一种低压大功率的半桥电磁炉制造技术

技术编号:41997912 阅读:12 留言:0更新日期:2024-07-12 12:22
本技术公开了一种低压大功率的半桥电磁炉,包括电源输入电路,半桥逆变电路,单片机控制电路,输入采样电路,输出采样电路,多个光耦驱动电路,加热线圈,半桥逆变电路包括上桥臂电路、下桥臂电路,上桥臂电路、下桥臂电路分别设置功率晶体管、电容、谐振电容,功率晶体管的E极、C极分别与电容的第一端、第二端连接,上桥臂电路的功率晶体管的E极与下桥臂电路的功率晶体管的C极连接,上桥臂电路的功率晶体管的C极连接电源输入电路正极,下桥臂电路的功率晶体管的E极接电源输入电路的地,每组功率晶体管的G极连接一个光耦驱动电路的输出端。本技术采用半桥逆变电路,降低成本,使电磁炉能输出较大功率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电磁加热领域,具体地,涉及一种低压大功率的半桥电磁炉


技术介绍

1、电磁加热技术具有加热快,安全便捷的特点,广泛用于电磁炉设备中,随着人们生活品质的提高,用户出现了对低压电磁炉、车载电磁炉的需求。

2、低压电磁炉输入电压较低,为达到指定输出功率,相比家用电磁炉,需要更大的输入电流,线圈流过电流显著加大,线盘温度较高,输出效率降低,不能实现高功率输出,同时,电磁炉具有多个功率档位,需要进行调功。

3、同时,低压电磁炉使用场景多为户外或车载场景,需要对使用安全有所考虑,常见的低压电磁炉为了实现高功率输出,需要先对输入电压进行升压处理,再经过逆变,变压电路具有一定的重量和体积,常见的boost升压电路难以做到输入输出隔离,变压器升压电路存在一定的重量和体积,同时逆变电路多为单管逆变电路,在这种工况下比较难实现大功率输出,并且发热量也较大,全桥逆变电路需要功率晶体管和隔离电源较多,成本较大。


技术实现思路

1、本技术的目的在于提出一种低压大功率的半桥电磁炉,在逆变电路中使用半桥逆变电路,实现电磁炉的低压大功率输出,以克服现有技术的不足。

2、一种低压大功率的半桥电磁炉,包括电源输入电路,半桥逆变电路,单片机控制电路,输入采样电路,输出采样电路,多个光耦驱动电路,加热线圈,半桥逆变电路包括上桥臂电路、下桥臂电路,上桥臂电路、下桥臂电路分别设置功率晶体管、电容、谐振电容,功率晶体管的e极、c极分别与电容的第一端、第二端连接,上桥臂电路的功率晶体管的e极与下桥臂电路的功率晶体管的c极连接,上桥臂电路的功率晶体管的c极连接电源输入电路正极,下桥臂电路的功率晶体管的e极接电源输入电路的地,每组功率晶体管的g极连接一个光耦驱动电路的输出端。

3、加热线圈包括一个线圈或多个线圈串联,谐振电容包括一个电容或多个电容并联。

4、电源输入电路包括多路电源转换电路,多路电源转换电路包括24v转换电路、+15v隔离转换电路、±15v非隔离转换电路、5v转换电路、3.3v转换电路。

5、功率晶体管为mos管或igbt管。

6、本技术的有益效果为:通过设置半桥逆变电路,对直流电压直接逆变,去除了电源输入部分的升压电路,有利于降低电磁炉的重量并缩小体积,同时,半桥逆变电路比起单管逆变电路,更容易实现大功率输出,半桥逆变电路拥有上下桥臂共两个功率晶体管,有利于热量的分布,使低压电磁炉能够稳定大功率输出。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低压大功率的半桥电磁炉,包括电源输入电路,半桥逆变电路,单片机控制电路,输入采样电路,输出采样电路,多个光耦驱动电路,加热线圈,其特征在于:半桥逆变电路包括上桥臂电路、下桥臂电路,上桥臂电路、下桥臂电路分别设置功率晶体管、电容、谐振电容,功率晶体管的E极、C极分别与电容的第一端、第二端连接,上桥臂电路的功率晶体管的E极与下桥臂电路的功率晶体管的C极连接,上桥臂电路的功率晶体管的C极连接电源输入电路正极,下桥臂电路的功率晶体管的E极接电源输入电路的地,每组功率晶体管的G极连接一个光耦驱动电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的低压大功率的半桥电磁炉,其特征在于:加热线圈包括一个线圈或多个线圈串联,谐振电容包括一个电容或多个电容并联。

3.根据权利要求2所述的低压大功率的半桥电磁炉,其特征在于:所述电源输入电路包括多路电源转换电路,所述多路电源转换电路包括24V转换电路、+15V隔离转换电路、±15V非隔离转换电路、5V转换电路、3.3V转换电路。

4.根据权利要求2所述的低压大功率的半桥电磁炉,其特征在于:所述功率晶体管为MOS管或IGBT管。

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【技术特征摘要】

1.一种低压大功率的半桥电磁炉,包括电源输入电路,半桥逆变电路,单片机控制电路,输入采样电路,输出采样电路,多个光耦驱动电路,加热线圈,其特征在于:半桥逆变电路包括上桥臂电路、下桥臂电路,上桥臂电路、下桥臂电路分别设置功率晶体管、电容、谐振电容,功率晶体管的e极、c极分别与电容的第一端、第二端连接,上桥臂电路的功率晶体管的e极与下桥臂电路的功率晶体管的c极连接,上桥臂电路的功率晶体管的c极连接电源输入电路正极,下桥臂电路的功率晶体管的e极接电源输入电路的地,每组功率晶体管的g极连接一个光耦驱动电...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨传全金红旗
申请(专利权)人:广东海明晖电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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