【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
0、现有技术
1、作为例如生产微电子部件的衬底的半导体晶片，通常为硅晶片，在抛光和涂覆(例如通过外延沉积)或热处理步骤(“退火”)后和/或在高温操作步骤前，使用湿法化学方法进行清洗。清洗的目的是尽可能地消除半导体晶片被铜等金属或被有机物质污染的情况，例如，并且也尽可能地去除粘附于晶片表面的颗粒，因为此类污染在随后的部件生产中会导致问题，例如栅极氧化物不均匀生长或多晶硅栅极的不均匀沉积。
2、在此上下文中采用的方法包括单晶片清洗方法，其中半导体晶片围绕其中心轴快速旋转并且同时先用一种或多种液体进行清洗，然后用去离子水冲洗并干燥。将液体施加到旋转的半导体晶片上并通过离心力朝晶片边缘加速，从而导致液体向外流出并留下通常覆盖整个晶片表面的薄膜。在随后的干燥过程中，随着半导体晶片的进一步旋转，例如添加降低液膜表面张力的蒸汽(例如，异丙醇)，整个液膜向外流出。例如，在us2004/0103 915a1和ep 0 905 747 a1中描述了此类方法。
3、说明书us2014/048 100a1公开一种用于清洗半导体晶片的方法，所述方法采用以下步骤：
4、(1)用臭氧水进行清洗的第一清洗步骤，和随后使用纯化水的冲洗步骤；
5、(2)第二清洗步骤，包括使用臭氧水的处理步骤，然后是使用含hf液体的处理步骤，其中所述第二清洗步骤可以重复进行多次；
6、(3)用臭氧水进行清洗的第三清洗步骤，和随后使用纯化水的冲洗步骤；
7、(4)干燥步骤，其中干燥所述半导
8、在测试该方法时，专利技术人发现在晶片上出现可通过lls测量的缺陷图案。这些缺陷显然优先发生在衬底的中心，并且可能对在部件制造操作中受到影响的半导体晶片的行为产生不利后果。
9、因此，本专利技术的目的是提供一种不具有这些缺陷或者至少使发生这些缺陷的可能性降至最低的方法。
10、该目的可通过权利要求书中描述的方法实现。
技术实现思路
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1.一种清洗半导体晶片侧面的方法，按给定顺序包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述初步清洗步骤持续至少1s且不大于15s。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述半导体晶片的侧面水平对齐，并且在所述初步清洗步骤期间以大于500rpm且小于1000rpm的速度旋转。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中在所述初步清洗步骤中使用喷嘴施加水，并且在这种情况下的喷嘴流速在0.5m/s和2m/s之间，相关的流速在0.5l/min和1.5l/min之间。
6.根据权利要求5所述的方法，其中将所述喷嘴对齐的方式使得喷嘴流的方向与半导体晶片的表面形成小于70°且大于30°的角α。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种清洗半导体晶片侧面的方法，按给定顺序包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述初步清洗步骤持续至少1s且不大于15s。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述半导体晶片的侧面水平对齐，并且在所述初步清洗步骤期间以大于500rpm且小于1000rpm的...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·布罗克，A·屈恩施泰特尔，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：
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