喷嘴安装治具制造技术

技术编号:42029195 阅读:8 留言:0更新日期:2024-07-16 23:18
本技术涉及半导体制造技术领域,提供了一种喷嘴安装治具,包括:基体;所述基体上设置有与炉管内壁形状适配的装配面;所述基体上设置有至少两个平行的定位腔,所述定位腔用于容纳喷嘴。本技术中,在基体上设置有至少两个平行的定位腔,且基体上设置有用于与炉管内壁贴合的装配面,当基体贴合在炉管内壁时,可通过定位腔分别对喷嘴定位,保证位于定位腔内的喷嘴相互平行,利于提高喷嘴的安装效率和安装精度,进而保证经过喷嘴通入路管内的气体均匀分布。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造,特别涉及一种喷嘴安装治具


技术介绍

1、半导体材料的导电特性直接影响半导体的性能。

2、自然界中几乎不存在理想的、无任何缺陷的半导体晶体。无论是何种半导体材料,其内难以避免存在位错、杂质原子等缺陷。这些缺陷的存在都使得严格按周期性排列的晶体原子所产生的周期性势场受到破坏,进而在半导体中引入新的电子能级态,这将会严重影响半导体的导电等特性。

3、由于位错的类型、分布等较难控制,难以精准控制其对半导体导电性能的影响,因此一般希望半导体晶体内位错密度越小越好。

4、而杂质原子则不同,杂质的种类、含量、分布等都可在半导体晶体的制备过程中通过适当的方法进行控制,进而比较准确控制半导体的导电性能。因此,在工程实际中,人们往往利用掺杂来获取具有目标性能的半导体材料。

5、现有的掺杂方式主要有三种,即高温扩散、离子注入以及即时掺杂。

6、高温扩散是通过高温让晶体原子的热运动加剧,以使得某些原子获得足够高的能量而离开晶格位置、留下空位同时使得杂质原子能够进入到晶体中。

7、离子注入是把杂质原子电离成离子,并用强电场加速、让这些离子获得很高的动能,然后再直接轰击晶体、并“挤”进到里面去,经过离子注入以后,还必须要进行所谓退火处理,以消除这些缺陷和使杂质“激活"。

8、即时掺杂是在沉积晶体时,同时加入杂质气体,将杂质掺入晶体中,再退火。即时掺杂中气体通入是较为关键的工艺步骤,其通过喷嘴将杂质气体通入到炉管中,气体在炉管中分布的均匀性直接影响掺杂质量。如图1所示,当炉管内的喷嘴相互不平行时,各喷嘴通入的杂质气体流向角度具有偏差,导致路管内的杂质气体分布不均。

9、对于喷嘴的安装,现有的技术手段通过标准化安装保证喷嘴的安装精度,安装过程中,通过手动扶正喷嘴,并肉眼确认安装情况,安装完成后统一测量喷嘴与炉管内壁的平行度,以控制喷嘴的安装精度。该安装方式较为复杂,效率较低。

10、因此本技术提供一种喷嘴安装治具,通过该安装治具辅助喷嘴的安装,利于提高喷嘴的安装效率和安装精度。


技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种喷嘴安装治具,通过该安装治具辅助喷嘴的安装,利于提高喷嘴的安装效率和安装精度。

2、为了解决上述技术问题,本技术提供了一种喷嘴安装治具,包括:基体;

3、所述基体上设置有与炉管内壁形状适配的装配面;

4、所述基体上设置有至少两个平行的定位腔,所述定位腔用于容纳喷嘴。

5、可选地,所述装配面呈圆弧面。

6、可选地,所述定位腔为开设于所述基体上的凹槽,所述凹槽的开口端贯通至所述装配面。

7、可选地,所述定位腔沿所述装配面的轴向贯通设置于所述基体。

8、可选地,所述凹槽的槽底呈与喷嘴外轮廓适配的弧面。

9、可选地,所述基体至少包括第一基体和第二基体,所述第一基体和所述第二基体上均设置有至少一个所述定位腔,所述第一基体和所述第二基体相连,所述第一基体和所述第二基体可沿所述装配面的周向方向相对运动。

10、可选地,所述第一基体和/或所述第二基体上设有用于避让所述定位腔的缺口。

11、可选地,所述第一基体和所述第二基体上均设置有所述装配面,各所述装配面共面。

12、可选地,所述喷嘴安装治具还包括连接件;

13、所述第一基体和所述第二基体上设有连接孔,所述连接孔为条形孔且连接孔的长度方向沿所述装配面的周向方向延伸,所述连接件至少一部分位于两连接孔内,且所述第一基体和所述第二基体可沿所述连接孔的长度方向相对所述连接件滑动。

14、可选地,所述所述连接孔沿所述装配面的轴向方向贯通于基体,所述连接件沿所述轴向穿过两连接孔内并将所述第一基体和所述第二基体沿所述轴向锁紧。

15、综上所述,喷嘴安装治具包括:基体;所述基体上设置有与炉管内壁形状适配的装配面;所述基体上设置有至少两个平行的定位腔,所述定位腔用于容纳喷嘴。

16、如此配置,本技术中,在基体上设置有至少两个平行的定位腔,且基体上设置有用于与炉管内壁贴合的装配面,当基体贴合在炉管内壁时,可通过定位腔分别对喷嘴定位,保证位于定位腔内的喷嘴相互平行,利于提高喷嘴的安装效率和安装精度,进而保证经过喷嘴通入路管内的气体均匀分布。

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【技术保护点】

1.一种喷嘴安装治具,其特征在于,包括:基体;

2.如权利要求1所述的喷嘴安装治具,其特征在于,所述装配面呈圆弧面。

3.如权利要求1所述的喷嘴安装治具,其特征在于,所述定位腔为开设于所述基体上的凹槽,所述凹槽的开口端贯通至所述装配面。

4.如权利要求3所述的喷嘴安装治具,其特征在于,所述定位腔沿所述装配面的轴向贯通设置于所述基体。

5.如权利要求3所述的喷嘴安装治具,其特征在于,所述凹槽的槽底呈与喷嘴外轮廓适配的弧面。

6.如权利要求5所述的喷嘴安装治具,其特征在于,所述基体至少包括第一基体和第二基体,所述第一基体和所述第二基体上均设置有至少一个所述定位腔,所述第一基体和所述第二基体相连,所述第一基体和所述第二基体可沿所述装配面的周向方向相对运动。

7.如权利要求6所述的喷嘴安装治具,其特征在于,所述第一基体和/或所述第二基体上设有用于避让所述定位腔的缺口。

8.如权利要求6所述的喷嘴安装治具,其特征在于,所述第一基体和所述第二基体上均设置有所述装配面,各所述装配面共面。

9.如权利要求6所述的喷嘴安装治具,其特征在于,所述喷嘴安装治具还包括连接件;

10.如权利要求9所述的喷嘴安装治具,其特征在于,所述连接孔沿所述装配面的轴向方向贯通于基体,所述连接件沿所述轴向穿过两连接孔内并将所述第一基体和所述第二基体沿所述轴向锁紧。

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【技术特征摘要】

1.一种喷嘴安装治具,其特征在于,包括:基体;

2.如权利要求1所述的喷嘴安装治具,其特征在于,所述装配面呈圆弧面。

3.如权利要求1所述的喷嘴安装治具,其特征在于,所述定位腔为开设于所述基体上的凹槽,所述凹槽的开口端贯通至所述装配面。

4.如权利要求3所述的喷嘴安装治具,其特征在于,所述定位腔沿所述装配面的轴向贯通设置于所述基体。

5.如权利要求3所述的喷嘴安装治具,其特征在于,所述凹槽的槽底呈与喷嘴外轮廓适配的弧面。

6.如权利要求5所述的喷嘴安装治具,其特征在于,所述基体至少包括第一基体和第二基体,所述第一基体和所述第二基体上均设置有至少一个所述定位腔,...

【专利技术属性】
技术研发人员:金嵩浩魏健戚振海
申请(专利权)人:绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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