System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 量子点复合物、制备其的方法和包括其的显示装置制造方法及图纸_技高网

量子点复合物、制备其的方法和包括其的显示装置制造方法及图纸

技术编号:41994794 阅读:7 留言:0更新日期:2024-07-12 12:20
本发明专利技术涉及量子点复合物、制备其的方法和包括其的显示装置。实施方式提供了量子点复合物,其包括量子点、键合在量子点的表面上并且含有亲水基团的配体和键合在量子点的表面上并且含有氧化铝的保护层。实施方式也提供了包括量子点复合物的显示装置。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及量子点复合物、用于制备量子点复合物的方法和包括量子点复合物的显示装置。


技术介绍

1、正在开发在多媒体装置(比如,电视、移动电话、平板计算机、导航装置和游戏控制台)中使用的各种显示装置。这些显示装置包括含有所谓的自发光发光元件的显示模组,其中发光材料发射光以实施显示。

2、为了改善显示装置的颜色再现性,显示模组可根据像素包括不同类型的光控制层。光控制层可仅透射波长范围内的一部分源光,或可改变源光的波长范围。正在进行使用量子点作为发光材料的发光元件的开发,并且需要改善使用量子点的发光元件的发光效率和高颜色特性。

3、应理解,该
技术介绍
章节旨在部分提供用于理解该技术的有用的背景。然而,该
技术介绍
章节也可包括在本文中公开的主题的对应有效申请日之前不被相关领域的技术人员已知或理解的一部分的想法、概念或认知。


技术实现思路

1、实施方式提供了展示出高光致发光量子产率和卓越的稳定性的量子点复合物。

2、实施方式也提供了用于制备展示出高光致发光量子产率和卓越的稳定性的量子点复合物的方法。

3、本公开也提供了包括量子点复合物并且具有改善的发光效率的显示装置。

4、实施方式提供了量子点复合物,其可包括量子点、键合在量子点的表面上并且包括亲水基团的配体和键合在量子点的表面上并且包括氧化铝的保护层。

5、在实施方式中,亲水基团可为聚乙二醇基或(甲基)丙烯酸酯基。

6、在实施方式中,配体可包括键合在量子点的表面上的第一头部、连接至第一头部的第一连接部和连接至第一连接部的第一尾部;并且第一连接部和第一尾部中的至少一个可包括亲水基团。

7、在实施方式中,第一头部可为硫醇基、二硫代羧酸基、膦基、儿茶酚基、胺基或羧酸基。

8、在实施方式中,配体可为单齿配体或二齿配体。

9、在实施方式中,配体可由式1-1或式1-2表示。

10、[式1-1]

11、*-a1-y1

12、[式1-2]

13、

14、在式1-1和式1-2中,a1至a3可各自独立地为o、s或nh;y1和y2可各自独立地为由式2-1至式2-3中的一个表示的部分;并且*-为连接在量子点的表面上的位置:

15、[式2-1]

16、

17、[式2-2]

18、

19、[式2-3]

20、

21、在式2-1至式2-3中,r1和r2可各自独立地为取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基或者取代的或未取代的具有2至20个碳原子的烯基;r3可为氢原子或者取代的或未取代的甲基;n1至n3可各自独立地为选自1至20的整数;并且可为连接至式1-1或式1-2的位置。

22、在实施方式中,量子点可包括核和围绕核的壳;并且配体和保护层可各自键合在壳的表面上。

23、在实施方式中,核可包括第一半导体纳米晶体;壳可包括与第一半导体纳米晶体不同的第二半导体纳米晶体;并且第一半导体纳米晶体和第二半导体纳米晶体可各自独立地为第ii-vi族化合物、第iii-vi族化合物、第i-iii-vi族化合物、第iii-v族化合物、第iii-ii-v族化合物、第iv-vi族化合物、第iv族元素、第iv族化合物或其任何组合。

24、在实施方式中,核可包括inp或agingas。

25、在实施方式中,保护层可围绕量子点的表面。

26、在实施方式中,用于制备量子点复合物的方法可包括提供第一量子点复合物,第一量子点复合物包括量子点和键合在量子点的表面上的第一配体;用包括亲水基团的第二配体交换与第一量子点复合物键合的第一配体,以形成第二量子点复合物;以及使氧化铝前体与第二量子点复合物的表面反应。

27、在实施方式中,氧化铝前体可包括三甲基铝、异丙醇铝和氯化铝中的至少一种。

28、在实施方式中,可通过使氧化铝前体与第二量子点复合物的表面反应来形成覆盖第二量子点复合物的保护层。

29、在实施方式中,第二量子点复合物的形成可包括在第一温度下加热包括第一量子点复合物、第一溶剂和第二配体的第一混合物。

30、在实施方式中,使氧化铝前体与第二量子点复合物的表面反应可包括将包括第二量子点复合物和第二溶剂的第二混合物放入反应器并且使第二混合物在第二温度下反应,以及将氧化铝前体注入反应器中。

31、在实施方式中,氧化铝前体与第二量子点复合物的表面反应可进一步包括在注入氧化铝前体之后将氧气注入反应器中。

32、在实施方式中,第二配体可由式1-1或式1-2表示。

33、[式1-1]

34、*-a11-y1

35、[式1-2]

36、

37、在式1-1和式1-2中,a1至a3可各自独立地为o、s或nh;y1和y2可各自独立地为由式2-1至式2-3中的一个表示的部分;并且*-可为连接在量子点的表面上的位置。

38、[式2-1]

39、

40、[式2-2]

41、

42、[式2-3]

43、

44、在式2-1至式2-3中,r1和r2可各自独立地为取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基或者取代的或未取代的具有2至20个碳原子的烯基;r3可为氢原子或者取代的或未取代的甲基;n1至n3可各自独立地为选自1至20的整数;并且可为连接至式1-1或式1-2的位置。

45、在实施方式中,量子点复合物的光转换效率的保持率可等于或大于约90%,并且光转换效率的保持率可由方程式1表示。

46、[方程式1]

47、光转换效率的保持率=(e1/e2)×100%

48、在方程式1中,e1可为以约60mw/cm2的光量向量子点复合物发射波长为约460nm的激发光约500小时后测量的光致发光量子产率;并且e2可为在发射激发光之前测量的光致发光量子产率。

49、在实施方式中,显示装置可包括显示面板,和设置在显示面板上并且包括多个光控制部件的光转换层,其中

50、多个光控制部件中的至少一个可包括量子点复合物;并且量子点复合物可包括量子点、键合在量子点的表面上并且包括亲水基团的配体和键合在量子点的表面上并且包括氧化铝的保护层。

51、在实施方式中,显示面板可包括生成第一光的发光元件;并且光转换层可包括透射第一光的第一光控制部件,将第一光转换为第二光的第二光控制部件,和将第一光转换为第三光的第三光控制部件。

52、应理解,上面的实施方式仅以一般性和解释性的意义描述,而不是为了限制的目的,并且本公开不限于上述实施方式。

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【技术保护点】

1.一种量子点复合物,包括:

2.根据权利要求1所述的量子点复合物,其中所述亲水基团为聚乙二醇基或(甲基)丙烯酸酯基。

3.根据权利要求1所述的量子点复合物,其中

4.根据权利要求3所述的量子点复合物,其中所述第一头部为硫醇基、二硫代羧酸基、膦基、儿茶酚基、胺基或羧酸基。

5.根据权利要求1所述的量子点复合物,其中所述配体为单齿配体或二齿配体。

6.根据权利要求1所述的量子点复合物,其中所述配体由式1-1或式1-2表示:

7.根据权利要求1所述的量子点复合物,其中

8.根据权利要求7所述的量子点复合物,其中

9.根据权利要求7所述的量子点复合物,其中所述核包括InP或AgInGaS。

10.根据权利要求1所述的量子点复合物,其中所述保护层围绕所述量子点的所述表面。

11.一种用于制备量子点复合物的方法,包括:

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述氧化铝前体包括三甲基铝、异丙醇铝和氯化铝中的至少一种。

13.根据权利要求11所述的方法,其中通过使所述氧化铝前体与所述第二量子点复合物的所述表面反应来形成覆盖所述第二量子点复合物的保护层。

14.根据权利要求11所述的方法,其中所述第二量子点复合物的所述形成包括在第一温度下加热包括所述第一量子点复合物、第一溶剂和所述第二配体的第一混合物。

15.根据权利要求11所述的方法,其中使所述氧化铝前体与所述第二量子点复合物的所述表面反应包括:

16.根据权利要求15所述的方法,其中所述氧化铝前体与所述第二量子点复合物的所述表面的所述反应进一步包括:

17.根据权利要求11所述的方法,其中所述第二配体由式1-1或式1-2表示:

18.根据权利要求11所述的方法,其中

19.一种显示装置,包括:

20.根据权利要求19所述的显示装置,其中

...

【技术特征摘要】

1.一种量子点复合物,包括:

2.根据权利要求1所述的量子点复合物,其中所述亲水基团为聚乙二醇基或(甲基)丙烯酸酯基。

3.根据权利要求1所述的量子点复合物,其中

4.根据权利要求3所述的量子点复合物,其中所述第一头部为硫醇基、二硫代羧酸基、膦基、儿茶酚基、胺基或羧酸基。

5.根据权利要求1所述的量子点复合物,其中所述配体为单齿配体或二齿配体。

6.根据权利要求1所述的量子点复合物,其中所述配体由式1-1或式1-2表示:

7.根据权利要求1所述的量子点复合物,其中

8.根据权利要求7所述的量子点复合物,其中

9.根据权利要求7所述的量子点复合物,其中所述核包括inp或agingas。

10.根据权利要求1所述的量子点复合物,其中所述保护层围绕所述量子点的所述表面。

11.一种用于制备量子点复合物的方法,包括:

12.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴家原南周吾李庆植张胜熙张宰福
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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