【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种包括氧化物半导体图案的薄膜晶体管阵列基板，并且更具体地，涉及一种薄膜晶体管阵列基板以及包括该薄膜晶体管阵列基板的显示装置，在所述薄膜晶体管阵列基板中，薄膜晶体管表现为低灰度的薄膜晶体管，漏电流被阻断，并且改善了在其被使用时因劣化差异引起的颜色偏差。
技术介绍
1、近来，随着多媒体的发展，平板显示装置的重要性不断增加。响应于此，诸如液晶显示装置、等离子体显示装置或有机发光显示装置之类的平板显示装置正在商业化。在这些平板显示装置中，有机发光显示装置由于其高响应速度、高亮度和宽视角而目前被广泛使用。
2、在有机发光显示装置中，以矩阵形状设置多个像素，并且每个像素包括由有机发光层表示的发光二极管部分和由薄膜晶体管表示的像素电路部分。像素电路部分包括提供驱动电流以操作有机发光二极管的驱动薄膜晶体管(tft)和向驱动薄膜晶体管提供栅极信号的开关薄膜晶体管(tft)。
3、此外，在有机发光显示装置的非有源区域中，可以设置向像素提供栅极信号的栅极驱动电路单元。
技术实现思路
1、如上所述，本公开涉及一种阵列基板和包括该阵列基板的显示装置。阵列基板包括驱动薄膜晶体管，该驱动薄膜晶体管设置在像素中，具体地设置在子像素的像素电路部分中，并且在截止状态下阻断漏电流。该驱动薄膜晶体管使得能够自由地以低灰度进行灰度表现。额外地，驱动薄膜晶体管还解决了难以以准确的颜色进行表现的问题，因为驱动薄膜晶体管的阈值电压在其被使用时会改变。
2、本公开的目的是提供一种包括
3、本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员可以从以下描述中清楚地理解上文未提及的其他目的。
4、为了实现该目的，本公开的薄膜晶体管阵列基板包括：基板，所述基板包括有源区域和设置在有源区域附近的非有源区域；以及设置在有源区域中的多个像素，其中每个像素包括多个子像素，每个子像素包括驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括氧化物半导体图案，并且像素中的子像素包括具有不同的驱动薄膜晶体管的沟道的宽长比的驱动薄膜晶体管。
5、像素包括红色、绿色和蓝色子像素。在像素的蓝色子像素中包括的驱动薄膜晶体管的沟道的宽长比可以小于在像素的其他子像素中包括的驱动薄膜晶体管的沟道的宽长比。
6、在像素的蓝色子像素中包括的驱动薄膜晶体管的沟道的长度可以大于在其他颜色子像素(即，像素中的红色和绿色子像素)中包括的驱动薄膜晶体管的沟道的长度。
7、示例性实施例的其他详细内容被包括在详细描述和附图中。
8、根据本公开，包括像素中的驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管包括氧化物半导体图案，使得在截止状态下阻断漏电流以降低功耗。本公开的子像素被设计为使得设置在红色、绿色和蓝色子像素中的驱动薄膜晶体管的沟道的宽长比可以校正由于使用每个子像素而导致的劣化问题。因此，提供了一种显示装置，在该显示装置中，一致地使用其中颜色坐标值的变化被最小化的显示装置作为显示装置以保持图像质量。
9、根据本公开的效果不限于上文所例举的内容，并且本说明书中包括更多的各种效果。
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1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述多个子像素包括红色、绿色和蓝色子像素，并且所述蓝色子像素中包括的驱动薄膜晶体管的沟道的宽长比最小。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述像素中的蓝色子像素中包括的驱动薄膜晶体管的沟道的长度最大。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述驱动薄膜晶体管包括：
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其中在所述第一氧化物半导体图案和所述第一栅极电极之间产生的寄生电容小于在所述第一氧化物半导体图案和所述第一下部导电图案之间产生的寄生电容。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的薄膜晶体管阵列基板，进一步包括：
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述多个子像素包括红色、绿色和蓝色子像素，并且所述蓝色子像素中包括的驱动薄膜晶体管的沟道的宽长比最小。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述像素中的蓝色子像素中包括的驱动薄膜晶体管的沟道的长度最大。
4.根...
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