【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体加工，尤其涉及一种基于多参数的晶圆片研磨控制方法及系统。
技术介绍
1、在光学和半导体工件加工过程，产品质量受盘型变化的影响，而上下盘面形状随温度和加工损耗发生变化，盘形的变化直接影响产品加工质量；而目前主要采用停机静态取出工件使用特殊工具才能测量，不仅测量过程繁琐影响效率，还无法准确监测运行过程盘形的变化值，从而导致难以实现精度较高的研磨控制。
2、前，现有晶圆片研磨加工控制方法，由于无法准确监测研磨过程中上下盘形变化值，导致无法及时对研磨控制参数进行针对性优化校正，影响研磨设备的运行稳定性和研磨精度，造成无法实现高精度研磨控制的技术问题。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种基于多参数的晶圆片研磨控制方法及系统，用以解决现有晶圆片研磨加工控制方法，由于无法准确监测研磨过程中上下盘形变化值，导致无法及时对研磨控制参数进行针对性优化校正，影响研磨设备的运行稳定性和研磨精度，造成无法实现高精度研磨控制的技术问题。
2、鉴于上述问题，本申请提供了一种基于多参数的晶圆片研磨控制方法及系统。
3、第一方面，本申请提供了一种基于多参数的晶圆片研磨控制方法，所述方法通过一种基于多参数的晶圆片研磨控制系统实现，其中，所述系统和位移传感器阵列、温度传感器阵列通信连接，所述位移传感器阵列部署于晶圆片研磨上定盘，所述位移传感器阵列至少包括三个位移传感器，所述方法包括：当晶圆片开始研磨时，通过位移传感器阵列，监测盘面距离，生成前置盘面距离波动曲线；
4、第二方面，本申请还提供了一种基于多参数的晶圆片研磨控制系统，用于执行如第一方面所述的一种基于多参数的晶圆片研磨控制方法，其中，所述系统和位移传感器阵列、温度传感器阵列通信连接，所述位移传感器阵列部署于晶圆片研磨上定盘，所述位移传感器阵列至少包括三个位移传感器，所述系统包括：盘面距离监测模块，所述盘面距离监测模块用于当晶圆片开始研磨时，通过位移传感器阵列，监测盘面距离，生成前置盘面距离波动曲线；盘面距离预测模块，所述盘面距离预测模块用于通过温度传感器阵列，监测晶圆片研磨温度，生成前置温度波动曲线，根据所述前置温度波动曲线进行盘面距离预测，生成前置盘面距离预测波动曲线；后置温度波动预测曲线生成模块，所述后置温度波动预测曲线生成模块用于当所述前置盘面距离波动曲线和所述前置盘面距离预测波动曲线的第一相似系数大于或等于相似系数阈值，根据晶圆片研磨设备型号、晶圆片型号、研磨控制参数和环境温度，通过温度波动预测模块，生成后置温度波动预测曲线；后置盘面距离预测波动曲线生成模块，所述后置盘面距离预测波动曲线生成模块用于根据所述后置温度波动预测曲线进行盘面距离预测，生成后置盘面距离预测波动曲线；第一适应度参数生成模块，所述第一适应度参数生成模块用于对所述后置盘面距离预测波动曲线进行方差评价，生成第一适应度参数；第二适应度参数生成模块，所述第二适应度参数生成模块用于对所述后置盘面距离预测波动曲线进行众数评价，生成第二适应度参数；研磨控制参数寻优模块，所述研磨控制参数寻优模块用于根据所述第一适应度参数和所述第二适应度参数，对所述研磨控制参数进行寻优，生成研磨控制参数优化结果；晶圆片研磨控制模块，所述晶圆片研磨控制模块用于根据所述研磨控制参数优化结果执行晶圆片研磨控制。
5、本申请中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
6、首先，当晶圆片开始研磨时，通过位移传感器阵列，监测盘面距离，生成前置盘面距离波动曲线；通过温度传感器阵列，监测晶圆片研磨温度，生成前置温度波动曲线，根据所述前置温度波动曲线进行盘面距离预测，生成前置盘面距离预测波动曲线；当所述前置盘面距离波动曲线和所述前置盘面距离预测波动曲线的第一相似系数大于或等于相似系数阈值，根据晶圆片研磨设备型号、晶圆片型号、研磨控制参数和环境温度，通过温度波动预测模块，生成后置温度波动预测曲线；根据所述后置温度波动预测曲线进行盘面距离预测，生成后置盘面距离预测波动曲线；对所述后置盘面距离预测波动曲线进行方差评价，生成第一适应度参数；对所述后置盘面距离预测波动曲线进行众数评价，生成第二适应度参数；根据所述第一适应度参数和所述第二适应度参数，对所述研磨控制参数进行寻优，生成研磨控制参数优化结果；根据所述研磨控制参数优化结果执行晶圆片研磨控制。也就是说，通过布设位移传感器和温度传感器，在晶圆片研磨加工时，通过位移传感器监测上下盘面距离，生成前置盘面距离波动曲线，另一方面通过温度传感器监测晶圆片研磨温度，基于前置温度波动曲线进行盘面距离预测，生成前置盘面距离预测波动曲线，其中监测温度和上下盘面间距负相关；接着对前置盘面距离波动曲线和前置盘面距离预测波动曲线进行相似比对，并在相似系数大于预设相似系数阈值时，基于晶圆片研磨设备型号、晶圆片型号、研磨控制参数和环境温度进行温度波动预测，得到后置温度波动预测曲线，进一步根据后置温度波动预测曲线进行盘面距离预测，生成后置盘面距离预测波动曲线；然后分别对后置盘面距离预测波动曲线进行方差评价和众数评价，得到第一适应度参数和第二适应度参数；最后基于第一适应度参数和第二适应度参数对研磨控制参数进行寻优，基于优化结果进行晶圆片研磨控制。可以实现上下盘形变化监测的智能化和自动化，进而提高上下盘形变化监测的准确性和效率，同时基于上下盘形变化监测结果对研磨控制参数进行及时调整和优化，可以提高研磨设备的运行稳定性和研磨精度，达到对晶圆片进行高精度研磨的技术效果。
7、上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本申请的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本申请的范围。本申请的其他特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
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1.基于多参数的晶圆片研磨控制方法，其特征在于，应用于多参数的晶圆片研磨控制系统，所述系统和位移传感器阵列、温度传感器阵列通信连接，所述位移传感器阵列部署于晶圆片研磨上定盘，所述位移传感器阵列至少包括三个位移传感器，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当晶圆片开始研磨时，通过位移传感器阵列，监测盘面距离，生成前置盘面距离波动曲线，包括：
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过温度传感器阵列，监测晶圆片研磨温度，生成前置温度波动曲线，根据所述前置温度波动曲线进行盘面距离预测，生成前置盘面距离预测波动曲线，包括：
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，以所述盘面距离记录时序信息为监督，以所述温度波动记录时序信息和所述基准盘面距离记录信息为输入，训练循环神经网络，生成所述盘面距离预测网络，包括：
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一相似系数生成步骤包括：
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据晶圆片研磨设备型号、晶圆片型号、研磨控制参数和环境温度，通过温度波动预测模块，生成后置温度波动预测
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述第一适应度参数和所述第二适应度参数，对所述研磨控制参数进行寻优，生成研磨控制参数优化结果，包括：
8.基于多参数的晶圆片研磨控制系统，其特征在于，用于实施权利要求1至7中任意一项所述方法的步骤，所述系统和位移传感器阵列、温度传感器阵列通信连接，所述位移传感器阵列部署于晶圆片研磨上定盘，所述位移传感器阵列至少包括三个位移传感器，包括：
...【技术特征摘要】
1.基于多参数的晶圆片研磨控制方法，其特征在于，应用于多参数的晶圆片研磨控制系统，所述系统和位移传感器阵列、温度传感器阵列通信连接，所述位移传感器阵列部署于晶圆片研磨上定盘，所述位移传感器阵列至少包括三个位移传感器，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当晶圆片开始研磨时，通过位移传感器阵列，监测盘面距离，生成前置盘面距离波动曲线，包括：
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过温度传感器阵列，监测晶圆片研磨温度，生成前置温度波动曲线，根据所述前置温度波动曲线进行盘面距离预测，生成前置盘面距离预测波动曲线，包括：
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，以所述盘面距离记录时序信息为监督，以所述温度波动记录时序信息和所述基准盘面距离记录信息为输入，训练...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑勇，高敬帅，杨华斌，
申请(专利权)人：名正浙江电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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