一种SoC芯片高密度大尺寸FBGA封装散热结构制造技术

技术编号:42031297 阅读:5 留言:0更新日期:2024-07-16 23:19
本技术涉及一种SoC芯片高密度大尺寸FBGA封装散热结构,该SoC芯片高密度大尺寸FBGA封装散热结构包括基板,基板上设有封装盖板,封装盖板与基板之间所形成的空间内设有N组自下而上堆叠设置的芯片,每组芯片位于最上方的芯片与封装盖板之间通过金刚石片相连接,每组芯片的两侧均设有一块与封装盖板固接的导热板,其中N大于等于1;封装盖板的内部以及每块导热板的内部均设有空腔,空腔内填充有冷却介质,过金刚石片与导热胶将芯片产生的热疗更好的传递至封装盖板上,同时导热板内部以及封装盖板内部的冷却介质与芯片进行换热,进一步提高对芯片的散热效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及芯片封装结构,更具体的是涉及一种soc芯片高密度大尺寸fbga封装散热结构。


技术介绍

1、芯片封装是将芯片与外部连接的过程,通过封装实现芯片的功能完整性和稳定性,芯片封装起到保护芯片、提供链接与可靠型,随着科技的发展,对芯片的技术要求也随之提升,在此过程中,对于芯片散热的效率也至关重要;

2、现有的部分针对soc芯片高密度大尺寸fbga封装工艺中,仅采用在封装盖板上增设铝制散热片的形式将芯片产生的热量传递至外界,而此种封装工艺中,芯片与封装盖板之间存在间隙,散热片无法有效的对封装盖板下的芯片进行散热,使得散热效率降低,芯片长时间工作时,热量在封装盖板与基板之间的空间内不断堆积,致使芯片的工作效率下降。


技术实现思路

1、本技术的目的在于,提供一种soc芯片高密度大尺寸fbga封装散热结构,用以现有的部分针对soc芯片高密度大尺寸fbga封装工艺中,芯片与封装盖板之间存在间隙,同时仅采用在封装盖板上增设铝制散热片的形式将芯片产生的热量传递至外界,芯片长时间工作时,热量在封装盖板与基板之间的空间内不断堆积,致使芯片的工作效率下降的问题。

2、为实现上述目的,本技术提供一种soc芯片高密度大尺寸fbga封装散热结构,包括基板,基板上设有封装盖板,封装盖板与基板之间所形成的空间内设有n组自下而上堆叠设置的芯片,每组芯片位于最上方的芯片与封装盖板之间通过金刚石片相连接,每组芯片的两侧均设有一块与封装盖板固接的导热板,其中n大于等于1;封装盖板的内部以及每块导热板的内部均设有空腔,空腔内填充有冷却介质。

3、进一步的,每块导热板内的空腔与封装盖板内的空腔相连通。

4、进一步的,该芯片封装散热结构还包括开设于封装盖板周向侧壁上的通槽,每个通槽内均设有一个第一微型风扇。

5、进一步的,每个第一微型风扇均向外倾斜设置。

6、进一步的,基板上还设有第二微型风扇,第二微型风扇与基板之间通过若干凸块相连接。

7、进一步的,基板上设有框型凸起,封装盖板周向侧壁底面开设有与框型凸起相适配的框型凹槽。

8、进一步的,每个金刚石片的顶面和底面分别通过导热胶与封装盖板及最上方芯片之间相连接。

9、本技术与现有技术相比,其显著优点是:

10、1、通过金刚石片与导热胶将芯片产生的热量更好的传递至封装盖板上,以便于芯片的散热工作,同时导热板内部以及封装盖板内部的冷却介质与芯片进行换热,更加便于对芯片的散热工作;

11、2、通过第二微型风扇对封装盖板与基板之间所形成空间内部的空气进行搅动,提高空气流速,同时在封装盖板四周的第一微型风扇将芯片所产生的热量排至外界,以此与封装盖板及导热板中的冷却介质相互配合,进一步对芯片进行降温工作;

12、3、在封装盖板进行安装时,导热板对芯片起到稳固及限位的作用,同时,基板上的框型凸起与封装盖板底面的框型凹槽相互配合,提高了安装效率,增加了封装盖板的稳定。

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【技术保护点】

1.一种SoC芯片高密度大尺寸FBGA封装散热结构,其特征在于,包括基板(1),基板(1)上设有封装盖板(2),封装盖板(2)与基板(1)之间所形成的空间内设有N组自下而上堆叠设置的芯片(3),每组芯片(3)位于最上方的芯片(3)与封装盖板(2)之间通过金刚石片(4)相连接,每组芯片(3)的两侧均设有一块与封装盖板(2)固接的导热板(5),其中N大于等于1;所述封装盖板(2)的内部以及每块导热板(5)的内部均设有空腔,空腔内填充有冷却介质。

2.根据权利要求1所述的一种SoC芯片高密度大尺寸FBGA封装散热结构,其特征在于:每块导热板(5)内的空腔与封装盖板(2)内的空腔相连通。

3.根据权利要求1所述的一种SoC芯片高密度大尺寸FBGA封装散热结构,其特征在于:该芯片(3)封装散热结构还包括开设于封装盖板(2)周向侧壁上的通槽,每个通槽内均设有一个第一微型风扇(6)。

4.根据权利要求3所述的一种SoC芯片高密度大尺寸FBGA封装散热结构,其特征在于:每个第一微型风扇(6)均向外倾斜设置。

5.根据权利要求1或4所述的一种SoC芯片高密度大尺寸FBGA封装散热结构,其特征在于:所述基板(1)上还设有第二微型风扇(7),第二微型风扇(7)与基板(1)之间通过若干凸块相连接。

6.根据权利要求1所述的一种SoC芯片高密度大尺寸FBGA封装散热结构,其特征在于:所述基板(1)上设有框型凸起(8),所述封装盖板(2)周向侧壁底面开设有与框型凸起(8)相适配的框型凹槽(9)。

7.根据权利要求1所述的一种SoC芯片高密度大尺寸FBGA封装散热结构,其特征在于:每个所述金刚石片(4)的顶面和底面分别通过导热胶(10)与封装盖板(2)及最上方芯片(3)之间相连接。

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【技术特征摘要】

1.一种soc芯片高密度大尺寸fbga封装散热结构,其特征在于,包括基板(1),基板(1)上设有封装盖板(2),封装盖板(2)与基板(1)之间所形成的空间内设有n组自下而上堆叠设置的芯片(3),每组芯片(3)位于最上方的芯片(3)与封装盖板(2)之间通过金刚石片(4)相连接,每组芯片(3)的两侧均设有一块与封装盖板(2)固接的导热板(5),其中n大于等于1;所述封装盖板(2)的内部以及每块导热板(5)的内部均设有空腔,空腔内填充有冷却介质。

2.根据权利要求1所述的一种soc芯片高密度大尺寸fbga封装散热结构,其特征在于:每块导热板(5)内的空腔与封装盖板(2)内的空腔相连通。

3.根据权利要求1所述的一种soc芯片高密度大尺寸fbga封装散热结构,其特征在于:该芯片(3)封装散热结构还包括开设于封装盖板(2)周向侧壁上的通槽,每个通槽内...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈一杲王春华唐登锋刘镇海
申请(专利权)人:天芯电子科技江阴有限公司
类型:新型
国别省市:

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