一种半导体反应腔室制造技术

本技术涉及半导体制造技术领域，更具体的说，涉及一种半导体反应腔室。本技术提供了一种半导体反应腔室，至少包括喷淋板上盖、抽气环、上盖板：所述喷淋板上盖，设置在腔体的上盖板上；所述抽气环，位于喷淋板上盖与上盖板之间；其中，所述喷淋板上盖的四周设置若干螺钉固定位；所述抽气环的周围侧面设置若干小凸台：所述小凸台，上表面开设有第一凹槽；所述小凸台，下表面开设有第二凹槽；所述第一凹槽与第二凹槽的连接平台处，开设有通孔，所述通孔位置与螺钉固定位相对应。本技术通过对抽气环进行的改进，使得喷淋板上盖、抽气环和上盖板之间的分离更为容易，满足完整的拆卸分离需求，使得操作更加方便快捷。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造，更具体的说，涉及一种便于抽气环及喷淋板上盖拆卸的半导体反应腔室。

技术介绍

1、薄膜沉积技术用于制造微电子器件的薄膜，在基板衬底上形成沉积物，常见的薄膜沉积技术包括物理气相沉积、化学气相沉积等技术。

2、现有技术的薄膜沉积制备中，反应腔室内通常会设置上盖板、喷淋板、o型圈和抽气环等。反应腔室的上盖板通过铰链与反应腔体连接，并且通过螺钉与喷淋上板连接。通常，反应气体从喷淋板上方流入腔室内，而反应多余气体及反应副产物则通过抽气环被抽离腔室。o型圈设置在上盖板与喷淋板上板之间，其作用是形成密封，从而实现真空环境。

3、图1揭示了现有技术的半导体反应腔室的拆卸分离方式的局部示意图，如图1所示，半导体反应腔室在拆卸分离时，通常会遇到以下问题：

4、在拆卸喷淋板上盖11时，因为o型圈已经粘牢，使得拆卸变得不方便。通常的解决方法是，先把螺钉17拧入上盖板13中，然后把螺母18放在螺钉17和喷淋板上盖11之间，接着使用内六角扳手把螺钉17往上拧出上盖板13，从而顶开喷淋板上盖11。螺钉17通常为m8x20内六角螺钉，螺母为m10六角螺母。

5、这种方式的缺点在于，松开的部分可能是喷淋板上盖11与抽气环12之间，也可能是抽气环12与上盖板13之间，当其中一个地方松开后，另一个地方的松开就会变得困难。

技术实现思路

1、本技术的目的是提供一种半导体反应腔室，解决现有半导体反应腔室中喷淋板上盖、抽气环与上盖板难以拆卸的问题。

<p>2、为了实现上述目的，本技术提供了一种半导体反应腔室，至少包括喷淋板上盖、抽气环、上盖板：

3、所述喷淋板上盖，设置在腔体的上盖板上；

4、所述抽气环，位于喷淋板上盖与上盖板之间；

5、其中，所述喷淋板上盖的四周设置若干螺钉固定位；

6、所述抽气环的周围侧面设置若干小凸台：

7、所述小凸台，上表面开设有第一凹槽；

8、所述小凸台，下表面开设有第二凹槽；

9、所述第一凹槽与第二凹槽的连接平台处，开设有通孔，所述通孔位置与螺钉固定位相对应。

10、在一实施例中，所述喷淋板上盖的四周设置若干凸起部：

11、所述螺钉固定位，设置在凸起部上，为通孔结构。

12、在一实施例中，半导体反应腔室还包括若干螺母，所述喷淋板上盖与抽气环处于分离位置时；

13、螺母位于第一凹槽内；

14、螺钉穿过喷淋板上盖对应的螺钉固定位拧入第一凹槽内的螺母。

15、在一实施例中，半导体反应腔室还包括若干螺母，所述抽气环与上盖板处于分离位置时；

16、螺母位于第二凹槽内；

17、螺钉穿过小凸台的第一凹槽拧入第二凹槽内的螺母。

18、在一实施例中，半导体反应腔室还包括若干螺母，所述喷淋板上盖与抽气环构成的整体结构，与上盖板处于分离位置时；

19、螺母位于第二凹槽内；

20、螺钉穿过喷淋板上盖对应的螺钉固定位拧入第二凹槽内的螺母。

21、在一实施例中，半导体反应腔室还包括垫片：

22、所述垫片的宽度小于第一凹槽、第二凹槽的宽度；

23、所述垫片位于螺母所在的凹槽内，顶住拧入的螺钉。

24、在一实施例中，所述小凸台的数量少于或等于喷淋板上盖的螺钉固定位。

25、在一实施例中，所述垫片的一侧开有通孔。

26、在一实施例中，半导体反应腔室还包括第一o型圈，设置在抽气环与喷淋板上盖之间；

27、第二o型圈，设置在抽气环与上盖板之间。

28、在一实施例中，所述上盖板设置若干螺钉固定孔，螺钉固定孔与螺钉固定位的位置相对应；

29、螺钉通过对应的螺钉固定位和螺钉固定孔，将喷淋板上盖与上盖板固定。

30、本技术提出的半导体反应腔室，通过对抽气环进行的改进，使得喷淋板上盖、抽气环和上盖板之间的分离更为容易，满足完整的拆卸分离需求，使得操作更加方便快捷，节省了大量的时间和人力成本，从而提高了生产效率和质量。

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【技术保护点】

1.一种半导体反应腔室，其特征在于，至少包括喷淋板上盖、抽气环、上盖板：

2.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述喷淋板上盖的四周设置若干凸起部：

3.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，还包括若干螺母，所述喷淋板上盖与抽气环处于分离位置时；

4.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，还包括若干螺母，所述抽气环与上盖板处于分离位置时；

5.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，还包括若干螺母，所述喷淋板上盖与抽气环构成的整体结构，与上盖板处于分离位置时；

6.根据权利要求3或4或5所述的半导体反应腔室，其特征在于，还包括垫片：

7.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述小凸台的数量少于或等于喷淋板上盖的螺钉固定位。

8.根据权利要求6所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述垫片的一侧开有通孔。

9.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，还包括第一O型圈，设置在抽气环与喷淋板上盖之间；

10.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述上盖板设置若干螺钉固定孔，螺钉固定孔与螺钉固定位的位置相对应；

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【技术特征摘要】

1.一种半导体反应腔室，其特征在于，至少包括喷淋板上盖、抽气环、上盖板：

2.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，所述喷淋板上盖的四周设置若干凸起部：

3.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，还包括若干螺母，所述喷淋板上盖与抽气环处于分离位置时；

4.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，还包括若干螺母，所述抽气环与上盖板处于分离位置时；

5.根据权利要求1所述的半导体反应腔室，其特征在于，还包括若干螺母，所述喷淋板上盖与抽气环构成的整体结构，与上盖板处于分离位...

【专利技术属性】
技术研发人员：喻双喜，刘振，杨天奇，卜夺夺，万亿，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：