【技术实现步骤摘要】
以下描述涉及负电平转换器，更具体地，涉及负电平转换器和包括该负电平转换器的显示装置。尽管本公开内容适用于广泛的应用范围，但是它特别适用于如下负电平转换器以及包括该负电平转换器的显示装置，该负电平转换器在不使用附加负电压的情况下使屏蔽电路中包括的元件的源极端子和体区连接，使得该元件可以在中压操作区域中操作。
技术介绍
1、由于ic处理技术的小型化，控制显示面板装置驱动的驱动器ic需要具有较小的尺寸。这样的驱动器ic使用负电压来驱动显示面板装置。
2、为了使用负电压，显示驱动器电路可能需要电平转换器，该电平转换器用于将在逻辑区域中输入的低电压信号改变为负电压信号。电平转换器是需要将预定施加的电压改变为所需电压并加以使用的装置。
3、当使用电平转换器执行负电平转换时，每个元件应在其自己的操作区域内操作。韩国专利第10-2246879号可以公开如下负电平转换，该负电平转换不需要附加负电压并使用屏蔽电路，使得包括在输入电路和负载电路中的元件可以在中压操作区域内操作。
4、然而，当使用最大中压作为负电压时，包括在屏蔽电路中的元件的漏极-体电压超过中压操作区域。换言之，屏蔽电路的pmos晶体管连接至正电源电压(dvdd)，在屏蔽电路中，nmos晶体管的体区与漏极端子之间的电压差超过中压操作区域。在这种情况下，负电平转换器可能无法正常操作。
5、在该
技术介绍
部分中公开的上述信息仅用于增强对所描述技术的背景的理解，因此它可能包含不形成本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
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1、因此，本公开内容涉及负电平转换器和包括负电平转换器的显示装置，其基本上消除了由于上述限制和缺点而引起的一个或更多个问题。
2、本公开内容的附加特征和优点将在下面的描述中阐述，并且部分地根据该描述是明显的，或者可以通过本公开内容的实践而被了解。本公开内容的其他优点将通过在书面描述及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
3、为了实现这些和其他优点并根据本公开内容，如所体现和广泛描述的，负电平转换器包括：第一电平转换器，其包括输入电路、屏蔽电路和负载电路；以及第二电平转换器，其用于生成与第一电平转换器的电平不同的电平。屏蔽电路包括nmos晶体管，该nmos晶体管具有彼此连接的源极端子和体区。
4、输入电路可以包括：接收反相输入信号的第一pmos晶体管；以及接收输入信号的第二pmos晶体管。
5、第一pmos晶体管的体区和第二pmos晶体管的体区可以彼此连接。
6、屏蔽电路可以包括：通过第一节点连接至第一pmos晶体管的第一nmos晶体管；以及通过第二节点连接至第二pmos晶体管的第二nmos晶体管。
7、第一pmos晶体管和第二pmos晶体管可以是高压元件。第一nmos晶体管和第二nmos晶体管可以是操作电压低于高压元件的中压元件。
8、第一电压可以施加至第一pmos晶体管的体区和第二pmos晶体管的体区。第一pmos晶体管和第二pmos晶体管可以形成在一个阱区中。
9、第一nmos晶体管的漏极端子可以连接至第一节点，栅极端子可以连接至地，并且源极端子可以连接至第三节点。第二nmos晶体管的漏极端子可以连接至第二节点，栅极端子可以连接至地，并且源极端子可以连接至第四节点。
10、负载电路可以包括：第三nmos晶体管，其包括连接至第三节点的漏极端子和栅极端子以及连接至第五节点的源极端子；第四nmos晶体管，其包括连接至第四节点的漏极端子和栅极端子以及连接至第六节点的源极端子；第五nmos晶体管，其包括连接至第五节点的漏极端子、连接至第四节点的栅极端子以及对其施加负电压vneg的源极端子；以及第六nmos晶体管，其包括连接至第六节点的漏极端子、连接至第三节点的栅极端子以及对其施加负电压vneg的源极端子。负电压vneg可以施加至第三nmos晶体管至第六nmos晶体管的体区。
11、当0v的反相输入信号和作为输入信号的第一电压被输入至第一电平转换器时，第二电平转换器可以通过反相输出端子输出负电压并且通过输出端子输出地电压。
12、第二电平转换器可以包括：第一pmos晶体管，其包括连接至地(0v)的源极端子、连接至第八节点的栅极端子以及连接至第七节点的漏极端子；第二pmos晶体管，其包括连接至地(0v)的源极端子、连接至第七节点的栅极端子以及连接至第八节点的漏极端子；第七nmos晶体管，其包括连接至第七节点的漏极端子、连接至第六节点的栅极端子以及对其施加负电压vneg的源极端子；以及第八nmos晶体管，其包括连接至第八节点的漏极端子、连接至第五节点的栅极端子以及对其施加负电压vneg的源极端子。
13、第一pmos晶体管、第二pmos晶体管、第七nmos晶体管和第八nmos晶体管可以是中压元件。
14、在本公开内容的另一方面中，输入电路可以包括接收反相输入信号inb的第三pmos晶体管和接收输入信号in的第四pmos晶体管。第三pmos晶体管和第四pmos晶体管可以被配置成在不同的阱区中彼此分离。
15、第三pmos晶体管和第四pmos晶体管可以是在中压操作区域中操作的中压元件。
16、在本公开内容的另一方面中，显示装置包括：具有多条栅极线和多条源极线的显示面板；以及用于驱动栅极线和源极线的面板控制电路。
17、面板控制电路包括：第一电平转换器，其包括输入电路、屏蔽电路和负载电路；以及连接至负载电路的第二电平转换器。屏蔽电路包括nmos晶体管，nmos晶体管具有彼此连接的源极端子和体区。
18、输入电路可以包括接收反相输入信号inb的第一pmos晶体管和接收输入信号in的第二pmos晶体管。第一pmos晶体管的体区和第二pmos晶体管的体区可以彼此连接。
19、屏蔽电路可以包括：通过第一节点连接至第一pmos晶体管的第一nmos晶体管；以及通过第二节点连接至第二pmos晶体管的第二nmos晶体管，第一nmos晶体管的源极端子和体区彼此连接，并且第二nmos晶体管的源极端子和体区彼此连接。
20、屏蔽电路可以在中压操作区域内操作。
21、第一pmos晶体管和第二pmos晶体管可以是高压元件。第一nmos晶体管和第二nmos晶体管可以是操作电压低于高压元件的中压元件。
22、当0v的反相输入信号和作为输入信号的第一电压被输入至第一电平转换器时，第二电平转换器可以通过反相输出端子输出负电压，并且通过输出端子输出地电压。
23、在本公开内容的另一方面中，输入电路可以包括：接收反相输入信号inb的第三pmos晶体管；以及接收输入信号in的第四pmos晶体管。
24、第三pmos晶体管和第四pmos晶体管可以被配置成在不同的阱区中彼此分离。
25、提供本
技术实现思路
部分是为了以简化形式介绍在以下具体实施方式中进一步描述的构思的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种负电平转换器，包括：
2.根据权利要求1所述的负电平转换器，其中，所述输入电路包括：
3.根据权利要求2所述的负电平转换器，其中，所述屏蔽电路的NMOS晶体管进一步包括：
4.根据权利要求3所述的负电平转换器，其中，所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管是高压元件，以及
5.根据权利要求4所述的负电平转换器，其中，第一电压被施加至所述第一PMOS晶体管的体区和所述第二PMOS晶体管的体区，以及
6.根据权利要求5所述的负电平转换器，其中，所述第一NMOS晶体管包括连接至第一节点的漏极端子、连接至地的栅极端子以及连接至第三节点的源极端子，以及
7.根据权利要求6所述的负电平转换器，其中，所述负载电路包括：
8.根据权利要求1所述的负电平转换器，其中，当0V的反相输入信号和作为输入信号的第一电压被输入至所述第一电平转换器时，所述第二电平转换器被配置成：通过反相输出端子输出负电压并且通过输出端子输出地电压。
9.根据权利要求8所述的负电平转换器，其中，所述第二电平转换器包括：
10.根据权利要求9所述的负电平转换器，其中，所述第一PMOS晶体管、所述第二PMOS晶体管、所述第七NMOS晶体管和所述第八NMOS晶体管是中压元件。
11.根据权利要求1所述的负电平转换器，其中，所述输入电路包括：
12.根据权利要求11所述的负电平转换器，其中，所述第三PMOS晶体管和所述第四PMOS晶体管是在中压操作区域中操作的中压元件。
13.一种显示装置，包括：
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述输入电路包括接收反相输入信号的第一PMOS晶体管和接收输入信号的第二PMOS晶体管，以及
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述屏蔽电路中的NMOS晶体管进一步包括：
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述屏蔽电路在中压操作区域内操作。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管是高压元件，以及
18.根据权利要求13所述的显示装置，其中，当0V的反相输入信号和作为输入信号的第一电压被输入至所述第一电平转换器时，所述第二电平转换器通过反相输出端子输出负电压，并且通过输出端子输出地电压。
19.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述输入电路包括：
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第三PMOS晶体管和所述第四PMOS晶体管是在中压操作区域中操作的元件，以及
...【技术特征摘要】
1.一种负电平转换器，包括：
2.根据权利要求1所述的负电平转换器，其中，所述输入电路包括：
3.根据权利要求2所述的负电平转换器，其中，所述屏蔽电路的nmos晶体管进一步包括：
4.根据权利要求3所述的负电平转换器，其中，所述第一pmos晶体管和所述第二pmos晶体管是高压元件，以及
5.根据权利要求4所述的负电平转换器，其中，第一电压被施加至所述第一pmos晶体管的体区和所述第二pmos晶体管的体区，以及
6.根据权利要求5所述的负电平转换器，其中，所述第一nmos晶体管包括连接至第一节点的漏极端子、连接至地的栅极端子以及连接至第三节点的源极端子，以及
7.根据权利要求6所述的负电平转换器，其中，所述负载电路包括：
8.根据权利要求1所述的负电平转换器，其中，当0v的反相输入信号和作为输入信号的第一电压被输入至所述第一电平转换器时，所述第二电平转换器被配置成：通过反相输出端子输出负电压并且通过输出端子输出地电压。
9.根据权利要求8所述的负电平转换器，其中，所述第二电平转换器包括：
10.根据权利要求9所述的负电平转换器，其中，所述第一pmos晶体管、所述第二pmos晶体管、所述第七nmos晶体管和所述第八nmos晶体管是中...
【专利技术属性】
技术研发人员：李明雨，林祐莹，
申请(专利权)人：美格纳智芯混合信号有限公司，
类型：发明
国别省市：
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