一压力；
15、减小所述第二压力，使得去除保持在所述物体与所述密封构件之间的液体中的至少一些液体；和
16、在卸载过程期间朝向所述环境压力增大所述第二压力。
17、根据本专利技术的方面，提供了一种用于光刻设备的衬底台和支撑台的真空系统，所述支撑台用于保持物体，所述真空系统包括流动回路，所述流动回路包括：
18、第一压力回路，所述第一压力回路包括第一真空压力线路，所述第一真空压力线路配置成将所述支撑台夹持至所述衬底台；
19、第二压力回路，所述第二压力回路包括：
20、第二真空压力线路，所述第二真空压力线路配置成向所述物体的周缘部分下方的所述支撑台的周缘区域施加第二压力；
21、第三真空压力线路，所述第三真空压力线路配置成向所述物体的中心部分下方的所述支撑台的中心区域施加第一压力，以便将所述物体夹持至所述支撑台；
22、真空装置，所述真空装置配置成向所述第二压力回路提供压力；和
23、第四真空压力线路，所述第四真空压力线路从第二压力回路分支；
24本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于光刻设备的真空系统，所述真空系统包括：
2.根据权利要求1所述的真空系统，还包括第一流量控制器，所述第一流量控制器用于控制所述第二压力线路中的压力。
3.一种用于光刻设备的真空系统，所述真空系统包括：
4.一种用于光刻设备的真空系统，所述真空系统包括：
5.一种用于平台系统的真空系统，所述平台系统包括支撑台和衬底台，所述真空系统包括：
6.一种用于光刻设备的真空系统，所述真空系统包括：
7.一种支撑台，所述支撑台配置成支撑光刻设备中的衬底，所述支撑台包括：
8.一种用于对光刻设备的支撑台进行定位的定位装置，所述定位装置包括根据权利要求1至6中任一项所述的真空系统。
9.一种光刻设备，包括：
10.一种计算机程序产品，其上包括指令，所述指令在由一个或更多个处理器执行时配置成使所述一个或更多个处理器至少：
【技术特征摘要】
1.一种用于光刻设备的真空系统，所述真空系统包括：
2.根据权利要求1所述的真空系统，还包括第一流量控制器，所述第一流量控制器用于控制所述第二压力线路中的压力。
3.一种用于光刻设备的真空系统，所述真空系统包括：
4.一种用于光刻设备的真空系统，所述真空系统包括：
5.一种用于平台系统的真空系统，所述平台系统包括支撑台和衬底台，所述真空系统包括：
6.一...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·德西蒙，M·A·P·范德赫乌维尔，T·S·M·劳伦特，R·H·M·J·布洛克斯，N·J·J·罗塞特，J·J·H·格里特曾，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。