蚀刻基材的方法及系统技术方案

本发明专利技术是有关于一种蚀刻基材的方法及系统，首先，提供多个制程室， 其中所述制程室的至少一者是适用于容置至少一电浆过滤平板，且所述制 程室的至少一者中具有一电浆过滤平板库。接着，自此电浆过滤平板库选 出一电浆过滤平板。然后，将此电浆过滤平板嵌入所述制程室的一者，所 述制程室的此者是适用于容置至少一电浆过滤平板。随后，于此基材中进 行一蚀刻制程。本发明专利技术所提供的蚀刻基材的方法及系统，能够改善掩模的 关键尺寸均匀度，非常适于实用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基材制程的领域，特别是涉及一种蚀刻基材的方法及系统以改善关键尺寸均匀度(critical dimension uniformity; CDU )。
技术介绍
在半导体制造技术中，掩模(亦指光掩模，photomask或reticle)是 用于微影系统，已将图案曝光于基材上。图案可包括许多小型或紧密的特 征，其中所述小型或紧密的特征是藉由关^;尺寸(critical dimension; CD)定义。关键尺寸定义例如闸极宽度、组件制程所容许的较小线宽或较 小线距。当掩模或晶圓的关键尺寸越来越小时(例如从45奈米到32奈米)， 重要的是，图案特征的尺寸上及几何上的差异(variations)也越来越小。 图案特征的上述差异会造成关键尺寸均匀度(critical dimension uniformity; CDU)的误差。在整个掩模制造的不同制程中会导入图案特征的尺寸上及几何上的差 异。举例而言，当在掩模或半导体晶圆中形成图案时，在蚀刻制程中的蚀 刻负栽效应会造成关键尺寸的差异，而此关键尺寸的差异与总体蚀刻图案 密度有关。由库马(Kumar)等人提出美国专利公开号第2006-0000802 Al号、其 标题为光掩才莫电浆蚀刻的方法及装置(Method and Apparatus for Photomask Plasma Etching),揭露一种针对蚀刻制程时减少CDU误差的 解决方式，此处列为参考文献。此解决方式是提供一种方法及装置以降低 电浆蚀刻制程引起的负载效应，其在制程室中的基材上方，藉由多个支脚 以提供离子-自由基屏壁(ion-radica'l shield)。然而，此解决方式出现 几个缺点(1)离子-自由基屏壁不会自动或轻易改变；(2)针对离子-自由 基屏壁的支撑结构(多个支脚)在蚀刻制程中会导致微粒的产生，尤其是 由震动所引起的微粒；以及(3)离子-自由基屏壁无法补偿所有掩模的CDU 误差，特别是蚀刻以外的制程出现的总体负载效应(例如烘烤、显影、及 曝光制程)。有鉴于上述现有的蚀刻基材的方法及系统存在的缺陷，本专利技术人基于 从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运 用，积极加以研究创新，以期创设一种新型的蚀刻基材的方法及系统，能 够改进一般现有的蚀刻基材的方法及系统，使其更具有实用性。经过不断 的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于，克服现有的蚀刻基材的方法及系统存在的缺 陷，而提供一种新型的蚀刻基材的方法及系统，所要解决的技术问题是使 其改善掩模的关键尺寸均匀度，非常适于实用。因此，亟需一种系统及方 法以。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种蚀刻基材的系统，其至少包括多个制程室； 一电 浆过滤平板库，该电浆过滤平板库是位于该些制程室的至少一者中；至少 一输送制程室，该至少一输送制程室包括一结构，且该结构是用于在该些 制程室之间输送一蚀刻对象物；以及多个承载室，该些承载室是用于固定 且装载该蚀刻对象物进入该至少一输送制程室。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的的蚀刻基材的系统，其中该蚀刻对象物是一电浆过滤平板，而 该些制程室的至少一者是适用于容置且支撑该电浆过滤平板。前述的蚀刻基材的系统，其中用于容置且支撑该电浆过滤平板的该些 制程室的该至少一者至少包括一凹口，该凹口是位于该制程室的一侧壁中。前述的蚀刻基材的系统，其中于该制程室的该侧壁的该凹口是配置成使该制程室中能容置且支撑该电浆过滤平板。前述的蚀刻基材的系统，其中该电浆过滤平板库至少包括多个电浆过滤平氺反。前述的蚀刻基材的系统，其中该些电浆过滤平板的一或多者至少包括 多个孔洞，该些孔洞为图案化以补偿烘烤制程、曝光制程、显影制程及蚀 刻制程的至少二者出现的多个总体负载效应。前述的蚀刻基材的系统，其中该些电浆过滤平板的至少 一 者至少包括 一透明材料。前述的蚀刻基材的系统，其中该透明材料至少包括石英、玻璃或上述 的组合。前述的蚀刻基材的系统，其特征在于其中该蚀刻对象物是一掩模。 本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本 专利技术提出的 一 种于系统中蚀刻基材的方法，该系统至少包括多个制程室， 其中该些制程室的至少一者是适用于容置至少一电浆过滤平板，且该些制 程室的至少一者中具有一电浆过滤平板库，该方法更至少包括自该电浆 过滤平板库选出 一电浆过滤平板；从该电浆过滤平板库移出选定的该电浆 过滤平板；将选定的该电浆过滤平板插入该些制程室的一者，该些制程室的该者是适用于容置至少一电浆过滤平板；以及于该基材中进行一电浆蚀 刻制程。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。 前述的于系统中蚀刻基材的方法，其中该系统更至少包括至少一输送制程室及多个承载室，该于系统中蚀刻基材的方法更至少包括在该些制程室之间输送一蚀刻对象物；以及固定且装载该蚀刻对象物进入该至少一输送制程室以及该些承载室中。前述的于系统中蚀刻基材的方法，其中该电浆过滤平板库至少包括多个电浆过滤平板。前述的于系统中蚀刻基材的方法，其中该些电浆过滤平板的 一或多者 至少包括多个孔洞，而该些孔洞为图案化以补偿该基材中出现的多个总体 负载效应。前述的于系统中蚀刻基材的方法，其中该基材中出现的该些总体负载 效应是由烘烤制程、曝光制程、显影制程及蚀刻制程的至少二者产生。前述的于系统中蚀刻基材的方法，其中自该电浆过滤平板库选出该电 浆过滤平板的步骤至少包括确认该基材中的该些总体负载效应。前述的于系统中蚀刻基材的方法，其中自该电浆过滤平板库选出该电 浆过滤平板的步骤更至少包括一选取步骤，而该选取步骤是根据该些总体 负载效应的确认而选取能补偿该基材中出现的该些总体负载效应的一电浆 过滤平板。本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上可知，为达 到上述目的，本专利技术提供了一种蚀刻基材的方法及系统。虽然上述蚀刻系 统是用来蚀刻基材，然而本蚀刻系统不仅能用于掩模基材，亦可用于半导 体基材。此方法及系统有效补偿例如烘烤、曝光、显影及/或蚀刻制程中出 现的总体负载效应。最后，结果改善了基材(例如掩模)的关键尺寸均匀 度(CDU)轮廓。在一实施例中，提供一种用于蚀刻基材的系统，此系统至少包括多个 制程室； 一电浆过滤平板库，此电浆过滤平板库是位于所述制程室的至少 一者中；至少一输送制程室，此至少一输送制程室包括一结构，且此结构 是用于在所述制程室之间输送一蚀刻对象物；以及多个承载室，所述承载室是用于固定且装载此蚀刻对象物进入此至少一输送制程室。在一些实施例中，上述的制程室的至少一者是适用于容置至少一电浆过滤平板。此适用于容置至少一电浆过滤平板的至少一制程室可至少包括一凹口 (indentation),此凹口设于制程室的侧壁中，是配置成在制程室内以容置且支撑电浆过滤平板。在一些实施例中，电浆过滤平板库至少包括多个电浆过滤平板，其中一或多个电浆过滤平板至少包括多个孔洞。所述孔洞经图案化以补偿在烘 烤制程、曝光制程、显影制程及蚀刻制程的至少二者产生的总体负载效应。 在一些实施例中，至少一电浆过滤平板至少包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻基材的系统，其特征在于其至少包括：　多个制程室；　一电浆过滤平板库，该电浆过滤平板库是位于该些制程室的至少一者中；　至少一输送制程室，该至少一输送制程室包括一结构，且该结构是用于在该些制程室之间输送一蚀刻对象物；以 及　多个承载室，该些承载室是用于固定且装载该蚀刻对象物进入该至少一输送制程室。

【技术特征摘要】
2008.2.14 US 12/031,5011. 一种蚀刻基材的系统，其特征在于其至少包括多个制程室；一电浆过滤平板库，该电浆过滤平板库是位于该些制程室的至少一者中；至少一输送制程室，该至少一输送制程室包括一结构，且该结构是用于在该些制程室之间输送一蚀刻对象物；以及多个承载室，该些承载室是用于固定且装载该蚀刻对象物进入该至少一输送制程室。2. 根据权利要求1所述的蚀刻基材的系统，其特征在于其中该蚀刻 对象物是一电浆过滤平板，而该些制程室的至少一者是适用于容置且支撑 该电浆过滤平^1。3. 根据权利要求2所述的蚀刻基材的系统，其特征在于其中用于容 置且支撑该电浆过滤平板的该些制程室的该至少一者至少包括一凹口 ，该 凹口是位于该制程室的一侧壁中。4. 根据权利要求3所述的蚀刻基材的系统，其特征在于其中于该制 程室的该侧壁的该凹口是配置成使该制程室中能容置且支撑该电浆过滤平 板。5. 根据权利要求1所述的蚀刻基材的系统，其特征在于其中该电浆 过滤平板库至少包括多个电浆过滤平板。6. 根据权利要求5所述的蚀刻基材的系统，其特征在于其中该些电 浆过滤平板的一或多者至少包括多个孔洞，该些孔洞为图案化以补偿烘烤 制程、曝光制程、显影制程及蚀刻制程的至少二者出现的多个总体负载效 应。7. 根据权利要求5所述的蚀刻基材的系统，其特征在于其中该些电 浆过滤平板的至少 一者至少包括一透明材料。8. 根据权利要求7所述的蚀刻基材的系统，其特征在于其中该透明 材料至少包括石英、玻璃或上述的组合。9. 根据权利要求1所述的蚀刻基材的系统，其特征在于其中该蚀刻 对象物是一掩模。10. —种于系统中蚀刻基材的方法，该系统至...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄义雄，吕启纶，李宏仁，秦圣基，辜耀进，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71