【技术实现步骤摘要】
本技术属于硅片设备，涉及一种减少托盘热变形的承载装置。
技术介绍
1、pecvd方法为等离子增强型化学气相淀积，异质结电池以n型单晶硅片为衬底，在背面通过pecvd方法沉积本征非晶硅薄膜i-a-si和n型非晶硅薄膜n-a-si，从而形成背表面场。
2、现有的硅片承载装置由左右两块托盘组成，托盘受热之后容易会发生变形，从而使得硅片承载装置的平面度变差，增加了自动化放片的难度。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的上述问题，本申请提供了一种减少托盘热变形的承载装置。
2、本技术的技术方案如下：
3、一种减少托盘热变形的承载装置，包括端面横梁一和端面横梁二，端面横梁一和端面横梁二之间设置有前竖梁、后竖梁，前竖梁和后竖梁之间连接有中间横梁，中间横梁和端面横梁一之间设置有左托盘一、右托盘一，左托盘一和右托盘一之间通过锁紧柱进行固定，中间横梁和端面横梁二之间设置有左托盘二、右托盘二，左托盘二和右托盘二之间通过锁紧柱进行固定。
4、作为本技术的一种优选实施方式：端面横梁一通过端面左法兰一连接前竖梁，端面横梁一通过端面右法兰一连接后竖梁。
5、作为本技术的一种优选实施方式：中间横梁通过中间法兰一连接前竖梁，中间横梁通过中间法兰二连接后竖梁。
6、作为本技术的一种优选实施方式：端面横梁二通过端面左法兰二连接前竖梁，端面横梁二通过端面右法兰二连接后竖梁。
7、作为本技术的一种优选实施方式：左托盘一和右托盘一的规格尺寸相
8、作为本技术的一种优选实施方式：锁紧柱的数量设置为多个。
9、本技术的有益效果是：
10、本技术一种减少托盘热变形的承载装置，托盘一设置为左托盘一和右托盘一，左托盘一和右托盘一之间通过锁紧柱进行固定，托盘二设置为左托盘二和右托盘二，左托盘二和右托盘二之间通过锁紧柱进行固定，可以减少托盘的振动，能够减少托盘自重对平面度的影响，减小热变形的影响，从而降低自动化放片的精度要求，便捷可靠。
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1.一种减少托盘热变形的承载装置，其特征在于：包括端面横梁一（1）和端面横梁二（9），所述端面横梁一（1）和端面横梁二（9）之间设置有前竖梁（6）、后竖梁（12），所述前竖梁（6）和后竖梁（12）之间连接有中间横梁（4），所述中间横梁（4）和端面横梁一（1）之间设置有左托盘一（2）、右托盘一（15），所述左托盘一（2）和右托盘一（15）之间通过锁紧柱（16）进行固定，所述中间横梁（4）和端面横梁二（9）之间设置有左托盘二（8）、右托盘二（10），所述左托盘二（8）和右托盘二（10）之间通过锁紧柱（16）进行固定。
2.根据权利要求1所述的减少托盘热变形的承载装置，其特征在于：所述端面横梁一（1）通过端面左法兰一（3）连接前竖梁（6），所述端面横梁一（1）通过端面右法兰一（14）连接后竖梁（12）。
3.根据权利要求1所述的减少托盘热变形的承载装置，其特征在于：所述中间横梁（4）通过中间法兰一（5）连接前竖梁（6），所述中间横梁（4）通过中间法兰二（13）连接后竖梁（12）。
4.根据权利要求1所述的减少托盘热变形的承载装置，其特征在于：所述端面
5.根据权利要求1所述的减少托盘热变形的承载装置，其特征在于：所述左托盘一（2）和右托盘一（15）的规格尺寸相同，所述左托盘二（8）和右托盘二（10）的规格尺寸相同。
6.根据权利要求1-5任一项所述的减少托盘热变形的承载装置，其特征在于：所述锁紧柱（16）的数量设置为多个。
...【技术特征摘要】
1.一种减少托盘热变形的承载装置，其特征在于：包括端面横梁一（1）和端面横梁二（9），所述端面横梁一（1）和端面横梁二（9）之间设置有前竖梁（6）、后竖梁（12），所述前竖梁（6）和后竖梁（12）之间连接有中间横梁（4），所述中间横梁（4）和端面横梁一（1）之间设置有左托盘一（2）、右托盘一（15），所述左托盘一（2）和右托盘一（15）之间通过锁紧柱（16）进行固定，所述中间横梁（4）和端面横梁二（9）之间设置有左托盘二（8）、右托盘二（10），所述左托盘二（8）和右托盘二（10）之间通过锁紧柱（16）进行固定。
2.根据权利要求1所述的减少托盘热变形的承载装置，其特征在于：所述端面横梁一（1）通过端面左法兰一（3）连接前竖梁（6），所述端面横梁一（1）通过端面右法兰一（14）连接后竖...
【专利技术属性】
技术研发人员：高晗，宗健佳，刘小明，张清清，龚汉亮，
申请(专利权)人：南通玖方新材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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