【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及确定曝光光束的特性。曝光光束可以基于从深紫外(duv)光源发射的初始光束而产生。
技术介绍
1、光刻是通过其在诸如硅晶片等的衬底上图案化半导体电路的过程。光源产生深紫外(duv)光，用于曝光晶片上的光致抗蚀剂。duv光可以包括例如约100纳米(nm)至约400nm的波长。通常，光源是激光源(例如，准分子激光器)，而duv光是脉冲激光束。来自光源的duv光与投影光学系统相互作用，投影光学系统通过掩模将光束投影到硅晶片上的光致抗蚀剂上。以此方式，芯片设计的层就被图案化到光致抗蚀剂上。随后蚀刻和清洁光致抗蚀剂和晶片。如果需要，可以使用新鲜的光致抗蚀剂来重复光刻工艺。
技术实现思路
1、在一个方面，一种装置包括：估计系统，其被配置为：基于所感测的初始光束的波前来确定与初始光束相关的值集合，该值集合包括第一值和第二值。估计系统还被配置为基于包括第一值和第二值的非线性关系来确定曝光光束的特性的估计值。曝光光束由初始光束与光学系统相互作用而形成。该装置还包括耦合到估计系统的通信模块，其被配置为输出曝光光束的特性的估计值。
2、实施方式可以包括以下一个或多个特征。曝光光束的特性可以是卷积带宽度量，该卷积带宽度量表示曝光光束的在被曝光光束照射的晶片处的光谱的一部分的宽度；并且曝光光束的光谱包括曝光光束的作为波长函数的强度。
3、所感测的初始光束的波前可以包括由初始光束产生的条纹图案；条纹图案可以包括多个条纹；第一值可以包括多个条纹中的第一条纹的第一宽度；并且第二值可
4、该非线性关系可以为二阶关系，第一值和第二值中的一者可以是平方的。
5、非线性关系还可以包括多个校准参数。估计系统还可以被配置为：访问曝光光束的特性的参考值；并通过最小化特性的估计值与特性的参考值之间的差值来确定每个校准参数的值。特性的参考值可以通过光谱仪来获得。
6、该装置还可以包括光学系统。
7、光学系统可以包括投影透镜和掩模版。
8、该装置还可以包括检测器，该检测器被配置为感测波前并向估计系统提供与所感测的波前相关的数据。
9、在另一个方面，系统包括：光源，被配置为发射包括深紫外(duv)光的光束；光学测量系统，被配置为基于光束产生条纹图案；投影光学系统，被配置为基于光束发射曝光光束；以及估计系统，被配置为：根据条纹图案来确定第一值和第二值；并基于第一值和第二值来确定曝光光束的特性的估计值。
10、实施方式可能包括下列特征中的一个或多个特征。
11、投影光学系统可以包括投影透镜和掩模版。
12、估计系统可被配置为基于非线性关系确定特性的估计值；并且非线性关系可包括第一值、第二值和多个校准常数。估计系统还可配置为：基于最小化特性的估计值与特性的参考值之间的差值来确定多个校准常数中的每一者的值。
13、光学测量系统可以是标准具。
14、光源可以包括被配置为发射种子光束的主振荡器，以及被配置为放大种子光束以产生包括duv光的光束的功率放大器。
15、在另一个方面，该方法包括：感测初始光束的波前；基于所感测的波前来确定初始光束的值集合；确定包括该值集合中的至少两个值的关系；以及基于该关系确定曝光光束的特性的估计值。曝光光束是通过使初始光束与光学系统相互作用而产生的。
16、该关系可能是非线性关系。
17、上述任何技术的实施方式可以包括系统、方法、过程、设备或装置。一个或多个实施方式的细节在附图和以下描述中阐述。其他特征将从描述和附图以及权利要求中显而易见。
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1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述曝光光束的所述特性包括卷积带宽度量，所述卷积带宽度量表示所述曝光光束在由所述曝光光束照射的晶片处的光谱的一部分的宽度；并且所述曝光光束的所述光谱包括所述曝光光束的作为波长的函数的强度。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所感测的所述初始光束的所述波前包括从所述初始光束产生的干涉条纹图案；所述条纹图案包括多个条纹；所述第一值包括所述多个条纹中的第一条纹的第一宽度；并且所述第二值包括所述多个条纹中的第二条纹的第二宽度。
4.根据权利要求3所述的装置，其中所述多个条纹中的所述第一条纹和所述多个条纹中的所述第二条纹是相同的一个条纹。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述第一宽度是所述一个条纹的在所述一个条纹的峰值强度的第一百分比处的宽度；并且所述第二宽度是所述一个条纹的在所述一个条纹的所述峰值强度的第二百分比处的宽度。
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第一百分比和所述第二百分比是不同的百分比。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述多个条纹是以中心点
8.根据权利要求1所述的装置，其中所述非线性关系包括二阶关系。
9.根据权利要求8所述的装置，其中所述第一值和所述第二值中的一者是平方的。
10.根据权利要求1所述的装置，其中所述非线性关系还包括多个校准参数。
11.根据权利要求10所述的装置，其中所述估计系统还被配置为：
12.根据权利要求11所述的装置，其中所述特性的所述参考值由光谱仪获得。
13.根据权利要求1所述的装置，还包括所述光学系统。
14.根据权利要求1所述的装置，其中所述光学系统包括投影透镜和掩模版。
15.根据权利要求3所述的装置，还包括被配置为产生所述条纹图案的标准具。
16.根据权利要求1所述的装置，还包括检测器，所述检测器被配置为感测所述波前并将与所感测的所述波前相关的数据提供给所述估计系统。
17.一种系统，包括：
18.根据权利要求17所述的系统，其中所述投影光学系统包括投影透镜和掩模版。
19.根据权利要求17所述的系统，其中所述估计系统被配置为基于非线性关系来确定所述特性的所述估计值；并且所述非线性关系包括所述第一值、所述第二值和多个校准常数。
20.根据权利要求19所述的系统，其中所述估计系统还被配置为：
21.根据权利要求17所述的系统，其中所述光学测量系统包括标准具。
22.根据权利要求17所述的系统，其中所述光源包括主振荡器和功率放大器，所述主振荡器被配置为发射种子光束，并且所述功率放大器被配置为放大所述种子光束以产生包括DUV光的所述光束。
23.一种方法，包括：
24.根据权利要求23所述的方法，其中所述关系是非线性关系。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述曝光光束的所述特性包括卷积带宽度量，所述卷积带宽度量表示所述曝光光束在由所述曝光光束照射的晶片处的光谱的一部分的宽度；并且所述曝光光束的所述光谱包括所述曝光光束的作为波长的函数的强度。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所感测的所述初始光束的所述波前包括从所述初始光束产生的干涉条纹图案；所述条纹图案包括多个条纹；所述第一值包括所述多个条纹中的第一条纹的第一宽度；并且所述第二值包括所述多个条纹中的第二条纹的第二宽度。
4.根据权利要求3所述的装置，其中所述多个条纹中的所述第一条纹和所述多个条纹中的所述第二条纹是相同的一个条纹。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述第一宽度是所述一个条纹的在所述一个条纹的峰值强度的第一百分比处的宽度；并且所述第二宽度是所述一个条纹的在所述一个条纹的所述峰值强度的第二百分比处的宽度。
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第一百分比和所述第二百分比是不同的百分比。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述多个条纹是以中心点为中心的同心光环，并且由无光区域分开；并且所述一个条纹是最靠近所述中心点的所述条纹。
8.根据权利要求1所述的装置，其中所述非线性关系包括二阶关系。
9.根据权利要求8所述的装置，其中所述第一值和所述第二值中的一者是平方的。
10.根据权利要求1所述的装置，其中所述非线性关系还包括...
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