【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种接触孔的形成方法。
技术介绍
1、现有技术的接触孔的形成方法为，首先提供衬底110，衬底110包括soi基底，在衬底110的表面形成栅极结构120，具体的为，在衬底110的表面形成栅氧化层121，在栅氧化层121上形成多晶硅栅，在多晶硅栅两侧形成侧墙130，侧墙130覆盖多晶硅栅和栅氧化层121的侧面，侧墙130的顶端由于工艺的原因在顶端部分的厚度比底端部分较薄。接着，在与多晶硅栅极相对的侧墙的外侧的soi基底内分别形成源端141和漏端142。接着，在soi基底的表面形成场氧化层150。接着，去除多晶硅栅极，以在侧墙130内形成凹槽，凹槽内露出栅氧化层121的表面。接着，在栅氧化层121的表面形成高k介质层122，高k介质层122同时覆盖凹槽的侧面。高k介质层122继续形成凹槽，凹槽内形成功函层123，功函层123覆盖高k介质层122的内壁，功函层123继续形成凹槽，在功函层123形成的凹槽内形成金属栅极124。金属栅极124、功函层123、高k介质层122和栅氧化层121组成栅极结构120。在场氧化层150的表面形成高密度等离子体氧化层160，高密度等离子体氧化层160覆盖侧墙130的表面和栅极结构120的表面。刻蚀部分高密度等离子体氧化层160和场氧化层150，形成位于高密度等离子体氧化层160（hdp）和场氧化层150（fox）内的第一通孔，在第一通孔内填充金属，例如钨，形成与源端140和漏端142均连通的第一接触孔270。
2、然而，现有技术的侧墙130的顶端部分较薄，随着
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种接触孔的形成方法，可以减少栅极结构和接触孔之间发生短路的几率。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种接触孔的形成方法，包括：
3、提供衬底，在所述衬底的表面形成栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的侧墙，所述侧墙的顶端部分的厚度小于侧墙的底端部分的厚度；
4、在所述侧墙外侧的衬底内分别形成源端和漏端；
5、在所述衬底的表面分别形成第一介质层和若干第一接触孔，若干所述第一接触孔位于所述第一介质层内，若干所述第一接触孔分别与所述源端和漏端分别连通；
6、去除部分厚度的所述第一介质层，以露出所述侧墙的顶端部分、栅极结构的表面、第一接触孔的表面以及部分第一接触孔的侧面；
7、在所述第一介质层的表面形成绝缘层，所述绝缘层同时覆盖所述侧墙的顶端部分、栅极结构的表面、第一接触孔的表面以及部分第一接触孔的侧面；
8、去除所述第一介质层的表面的绝缘层、栅极结构的表面的绝缘层以及第一接触孔表面的绝缘层，保留所述侧墙顶端部分的绝缘层以及第一接触孔侧面的绝缘层；
9、增加所述第一介质层的厚度，以使得所述第一介质层覆盖所述栅极结构和侧墙，所述第一介质层的表面与所述第一接触孔的表面齐平。
10、可选的，在所述的接触孔的形成方法中，所述栅极结构包括：位于所述衬底表面的栅氧化层，位于所述栅氧化层上方的金属栅极，所述金属栅极依次通过功函层和高k介质层与所述栅氧化层和侧墙隔开。
11、可选的，在所述的接触孔的形成方法中，湿法刻蚀去除部分厚度的所述第一介质层。
12、可选的，在所述的接触孔的形成方法中，在所述衬底的表面分别形成第一介质层和若干第一接触孔，若干所述第一接触孔位于所述第一介质层内，若干所述第一接触孔分别与所述源端和漏端分别连通的方法包括：
13、在所述衬底的表面依次形成氧化层和高密度等离子体氧化层，刻蚀所述高密度等离子体氧化层和氧化层，以在所述氧化层和高密度等离子体氧化层内形成第一通孔，所述第一通孔内露出所述源端和漏端；
14、向所述第一通孔内填充金属，以形成第一接触孔。
15、可选的，在所述的接触孔的形成方法中，向所述第一通孔内填充钨金属，以形成第一接触孔。
16、可选的，在所述的接触孔的形成方法中，增加所述第一介质层的厚度的方法包括：
17、在所述高密度等离子体氧化层的表面继续沉积高密度等离子体氧化材料层，并研磨所述高密度等离子体氧化材料层的表面，以增加所述高密度等离子体氧化层的厚度。
18、可选的，在所述的接触孔的形成方法中，增加所述第一介质层的厚度，以使得所述第一介质层覆盖所述栅极结构和侧墙，所述第一介质层的表面与所述第一接触孔的表面齐平之后，还包括：
19、在所述第一介质的表面分别形成第二介质层和若干第二接触孔，若干所述第二接触孔位于所述第二介质层内，若干所述第二接触孔分别连通所述栅极结构和第一接触孔。
20、可选的，在所述的接触孔的形成方法中，在所述第一介质的表面分别形成第二介质层和若干第二接触孔，若干所述第二接触孔位于所述第二介质层内，若干所述第二接触孔分别连通所述栅极结构和第一接触孔的方法包括：
21、在所述第一介质层的表面依次形成氮化层和teos层；
22、依次刻蚀所述teos层和所述氮化层，以形成第二通孔，所述第二通孔露出所述栅极结构和/或所述第一接触孔的表面；
23、向所述第二通孔内填充金属，以形成第二接触孔。
24、可选的，在所述的接触孔的形成方法中，向所述第二通孔内钨填充金属，以形成第二接触孔。
25、可选的，在所述的接触孔的形成方法中，所述侧墙和绝缘层的材料均为氮化硅。
26、在本专利技术提供的接触孔的形成方法中，包括：提供衬底，在衬底的表面形成栅极结构以及位于栅极结构两侧的侧墙，侧墙的顶端部分的厚度小于侧墙的底端部分的厚度；在侧墙外侧的衬底内分别形成源端和漏端；在衬底的表面分别形成第一介质层和若干第一接触孔，若干第一接触孔位于第一介质层内，若干第一接触孔分别与源端和漏端分别连通；去除部分厚度的第一介质层，以露出侧墙的顶端部分、栅极结构的表面、第一接触孔的表面以及部分第一接触孔的侧面；在第一介质层的表面形成绝缘层，绝缘层同时覆盖侧墙的顶端部分、栅极结构的表面、第一接触孔的表面以及部分第一接触孔的侧面；去除第一介质层的表面的绝缘层、栅极结构的表面的绝缘层以及第一接触孔表面的绝缘层，保留侧墙顶端部分的绝缘层以及第一接触孔侧面的绝缘层；增加第一介质层的厚度，以使得第一介质层覆盖栅极结构和侧墙，第一介质层的表面与第一接触孔的表面齐平。由于增加了侧墙顶端部分的厚度以及在第一接触孔的侧面增加了绝缘层，所以在栅极结构和第一接触孔之间的绝缘度，减少了栅极结构和第一接触孔短路的几率。
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1.一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括：位于所述衬底表面的栅氧化层，位于所述栅氧化层上方的金属栅极，所述金属栅极依次通过功函层和高k介质层与所述栅氧化层和侧墙隔开。
3.如权利要求1所述的接触孔的形成方法，其特征在于，湿法刻蚀去除部分厚度的所述第一介质层。
4.如权利要求1所述的接触孔的形成方法，其特征在于，在所述衬底的表面分别形成第一介质层和若干第一接触孔，若干所述第一接触孔位于所述第一介质层内，若干所述第一接触孔分别与所述源端和漏端分别连通的方法包括：
5.如权利要求4所述的接触孔的形成方法，其特征在于，向所述第一通孔内填充钨金属，以形成第一接触孔。
6.如权利要求4所述的接触孔的形成方法，其特征在于，增加所述第一介质层的厚度的方法包括：
7.如权利要求6所述的接触孔的形成方法，其特征在于，增加所述第一介质层的厚度，以使得所述第一介质层覆盖所述栅极结构和侧墙，所述第一介质层的表面与所述第一接触孔的表面齐平之后，还包括：
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