【技术实现步骤摘要】
本技术涉及谐振器，尤其涉及一种叉指换能结构及其谐振器。
技术介绍
1、高性能声表面波谐振器是一种相对新型的谐振器，由于其压电材料为复合多层材料键合而成，声波的传播及工作模式不同于常规声表面波谐振器，如果仍然采用常规声表面波谐振器的设计方法设计出的和射频滤波器会出现很强的横向模式波纹，通带杂波严重，将会导致整体器件性能的恶化。
技术实现思路
1、本技术提供了一种叉指换能结构及其谐振器，以解决现有技术中通带杂波严重，进而影响谐振器性能的问题。
2、根据本技术的一方面，提供了叉指换能结构，其中包括连接的叉指电极和汇流结构；
3、汇流结构包括封闭汇流框和多个汇流单元；
4、封闭汇流框包括镂空部，多个汇流单元设置在镂空部中且相互独立；
5、汇流单元包括第一抑制结构和第二抑制结构，第一抑制结构和第二抑制结构的延伸方向相交，且第一抑制结构和第二抑制结构接触。
6、可选的，第一抑制结构的延伸方向和第二抑制结构的延伸方向正交。
7、可选的，第二抑制结构包括第一子抑制结构，第一抑制结构与第一子抑制结构的接触位置位于第一抑制结构的中心以及第一子抑制结构的中心。
8、可选的，第二抑制结构还包括至少一个第二子抑制结构，第二子抑制结构的延伸方向与第一子抑制结构的延伸方向平行；
9、第一抑制结构与第二子抑制结构的接触位置位于第一抑制结构的端部以及第二子抑制结构的中心。
10、可选的，叉指换能结构还包括负载
11、负载结构包括第一负载结构，第一负载结构与第一抑制结构的端部和/或第二抑制结构端部接触；
12、第一负载结构的质量密度大于汇流单元的质量密度。
13、可选的，叉指换能结构还包括负载结构；
14、负载结构包括第二负载结构，第二负载结构与第一抑制结构的端部和/或第二抑制结构端部接触；
15、在与第一抑制结构的延伸方向相交的方向上，与第一抑制结构的端部接触的第二负载结构的长度与第一抑制结构的长度不同；
16、在与第二抑制结构的延伸方向相交的方向上，与第二抑制结构的端部接触的第二负载结构的长度与第二抑制结构的长度不同。
17、可选的，负载结构与汇流单元同层设置或者相邻层设置。
18、可选的，叉指电极包括第一叉指电极和第二叉指电极；
19、汇流结构包括第一汇流结构和第二汇流结构；
20、第一叉指电极和第二叉指电极均且沿第一方向排列，第二方向延伸；且沿第一方向，第一叉指电极和第二叉指电极交替设置；
21、第一叉指电极与第一汇流结构连接，第二叉指电极与第二汇流结构连接；
22、第一方向与第二方向垂直。
23、可选的，第一汇流结构与第二汇流结构相同，且对称设置在叉指电极两侧。
24、根据本技术的另一方面，提供了一种谐振器，其中包括：叉指换能结构；
25、还包括：反射栅；反射栅对称设置在叉指换能结构两侧。
26、本技术的技术方案，通过在汇流结构中设置封闭汇流框和汇流单元，并将汇流单元设置在封闭汇流框中，在汇流单元中设置相互接触的第一抑制结构和第二抑制结构，在汇流结构形成能量势垒区，进而改变了叉指换能结构中的波导结构，在不增加工艺难度的情况下，既优化了带内杂散，同时保持了谐振器的其它性能不受影响，可以显著提高器件的整体性能。
27、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本技术的范围。本技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
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1.一种叉指换能结构，其特征在于，包括连接的叉指电极和汇流结构；
2.根据权利要求1所述的叉指换能结构，其特征在于，所述第一抑制结构的延伸方向和所述第二抑制结构的延伸方向正交。
3.根据权利要求1所述的叉指换能结构，其特征在于，所述第二抑制结构包括第一子抑制结构，所述第一抑制结构与所述第一子抑制结构的接触位置位于所述第一抑制结构的中心以及所述第一子抑制结构的中心。
4.根据权利要求3所述的叉指换能结构，其特征在于，所述第二抑制结构还包括至少一个第二子抑制结构，所述第二子抑制结构的延伸方向与所述第一子抑制结构的延伸方向平行；
5.根据权利要求1所述的叉指换能结构，其特征在于，所述叉指换能结构还包括负载结构；
6.根据权利要求1所述的叉指换能结构，其特征在于，所述叉指换能结构还包括负载结构；
7.根据权利要求5或6所述的叉指换能结构，其特征在于，所述负载结构与所述汇流单元同层设置或者相邻层设置。
8.根据权利要求1所述的叉指换能结构，其特征在于，所述叉指电极包括第一叉指电极和第二叉指电极；
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