【技术实现步骤摘要】
本技术属于碳化硅生长，涉及生长装置，尤其涉及一种生长坩埚盖与生长坩埚埚体双重升降旋转结合的热场调节方式的pvt法生长碳化硅单晶的生长装置。
技术介绍
1、pvt(physical vapor transport,物理气相沉积)法碳化硅(sic)单晶生长的基本过程包括原料分解升华、质量传输和在籽晶上结晶三个过程。当加热到一定的温度后原料主要分解为si、si2c、sic2气体。
2、在生长过程中，首要解决的是温场的均匀分布问题，以保证生长界面的均匀性，为二维层状生长。通常根据温场分布设计出的坩埚均为直通结构,如何对这种坩埚结构改造以降低晶体缺陷为当前碳化硅晶体生长中的趋势。
技术实现思路
1、为了解决上述问题，本技术提供了一种pvt法生长碳化硅单晶的生长装置，本技术将传统结构的单一生长坩埚的的升降旋转的热场调节方式改由生长坩埚盖与生长坩埚埚体双重升降旋转结合的热场调节方式，通过这样的改变，使得生长过程中的热场的变化变得可控，料面距可控的灵活性大大提高，可以更精细的控制热场的轴径向温度梯度。使得晶体生长形核初期均匀形核，减少缺陷，提高晶体生长质量，同时另一方面能够大幅度的提高碳化硅粉料的利用率，为企业带来效益。
2、为了实现上述目的，本技术采用以下技术方案：
3、本技术提供了一种pvt法生长碳化硅单晶的生长装置，包括生长坩埚，籽晶，生长坩埚盖与加热装置，所述生长坩埚盖的上部固定设置有第一升降装置，所述生长坩埚的下部固定设置有第二升降装置，所述生长坩埚与
4、作为本技术的一种优选方案，重叠的相对移动部分占生长坩埚高度的10％-30％。
5、作为本技术的一种优选方案，所述第一升降装置位于所述生长坩埚盖上端的中心处。
6、作为本技术的一种优选方案，所述第二升降装置位于所述生长坩埚下端的中心处。
7、作为本技术的一种优选方案，所述第一升降装置与所述第二升降装置的中心线处于同一轴心线上。
8、作为本技术的一种优选方案，所述第一升降装置可旋转。
9、作为本技术的一种优选方案，所述第二升降装置可旋转。
10、作为本技术的一种优选方案，所述第一升降装置与所述第二升降装置单独升降或旋转。
11、与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：
12、1)本技术的生长装置使得生长过程中的热场的变化变得可控，料面距离可控的灵活性大大提高，可以更精细的控制热场的轴径向温度梯度。使得晶体生长形核初期均匀形核，减少缺陷，提高晶体生长质量。
13、2)本技术为后续的碳化硅单晶连续生长提供了思路。
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1.一种PVT法生长碳化硅单晶的生长装置，包括生长坩埚，籽晶，生长坩埚盖与加热装置，其特征在于，所述生长坩埚盖的上部固定设置有第一升降装置，所述生长坩埚的下部固定设置有第二升降装置，所述生长坩埚与所述生长坩埚盖之间具有重叠的相对移动部分。
2.根据权利要求1所述的一种PVT法生长碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，重叠的相对移动部分占生长坩埚高度的10％-30％。
3.根据权利要求1所述的一种PVT法生长碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述第一升降装置位于所述生长坩埚盖上端的中心处。
4.根据权利要求1所述的一种PVT法生长碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述第二升降装置位于所述生长坩埚下端的中心处。
5.根据权利要求3或4所述的一种PVT法生长碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述第一升降装置与所述第二升降装置的中心线处于同一轴心线上。
6.根据权利要求1所述的一种PVT法生长碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述第一升降装置可旋转。
7.根据权利要求1所述的一种PVT法生长碳化硅单晶的生长装置，其特征在
8.根据权利要求1所述的一种PVT法生长碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述第一升降装置与所述第二升降装置单独升降或旋转。
...【技术特征摘要】
1.一种pvt法生长碳化硅单晶的生长装置，包括生长坩埚，籽晶，生长坩埚盖与加热装置，其特征在于，所述生长坩埚盖的上部固定设置有第一升降装置，所述生长坩埚的下部固定设置有第二升降装置，所述生长坩埚与所述生长坩埚盖之间具有重叠的相对移动部分。
2.根据权利要求1所述的一种pvt法生长碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，重叠的相对移动部分占生长坩埚高度的10％-30％。
3.根据权利要求1所述的一种pvt法生长碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述第一升降装置位于所述生长坩埚盖上端的中心处。
4.根据权利要求1所述的一种pvt法生长碳化硅单晶的生...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱鑫煌，蒋琳，张龙昌，杨孝泽，罗俊仪，方政，
申请(专利权)人：乾晶半导体衢州有限公司，
类型：新型
国别省市：
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