【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种tec驱动电路，特别是涉及一种大功率tec电桥驱动电路，属于tec驱动电路。
技术介绍
1、tec(thermo-electric cooler)即热电制冷器，是一种基于peltier效应的制冷器件，其工作原理是利用半导体材料在电场作用下产生的热电效应，将热量从一个端口转移到另一个端口，从而实现制冷或加热的目的。
2、在现有技术中，半导体制冷器tec驱动电路都是小功率的驱动电路，电路的工作电压一般都是12v，工作的电流也比较小。而在需要tec制冷到0℃以下且辐射面源更大的情况下，就需要功率更大的tec，且多块tec串联或者并联来达到理想的制冷效果。而无论是多块tec串联还是并联，都需要更大的功率才能维持tec的正常工作。通常用于tec电桥驱动的执行器主要有固态继电器、可控硅、mos管等，mos管相较于固态继电器和可控硅，具有成本低、功耗低、开关速度快、体积小等优点。
3、mos管在导通时，其导通电阻会随着电流的增大而增大。因此，在大电流的情况下，mos管的功耗会增大，并会散发大量的热量，导致电路在工作时不稳定，为此设计一种大功率的tec电桥驱动电路来解决上述问题。
技术实现思路
1、本技术要解决的技术问题是：本技术提供一种大功率tec电桥驱动电路，用于解决驱动电路在工作时不稳定、导通损耗高、散热性能不好、tec驱动电路的效率低的问题。本技术所述tec电桥驱动电路通过电源vcc端进行供电，然后通过第一组mos管电路、第二组mos管电路、第三组mo
2、本技术技术方案是：一种大功率tec电桥驱动电路，包括第一组mos管电路、第二组mos管电路、第三组mos管电路、第四组mos管电路、半导体制冷器tec、整流滤波电路，所述第一组mos管电路和第二组mos管电路均由多个功率pmos管并联、多个分压电阻以及由pwm控制开关的nmos管组成，pwm能够控制nmos管的开关来控制多个功率pmos管的开关；第三组mos管电路和第四组mos管电路均由多个功率nmos管、多个分压电阻以及由pwm控制开关的nmos管组成，pwm能够控制nmos管的开关来控制多个功率nmos管的开关；所述pwm用于控制流过tec的电流大小，并且所述的第一组、第二组、第三组、第四组mos管电路用于控制通过tec的电流方向。
3、进一步地，所述第一组mos管电路包括多个功率pmos管pmos1_1,…,pmos1_n并联，以及两个分压电阻r1,r2，以及pwm控制的nmos管nmos5，所述多个功率pmos管pmos1_1,…,pmos1_n并联并且源极与vcc相接，栅极接在分压电阻r1、r2之间，漏极与整流滤波电感l1的一端相接，所述两个分压电阻r1、r2，但不限于两个，分压电阻r1的一端接vcc电源，另一端接多个功率pmos管的栅极，分压电阻r2的一端接多个功率pmos管的栅极，另一端接nmos管nmos5的漏极，所述pwm控制的nmos管nmos5的漏极接分压电阻r2的一端，栅极接pwm控制信号，源极接gnd。
4、进一步地，所述第二组mos管电路包括多个功率pmos管pmos2_1,…,pmos2_n并联,以及两个分压电阻r3,r4，以及pwm控制的nmos管nmos6，所述多个功率pmos管pmos2_1,…,pmos2_n并联并且源极与vcc相接，栅极接在分压电阻r3、r4之间，漏极与整流滤波电感l2的一端相接，所述两个分压电阻r3、r4,但不限于两个，分压电阻r3的一端接vcc电源，另一端接多个功率pmos管的栅极，分压电阻r4的一端接多个功率pmos管的栅极，另一端接nmos管nmos6的漏极，所述pwm控制的nmos管nmos6的漏极接分压电阻r4的一端，栅极接pwm控制信号，源极接gnd。
5、进一步地，所述第三组mos管电路包括多个功率nmos管nmos3_1,…,nmos3_n并联,以及两个分压电阻r5,r6，以及pwm控制的nmos管nmos7，所述多个功率nmos管nmos3_1,…,nmos3_n并联并且漏极与整流滤波电感l1的一端相连，栅极接在分压电阻r5、r6之间，源极接gnd，所述两个分压电阻r5、r6,但不限于两个，分压电阻r5的一端接vcc电源，另一端接多个功率nmos管的栅极，分压电阻r6的一端接多个功率nmos管的栅极，另一端接gnd，所述pwm控制的nmos管nmos7的漏极接在两个分压电阻r5、r6之间，栅极接pwm控制信号，源极接gnd。
6、进一步地，所述第四组mos管电路包括多个功率nmos管nmos4_1,…,nmos4_n并联,以及两个分压电阻r7,r8，以及pwm控制的nmos管nmos8，所述多个功率pmos管nmos4_1,…,nmos4_n并联并且漏极与整流滤波电感l2的一端相连，栅极接在分压电阻r7、r8之间，源极接gnd，所述两个分压电阻r7、r8,但不限于两个，分压电阻r7的一端接vcc电源，另一端接多个功率nmos管的栅极，分压电阻r8的一端接多个功率nmos管的栅极，另一端接gnd，所述pwm控制的nmos管nmos8的漏极接在两个分压电阻r7、r8之间，栅极接pwm控制信号，源极接gnd。
7、进一步地，所述整流滤波电路由电感l1、l2组成，电感l1的一端接在tec的1端，另一端与第一组mos管电路的多个功率pmos管的漏极和第三组mos管电路的多个功率nmos管的源极相接，电感l2的一端接在tec的2端，另一端与第二组mos管电路的多个功率pmos管的漏极和第四组mos管电路的多个功率nmos管的源极相接。
8、所述pwm控制信号是一种对模拟信号电平进行数字编码的方法，pwm控制信号的高电平电压能够使nmos管的栅极达到导通所需的电压，即nmos管导通，pwm控制信号的低电平电压能够使mos管使nmos管截止。通过改变pwm控制信号的占空比，改变栅极与源极之间的mos管导通和截止的时间比例,从而能够改变通过tec的电流。控制pwm信号时，功率管pmos组pmos1_1,…,pmos1_n和nmos组nmos3_1,…,nmos3_n不能同时导通，功率管pmos组pmos2_1,…,pmos2_n和nmos组nmos4_1,…,nmos4_n不能同时导通，功率管pmos组pmos1_1,…,pmos1_n和nmos组nmos4_1,…,nmos4_n同时导通，电流经vcc流到功率管pmos组pmos1_1,…,pmos1_n,再从tec的1端流向2端，本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种大功率TEC电桥驱动电路，其特征在于：包括第一组MOS管电路、第二组MOS管电路、第三组MOS管电路、第四组MOS管电路、半导体制冷器TEC、整流滤波电路，所述第一组MOS管电路和第二组MOS管电路均由多个功率PMOS管并联、多个分压电阻以及由PWM控制开关的NMOS管组成，PWM能够控制NMOS管的开关来控制多个功率PMOS管的开关；第三组MOS管电路和第四组MOS管电路均由多个功率NMOS管、多个分压电阻以及由PWM控制开关的NMOS管组成，PWM能够控制NMOS管的开关来控制多个功率NMOS管的开关；所述PWM用于控制流过TEC的电流大小，并且所述的第一组、第二组、第三组、第四组MOS管电路用于控制通过TEC的电流方向。
2.根据权利要求1所述的大功率TEC电桥驱动电路，其特征在于：所述第一组MOS管电路包括多个功率PMOS管PMOS1_1,…,PMOS1_N并联，以及两个分压电阻R1,R2，以及PWM控制的NMOS管NMOS5，所述多个功率PMOS管PMOS1_1,…,PMOS1_N并联并且源极与VCC相接，栅极接在分压电阻R1、R2之间，漏极与整流滤
3.根据权利要求1所述的大功率TEC电桥驱动电路，其特征在于：所述第二组MOS管电路包括多个功率PMOS管PMOS2_1,…,PMOS2_N并联,以及两个分压电阻R3,R4，以及PWM控制的NMOS管NMOS6，所述多个功率PMOS管PMOS2_1,…,PMOS2_N并联并且源极与VCC相接，栅极接在分压电阻R3、R4之间，漏极与整流滤波电感L2的一端相接，所述两个分压电阻R3、R4，分压电阻R3的一端接VCC电源，另一端接多个功率PMOS管的栅极，分压电阻R4的一端接多个功率PMOS管的栅极，另一端接NMOS管NMOS6的漏极，所述PWM控制的NMOS管NMOS6的漏极接分压电阻R4的一端，栅极接PWM控制信号，源极接GND。
4.根据权利要求1所述的大功率TEC电桥驱动电路，其特征在于：所述第三组MOS管电路包括多个功率NMOS管NMOS3_1,…,NMOS3_N并联,以及两个分压电阻R5,R6，以及PWM控制的NMOS管NMOS7，所述多个功率NMOS管NMOS3_1,…,NMOS3_N并联并且漏极与整流滤波电感L1的一端相连，栅极接在分压电阻R5、R6之间，源极接GND，所述两个分压电阻R5、R6，分压电阻R5的一端接VCC电源，另一端接多个功率NMOS管的栅极，分压电阻R6的一端接多个功率NMOS管的栅极，另一端接GND，所述PWM控制的NMOS管NMOS7的漏极接在两个分压电阻R5、R6之间，栅极接PWM控制信号，源极接GND。
5.根据权利要求1所述的大功率TEC电桥驱动电路，其特征在于：所述第四组MOS管电路包括多个功率NMOS管NMOS4_1,…,NMOS4_N并联,以及两个分压电阻R7,R8，以及PWM控制的NMOS管NMOS8，所述多个功率PMOS管NMOS4_1,…,NMOS4_N并联并且漏极与整流滤波电感L2的一端相连，栅极接在分压电阻R7、R8之间，源极接GND，所述两个分压电阻R7、R8，分压电阻R7的一端接VCC电源，另一端接多个功率NMOS管的栅极，分压电阻R8的一端接多个功率NMOS管的栅极，另一端接GND，所述PWM控制的NMOS管NMOS8的漏极接在两个分压电阻R7、R8之间，栅极接PWM控制信号，源极接GND。
6.根据权利要求1所述的大功率TEC电桥驱动电路，其特征在于：所述整流滤波电路由电感L1、L2组成，电感L1的一端接在TEC的1端，另一端与第一组MOS管电路的多个功率PMOS管的漏极和第三组MOS管电路的多个功率NMOS管的源极相接，电感L2的一端接在TEC的2端，另一端与第二组MOS管电路的多个功率PMOS管的漏极和第四组MOS管电路的多个功率NMOS管的源极相接。
...【技术特征摘要】
1.一种大功率tec电桥驱动电路，其特征在于：包括第一组mos管电路、第二组mos管电路、第三组mos管电路、第四组mos管电路、半导体制冷器tec、整流滤波电路，所述第一组mos管电路和第二组mos管电路均由多个功率pmos管并联、多个分压电阻以及由pwm控制开关的nmos管组成，pwm能够控制nmos管的开关来控制多个功率pmos管的开关；第三组mos管电路和第四组mos管电路均由多个功率nmos管、多个分压电阻以及由pwm控制开关的nmos管组成，pwm能够控制nmos管的开关来控制多个功率nmos管的开关；所述pwm用于控制流过tec的电流大小，并且所述的第一组、第二组、第三组、第四组mos管电路用于控制通过tec的电流方向。
2.根据权利要求1所述的大功率tec电桥驱动电路，其特征在于：所述第一组mos管电路包括多个功率pmos管pmos1_1,…,pmos1_n并联，以及两个分压电阻r1,r2，以及pwm控制的nmos管nmos5，所述多个功率pmos管pmos1_1,…,pmos1_n并联并且源极与vcc相接，栅极接在分压电阻r1、r2之间，漏极与整流滤波电感l1的一端相接，所述两个分压电阻r1、r2，分压电阻r1的一端接vcc电源，另一端接多个功率pmos管的栅极，分压电阻r2的一端接多个功率pmos管的栅极，另一端接nmos管nmos5的漏极，所述pwm控制的nmos管nmos5的漏极接分压电阻r2的一端，栅极接pwm控制信号，源极接gnd。
3.根据权利要求1所述的大功率tec电桥驱动电路，其特征在于：所述第二组mos管电路包括多个功率pmos管pmos2_1,…,pmos2_n并联,以及两个分压电阻r3,r4，以及pwm控制的nmos管nmos6，所述多个功率pmos管pmos2_1,…,pmos2_n并联并且源极与vcc相接，栅极接在分压电阻r3、r4之间，漏极与整流滤波电感l2的一端相接，所述两个分压电阻r3、r4，分压电阻r3的一端接vcc电源，另一端接多个功率pmos管的栅极，分压电阻r4的一端接多个功率pmos管的...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄镜振，范永杰，王正吉，李冠霖，宋德庆，黄中滤，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：新型
国别省市：
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