【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆级老化测试，尤其涉及一种晶圆级芯片失效检测方法。
技术介绍
1、在车规级sic功率芯片产品中，由于sic本身的材料缺陷以及芯片制造过程中的工艺异常，通常会使用晶圆级老化测试(wafer level burn in test)来筛选出潜在失效风险的芯片。晶圆级老化测试对于检测sic芯片的早期故障(婴儿死亡率)至关重要，从而提高了后续封装组件的可靠性，但由于晶圆级老化测试本身是高应力加速电性测试，故而测试时间不能过长(一般要求小于12小时)，以免损伤芯片的使用寿命。
2、由于晶圆级老化测试时长的限制，可能会使一部分潜在失效的芯片仍能通过晶圆级老化的电性测试，这就给后续封装组件产品的可靠性带来了风险。因此，需要一种新的方法能够在不损伤芯片使用寿命的情况下，进一步筛选出潜在失效风险的sic芯片，提高失效芯片的筛选率，以提升后续sic封装成品的可靠性。
3、现有技术中，对半导体器件进行晶圆级老化测试的方法包括：将测试探针接触晶圆上的半导体器件的压焊建立电学连接并进行初始测试；按照设置的老化测试规则通过测试探针对晶圆上的各个半导体器件施加电压应力，分别进行监控测试；判断测得的晶圆上的各个半导体器件的相关的电学参数是否符合所设置的对应老化判断标准，确定符合的晶圆为好且老化等级为判断标准；确定不符合的晶圆失效。本申请通过多个老化测试规则和标准对晶圆进行老化测试，测试时长长，效率低，影响芯片的使用寿命。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供
2、为实现上述目的，本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：所述晶圆级芯片失效检测方法，包括以下步骤：
3、根据晶圆各芯片的老化电性参数数据，确定所述老化电性参数数据属于第一范围；
4、根据所述晶圆各所述芯片的温度数据，确定所述温度数据属于第二范围；
5、判断所述温度数据和/或判断所述老化电性参数数据，确定未失效的所述芯片。
6、确定所述老化电性参数数据的方法包括：
7、将测试探针接触所述晶圆上的各所述芯片的压焊点建立电学连接；
8、通过所述测试探针对所述晶圆上的各所述芯片施加电压应力，确定所述老化电性参数数据。
9、确定所述老化电性参数数据的测试电压为器件的极限电压，测试时间为6-12小时。
10、所述老化电性参数包括开启电压、导通电阻、反向击穿电压、栅极漏电流和反向漏电流。
11、确定所述晶圆各所述芯片的所述温度数据的方法包括：通过探测所述晶圆的红外辐射能确定所述温度数据。
12、在电测试结束后探测晶圆表面的红外辐射能。
13、使用红外成像检测仪器探测晶圆表面红外辐射能。
14、通过晶圆的红外辐射能确定所述温度数据的具体方法为：在晶圆表面探测得到的红外辐射能转化为电信号后通过显示屏得到含坐标标识的红外热成像分布图，并导出各坐标位置处的温度数据。
15、确定所述温度数据属于第二范围的方法包括：
16、确定各所述芯片的所述温度数据的平均值和标准差σ；
17、确定各所述芯片的最高温度tmax；
18、确定其中，2≤k≤4。
19、其中的k值为3。
20、本专利技术的有益效果是：
21、本专利技术在进行晶圆级老化电性参数测试的同时，利用热成像原理，获得晶圆中各芯片表面的温度分布，将表面温度分布数据和老化电性参数数据结果相互结合，只要不满足其中一种数据就判断对应芯片存在失效风险，此方法不会增加测试时长，不会对芯片使用寿命造成额外损害，提高了失效芯片的筛选率，可提升后续封装成品的质量和可靠性。
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1.一种晶圆级芯片失效检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片失效检测方法，其特征在于：确定所述老化电性参数数据的方法包括：
3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片失效检测方法，其特征在于：确定所述老化电性参数数据的测试电压为器件的极限电压，测试时间为6-12小时。
4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片失效检测方法，其特征在于：所述老化电性参数包括开启电压、导通电阻、反向击穿电压、栅极漏电流和反向漏电流。
5.根据权利要求1所述的晶圆级芯片失效检测方法，其特征在于：确定所述晶圆各所述芯片的所述温度数据的方法包括：通过探测所述晶圆的红外辐射能确定所述温度数据。
6.根据权利要求5所述的晶圆级芯片失效检测方法，其特征在于：在电测试结束后探测晶圆表面的红外辐射能。
7.根据权利要求5所述的晶圆级芯片失效检测方法，其特征在于：使用红外成像检测仪器探测晶圆表面红外辐射能。
8.根据权利要求5所述的晶圆级芯片失效检测方法，其特征在于：通过晶圆的红外辐射能确定所述温度数据的具体方法为：
9.根据权利要求1所述的晶圆级芯片失效检测方法，其特征在于：确定所述温度数据属于第二范围的方法包括：
10.根据权利要求9所述的晶圆级芯片失效检测方法，其特征在于：其中的k值为3。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆级芯片失效检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片失效检测方法，其特征在于：确定所述老化电性参数数据的方法包括：
3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片失效检测方法，其特征在于：确定所述老化电性参数数据的测试电压为器件的极限电压，测试时间为6-12小时。
4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片失效检测方法，其特征在于：所述老化电性参数包括开启电压、导通电阻、反向击穿电压、栅极漏电流和反向漏电流。
5.根据权利要求1所述的晶圆级芯片失效检测方法，其特征在于：确定所述晶圆各所述芯片的所述温度数据的方法包括：通过探测所述晶圆的红外辐射能确定所述温度数据。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡学清，史田超，刘红超，
申请(专利权)人：安徽长飞先进半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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