一种LPCVD工艺腔室用法兰制造技术

技术编号:42013837 阅读:4 留言:0更新日期:2024-07-12 12:33
本技术涉及一种LPCVD工艺腔室用法兰,包括本体、密封板,本体设置在石英炉体一端,本体围绕石英炉体周向并设置在石英炉体外,本体内设置有腔体,腔体沿本体的周向设置,本体的外周上开设有进液孔、安装孔、出液孔,进液孔、安装孔、出液孔沿本体的周向顺序设置,进液孔与腔体贯通用于与冷却介质供送装置连通,出液孔与腔体贯通用于与冷却介质抽出装置连通,安装孔内设置有阻挡块,阻挡块将腔体隔断,使得从进液孔进入的液体在腔体内流通并从出液孔流出;密封板与本体连接。本技术提供的LPCVD法兰,本体内设有腔体,从本体进液孔进入的冷却介质在腔体内流通一圈后流出,可对炉口、炉尾起到更好的冷却效果,减少炉口和炉尾结晶。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种lpcvd工艺腔室用法兰。


技术介绍

1、lpcvd工艺炉在生产过程中由于温度较高,与室温温差较大,通常在生产一段时间后,工艺炉的炉口炉尾会出现结晶。

2、现有技术方案是人工定期拆卸下炉口以及炉尾法兰,手动处理掉结晶物,存在如下问题:

3、第一:人工拆卸下炉口以及炉尾后才可以清理结晶物,耗时耗力;

4、第二:通过经验时间以及石英炉体运行时间定期检查炉口炉尾,增加了工作人员的劳动强度;

5、第三:只能通过经验时间以及石英炉体运行时间定期检查炉口炉尾,并不能在最合适的时间去清理结晶物;

6、第四:经常的拆卸炉口炉尾一定程度上影响结构的稳定性;

7、第五:密封圈因高温导致寿命短,需要经常更换密封圈;

8、第六:炉口炉尾温度高,操作人员拆卸时容易被烫伤,存在安全隐患。


技术实现思路

1、本技术的目的是提供一种改进的lpcvd工艺腔室用法兰。

2、为达到上述目的,本技术采用的技术方案是:

3、一种lpcvd工艺腔室用法兰,包括本体、密封板,所述的本体设置在石英炉体一端,所述的本体围绕石英炉体周向并设置在所述的石英炉体外,所述的本体内设置有腔体,所述的腔体沿所述的本体的周向设置,所述的本体的外周上开设有进液孔、安装孔、出液孔,所述的进液孔、安装孔、出液孔沿所述的本体的周向顺序设置,所述的进液孔与所述的腔体贯通用于与冷却介质供送装置连通,所述的出液孔与所述的腔体贯通用于与冷却介质抽出装置连通,所述的安装孔内设置有阻挡块,所述的阻挡块将所述的腔体隔断,使得从所述的进液孔进入的液体在所述的腔体内流通并从所述的出液孔流出;所述的密封板设置在所述的本体远离石英炉体的一端并与所述的本体连接。

4、根据本技术的一些实施方面,所述的本体包括与所述的密封板连接的第一环形构件、与所述的第一环形构件连接的第二环形构件、与所述的第二环形构件连接的第三环形构件,所述的第一环形构件的外周开设有向其中心凹进的凹槽,所述的凹槽围绕所述的第一环形构件周向设置,所述的第二环形构件围绕所述的第一环形构件周向并设置在所述第一环形构件的凹槽外,以形成封闭腔体,所述的进液孔、安装孔、出液孔均开设在所述的第二环形构件上;所述的第三环形构件套设在石英炉体外并设置在所述的第二环形构件远离所述的密封板的一侧。

5、根据本技术的一些实施方面,所述的第一环形构件与所述的第三环形构件之间设置有第一密封圈,所述的第一密封圈套设在所述的石英炉体的外周。

6、根据本技术的一些实施方面,所述的第一环形构件的内周设置有台阶面,所述的台阶面沿所述的第一环形构件的周向设置,所述的台阶面与所述的第一环形构件的一端端面平行;所述的第三环形构件包括相连接的环形主体、环形凸出部,所述的凸出部设置在所述的环形主体的一端,所述的环形主体与所述的凸出部同心,所述的凸出部的厚度小于所述的环形主体的厚度,当第三环形构件的凸出部与台阶面之间设置有所述的第一密封圈。

7、根据本技术的一些实施方面,所述的第一环形构件的内周开设有容纳槽,所述的容纳槽沿所述的第一环形构件周向设置,所述的容纳槽的开口朝向所述的石英炉体,所述的石英炉体一端设置在所述的容纳槽内,所述的容纳槽内设置有第二密封圈。

8、根据本技术的一些实施方面,所述的第一环形构件与所述的密封板之间设置有第三密封圈。

9、根据本技术的一些实施方面,所述的第二环形构件与所述的第三环形构件的外周均设置有凸耳,所述的凸耳上开设有相对应的开孔,通过在开孔中安装紧固件将所述的第二环形构件与所述的第三环形构件连接。

10、根据本技术的一些实施方面,所述的第一环形构件与所述的第二环形构件焊接。

11、根据本技术的一些实施方面,所述的阻挡块包括顺序连接的第一段、第二段、第三段,所述的第一段的厚度大于所述的第二段的厚度,所述的第二段的厚度大于所述的第三段的厚度。

12、根据本技术的一些实施方面,所述的进液孔与出液孔均安装有接头。

13、由于上述技术方案运用,本技术与现有技术相比具有下列优点:

14、本技术提供的lpcvd工艺腔室用法兰,通过设置本体,本体内设有腔体,从本体进液孔进入的冷却介质在腔体内流通一圈后从出液孔流出,可对炉口、炉尾起到更好的冷却效果,减少炉口和炉尾结晶,延长密封圈寿命。

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【技术保护点】

1.一种LPCVD工艺腔室用法兰,其特征在于,包括本体、密封板,所述的本体设置在石英炉体一端,所述的本体围绕石英炉体周向并设置在所述的石英炉体外,所述的本体内设置有腔体,所述的腔体沿所述的本体的周向设置,所述的本体的外周上开设有进液孔、安装孔、出液孔,所述的进液孔、安装孔、出液孔沿所述的本体的周向顺序设置,所述的进液孔与所述的腔体贯通用于与冷却介质供送装置连通,所述的出液孔与所述的腔体贯通用于与冷却介质抽出装置连通,所述的安装孔内设置有阻挡块,所述的阻挡块将所述的腔体隔断,使得从所述的进液孔进入的液体在所述的腔体内流通并从所述的出液孔流出;所述的密封板设置在所述的本体远离石英炉体的一端并与所述的本体连接。

2.根据权利要求1所述的LPCVD工艺腔室用法兰,其特征在于,所述的本体包括与所述的密封板连接的第一环形构件、与所述的第一环形构件连接的第二环形构件、与所述的第二环形构件连接的第三环形构件,所述的第一环形构件的外周开设有向其中心凹进的凹槽,所述的凹槽围绕所述的第一环形构件周向设置,所述的第二环形构件围绕所述的第一环形构件周向并设置在所述的第一环形构件的凹槽外,以形成封闭腔体,所述的进液孔、安装孔、出液孔均开设在所述的第二环形构件上;所述的第三环形构件套设在石英炉体外并设置在所述的第二环形构件远离所述的密封板的一侧。

3.根据权利要求2所述的LPCVD工艺腔室用法兰,其特征在于,所述的第一环形构件与所述的第三环形构件之间设置有第一密封圈,所述的第一密封圈套设在所述的石英炉体的外周。

4.根据权利要求3所述的LPCVD工艺腔室用法兰,其特征在于,所述的第一环形构件的内周设置有台阶面,所述的台阶面沿所述的第一环形构件的周向设置,所述的台阶面与所述的第一环形构件的一端端面平行;所述的第三环形构件包括相连接的环形主体、环形凸出部,所述的凸出部设置在所述的环形主体的一端,所述的环形主体与所述的凸出部同心,所述的凸出部的厚度小于所述的环形主体的厚度,当第三环形构件的凸出部与台阶面之间设置有所述的第一密封圈。

5.根据权利要求2所述的LPCVD工艺腔室用法兰,其特征在于,所述的第一环形构件的内周开设有容纳槽,所述的容纳槽沿所述的第一环形构件周向设置,所述的容纳槽的开口朝向所述的石英炉体,所述的石英炉体一端设置在所述的容纳槽内,所述的容纳槽内设置有第二密封圈。

6.根据权利要求2所述的LPCVD工艺腔室用法兰,其特征在于,所述的第一环形构件与所述的密封板之间设置有第三密封圈。

7.根据权利要求2所述的LPCVD工艺腔室用法兰,其特征在于,所述的第二环形构件与所述的第三环形构件的外周均设置有凸耳,所述的凸耳上开设有相对应的开孔,通过在开孔中安装紧固件将所述的第二环形构件与所述的第三环形构件连接。

8.根据权利要求2所述的LPCVD工艺腔室用法兰,其特征在于,所述的第一环形构件与所述的第二环形构件焊接。

9.根据权利要求1所述的LPCVD工艺腔室用法兰,其特征在于,所述的阻挡块包括顺序连接的第一段、第二段、第三段,所述的第一段的厚度大于所述的第二段的厚度,所述的第二段的厚度大于所述的第三段的厚度。

10.根据权利要求1所述的LPCVD工艺腔室用法兰,其特征在于,所述的进液孔与出液孔均安装有接头。

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【技术特征摘要】

1.一种lpcvd工艺腔室用法兰,其特征在于,包括本体、密封板,所述的本体设置在石英炉体一端,所述的本体围绕石英炉体周向并设置在所述的石英炉体外,所述的本体内设置有腔体,所述的腔体沿所述的本体的周向设置,所述的本体的外周上开设有进液孔、安装孔、出液孔,所述的进液孔、安装孔、出液孔沿所述的本体的周向顺序设置,所述的进液孔与所述的腔体贯通用于与冷却介质供送装置连通,所述的出液孔与所述的腔体贯通用于与冷却介质抽出装置连通,所述的安装孔内设置有阻挡块,所述的阻挡块将所述的腔体隔断,使得从所述的进液孔进入的液体在所述的腔体内流通并从所述的出液孔流出;所述的密封板设置在所述的本体远离石英炉体的一端并与所述的本体连接。

2.根据权利要求1所述的lpcvd工艺腔室用法兰,其特征在于,所述的本体包括与所述的密封板连接的第一环形构件、与所述的第一环形构件连接的第二环形构件、与所述的第二环形构件连接的第三环形构件,所述的第一环形构件的外周开设有向其中心凹进的凹槽,所述的凹槽围绕所述的第一环形构件周向设置,所述的第二环形构件围绕所述的第一环形构件周向并设置在所述的第一环形构件的凹槽外,以形成封闭腔体,所述的进液孔、安装孔、出液孔均开设在所述的第二环形构件上;所述的第三环形构件套设在石英炉体外并设置在所述的第二环形构件远离所述的密封板的一侧。

3.根据权利要求2所述的lpcvd工艺腔室用法兰,其特征在于,所述的第一环形构件与所述的第三环形构件之间设置有第一密封圈,所述的第一密封圈套设在所述的石英炉体的外周。

4.根据权利要求3所述的lpcvd工艺腔室用法兰,其特征在于,所述的第一环形...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘链柱穆代林任俊江薇儿妮卡·夏丽叶云飞吴京波肖益波
申请(专利权)人:赛姆柯苏州智能科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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