【技术实现步骤摘要】
本技术涉及碳化硅晶片制造领域，尤其是涉及一种碳化硅晶片腐蚀专用提篮装置。
技术介绍
1、碳化硅衬底在生长过程中，含有螺位错tsd、刃位错ted、基平面位错bpd等晶体缺陷，晶体质量表征和缺陷分析是改善碳化硅晶体质量的重要环节。
2、相关技术中，碳化硅晶片螺位错tsd、刃位错ted、基平面位错bpd等晶体缺陷主要采用腐蚀后检测获得具体数据。晶片腐蚀时需要将晶片放置到提篮中，再将装有碳化硅晶片的提篮放置到腐蚀炉的坩埚内，腐蚀液进入提篮从而对晶圆进行高温腐蚀。然而相关技术中的提篮主要以单片为主，腐蚀效率低，晶片易滑动，在取放时存在晶片跌落的风险。
技术实现思路
1、本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术在于提出一种碳化硅晶片腐蚀专用提篮装置，可实现多片腐蚀，有利于提高腐蚀效率，同时可使得晶片在提篮装置中的放置可靠，有利于降低碳化硅晶片的跌落风险。
2、根据本技术的碳化硅晶片腐蚀专用提篮装置，所述提篮装置限定出多个放置槽，所述放置槽的上端具有适于取放碳化硅晶片的敞开口，所述放置槽与水平面之间的夹角为α，α满足：10°≤α≤30°；每个所述放置槽的底壁设有至少三个支撑块，所述支撑块被构造成在碳化硅晶片放入所述放置槽内后，碳化硅晶片支撑于所述支撑块且与所述放置槽的底壁间隔开。
3、根据本技术的碳化硅晶片腐蚀专用提篮装置，通过在提篮装置设置多个用于放置碳化硅晶片的放置槽，可实现多片腐蚀，有利于提高腐蚀效率，并且由于放置槽倾斜角度为α，在重
4、在本技术的一些实施例中，提篮装置包括：顶板、底板和三个立柱，所述顶板和所述底板在上下方向间隔开排布，所述顶板的顶壁设有挂钩，所述顶板和所述底板通过三个所述立柱相连，所述立柱设有多个在上下方向间隔排布的斜卡槽；多个托板，多个所述托板与多个所述斜卡槽一一对应卡接配合，上下相邻的两个所述托板与所述立柱之间限定出所述放置槽，所述支撑块设于所述托板的顶壁。
5、在本技术的一些实施例中，其中两个所述立柱在所述托板的径向上相对设置，剩下的一个所述立柱与径向相对设置的两个所述立柱在周向上的夹角为90°。
6、在本技术的一些实施例中，每个所述立柱在所述提篮装置的径向上的位置可调，多个所述托板包括不同规格尺寸的多组，每组托板组均适于与所述立柱可拆卸地相连，不同托板组适于存放不同尺寸的碳化硅晶片。
7、在本技术的一些实施例中，所述顶板设有多个第一滑槽，每个所述第一滑槽沿所述顶板的径向延伸，所述底板设有多个第二滑槽，多个所述第一滑槽和多个所述第二滑槽在上下方向相对设置，所述立柱的顶端与对应的所述第一滑槽滑动配合，所述立柱的顶端通过第一螺母和第二螺母与顶板相连，所述第一螺母和所述第二螺母分别位于所述顶板的上下两侧，所述立柱的底端与对应的所述第二滑槽滑动配合，所述立柱的底端通过第三螺母和第四螺母与所述底板相连，所述第三螺母和所述第四螺母分别位于所述底板的上下两侧。
8、在本技术的一些实施例中，所述支撑块为四个，其中一个所述支撑块位于所述托板的中心，另外三个所述支撑块在周向上环绕位于中心的所述支撑块排布。
9、在本技术的一些实施例中，所述托板和所述支撑块为一体件。
10、在本技术的一些实施例中，上下相邻的两个所述托板之间的间距为4.5mm-5.5mm，每个所述支撑块的高度为1.5mm-2.5mm。
11、在本技术的一些实施例中，所述托板设有多个减重孔。
12、在本技术的一些实施例中，所述顶板、所述底板、所述立柱和所述托板均为镍合金或纯镍件。
13、本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
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1.一种碳化硅晶片腐蚀专用提篮装置，其特征在于，所述提篮装置限定出多个放置槽，所述放置槽的上端具有适于取放碳化硅晶片的敞开口，所述放置槽与水平面之间的夹角为α，α满足：10°≤α≤30°；每个所述放置槽的底壁设有至少三个支撑块，所述支撑块被构造成在碳化硅晶片放入所述放置槽内后，碳化硅晶片支撑于所述支撑块且与所述放置槽的底壁间隔开。
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片腐蚀专用提篮装置，其特征在于，所述提篮装置包括：
3.根据权利要求2所述的碳化硅晶片腐蚀专用提篮装置，其特征在于，其中两个所述立柱在所述托板的径向上相对设置，剩下的一个所述立柱与径向相对设置的两个所述立柱在周向上的夹角为90°。
4.根据权利要求2所述的碳化硅晶片腐蚀专用提篮装置，其特征在于，每个所述立柱在所述提篮装置的径向上的位置可调，多个所述托板包括不同规格尺寸的多组，每组托板组均适于与所述立柱可拆卸地相连，不同托板组适于存放不同尺寸的碳化硅晶片。
5.根据权利要求4所述的碳化硅晶片腐蚀专用提篮装置，其特征在于，所述顶板设有多个第一滑槽，每个所述第一滑槽沿所述顶板的径
6.根据权利要求3所述的碳化硅晶片腐蚀专用提篮装置，其特征在于，所述支撑块为四个，其中一个所述支撑块位于所述托板的中心，另外三个所述支撑块在周向上环绕位于中心的所述支撑块排布。
7.根据权利要求3所述的碳化硅晶片腐蚀专用提篮装置，其特征在于，所述托板和所述支撑块为一体件。
8.根据权利要求3所述的碳化硅晶片腐蚀专用提篮装置，其特征在于，上下相邻的两个所述托板之间的间距为4.5mm-5.5mm，每个所述支撑块的高度为1.5mm-2.5mm。
9.根据权利要求3所述的碳化硅晶片腐蚀专用提篮装置，其特征在于，所述托板设有多个减重孔。
10.根据权利要求3所述的碳化硅晶片腐蚀专用提篮装置，其特征在于，所述顶板、所述底板、所述立柱和所述托板均为镍合金或纯镍件。
...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶片腐蚀专用提篮装置，其特征在于，所述提篮装置限定出多个放置槽，所述放置槽的上端具有适于取放碳化硅晶片的敞开口，所述放置槽与水平面之间的夹角为α，α满足：10°≤α≤30°；每个所述放置槽的底壁设有至少三个支撑块，所述支撑块被构造成在碳化硅晶片放入所述放置槽内后，碳化硅晶片支撑于所述支撑块且与所述放置槽的底壁间隔开。
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片腐蚀专用提篮装置，其特征在于，所述提篮装置包括：
3.根据权利要求2所述的碳化硅晶片腐蚀专用提篮装置，其特征在于，其中两个所述立柱在所述托板的径向上相对设置，剩下的一个所述立柱与径向相对设置的两个所述立柱在周向上的夹角为90°。
4.根据权利要求2所述的碳化硅晶片腐蚀专用提篮装置，其特征在于，每个所述立柱在所述提篮装置的径向上的位置可调，多个所述托板包括不同规格尺寸的多组，每组托板组均适于与所述立柱可拆卸地相连，不同托板组适于存放不同尺寸的碳化硅晶片。
5.根据权利要求4所述的碳化硅晶片腐蚀专用提篮装置，其特征在于，所述顶板设有多个第一滑槽，每个所述第一滑槽沿所述顶板的径向延伸，所述底板设有多个第二滑槽，多个所述第一滑槽和多个...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈传卫，徐玉婷，胡家乐，
申请(专利权)人：江苏集芯先进材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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