【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其是涉及一种晶圆热处理过程温度控制方法及晶圆热处理装置。
技术介绍
1、随着dram(dynamic random access memory，动态随机存储器)芯片的有效尺寸不断减小，对工艺的要求也越来越严苛，在晶圆热处理过程中，如果硅片加热不均匀，可能会导致一系列问题，具体的如以下所述：
2、1、晶格变形：硅片加热不均匀会导致不同区域的晶格受到不同的应力，这可能会导致晶格发生变形或失序。晶格变形会影响硅片的晶体结构，可能会使其电学特性发生变化，最终可能会导致硅片失效。
3、2、结构变化：硅片在不同的温度下膨胀和收缩，如果硅片加热不均匀，就会导致硅片表面的厚度和形状不均匀，不符合设计要求。此外，热应力可能会导致硅片表面出现裂纹或毛刺等缺陷。
4、3、产品质量下降：如果硅片加热不均匀，就会导致制造出的硅片具有不规则的形状、大小和厚度，这将降低硅片的产品质量。在生产过程中，加热不均匀的硅片需要被弃用，这将导致成本的增加。
5、4、故障率增加：热不均匀会导致硅片在某些区域受到高温热量，加速了硅片中元件的老化和失效，甚至出现硅片整体性能下降到某种程度无法继续使用的情况。
技术实现思路
1、本专利技术的第一目的在于提供一种晶圆热处理过程温度控制方法，该装置能够解决晶圆热处理过程加热不均匀导致的问题；
2、本专利技术的第二目的在于提供一种晶圆热处理装置，其采用如以上所述的晶圆热处理过程温度控制方法。
...【技术保护点】
1.一种晶圆热处理过程温度控制方法，其特征在于，所述晶圆热处理过程温度控制方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆热处理过程温度控制方法，其特征在于，将晶圆划分成多个区域为将晶圆划分成多个面积相等的区域。
3.根据权利要求2所述的晶圆热处理过程温度控制方法，其特征在于，每个区域均对应的设置一个温度测量装置，并对对应区域的温度进行实时检测。
4.根据权利要求1所述的晶圆热处理过程温度控制方法，其特征在于，根据温度检测值调整对应各区域热源的加热量包括确定目标温度，将检测温度与目标温度进行比较，根据比较的差值对热源的加热量进行调整。
5.根据权利要求1所述的晶圆热处理过程温度控制方法，其特征在于，对热源加热量的调整包括调整热源与晶圆之间的间距。
6.根据权利要求1所述的晶圆热处理过程温度控制方法，其特征在于，对热源加热量的调整包括调整热源的发热量。
7.一种晶圆热处理装置，其特征在于，包括热源和温度检测装置；
8.根据权利要求7所述的晶圆热处理装置，其特征在于，所述温度检测装置为红外测温或者激光测温装置
9.根据权利要求7所述的晶圆热处理装置，其特征在于，所述热源为电阻加热或红外热源。
10.根据权利要求9所述的晶圆热处理装置，其特征在于，还包括控制装置，所述控制装置根据各区域温度检测装置的检测值控制对应的热源的加热量。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆热处理过程温度控制方法，其特征在于，所述晶圆热处理过程温度控制方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆热处理过程温度控制方法，其特征在于，将晶圆划分成多个区域为将晶圆划分成多个面积相等的区域。
3.根据权利要求2所述的晶圆热处理过程温度控制方法，其特征在于，每个区域均对应的设置一个温度测量装置，并对对应区域的温度进行实时检测。
4.根据权利要求1所述的晶圆热处理过程温度控制方法，其特征在于，根据温度检测值调整对应各区域热源的加热量包括确定目标温度，将检测温度与目标温度进行比较，根据比较的差值对热源的加热量进行调整。
5.根据权利要求1所述的晶圆热处理过程温...
【专利技术属性】
技术研发人员：耿玓，王桂磊，赵超，李伟伟，卢年端，李泠，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。