【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光器件，具体涉及一种发光器件及其制备方法。
技术介绍
1、近年来，发光二极管由于具备高效、节能、环保等性能而应用广泛，并逐渐成为发光器件研究的重点。
2、全光谱发光器件指的是发光器件发出的光谱中包含紫外光、可见光、红外光的光谱曲线，并且在可见光部分中红绿蓝的比例与阳光近似，适量强度的太阳光照射可以预防和治疗皮肤病、增强身体，促进钙的吸收等；因此如何制备光谱图与太阳光尽量吻合的发光器件，成为行业研究的热点；太阳光中蓝光可能导致眼部刺激、疲劳、失眠、抑制黑素的形成；因此目前的全光谱发光器件的研究重点在于如何降低蓝光的强度，以得到低蓝光的舒适光照。
3、常规的全光谱发光器件的光谱图在500nm-660nm左右与太阳光的光谱图吻合较好，在低于500nm和高于660nm区域与太阳光差异较大，特别是380nm以下的近紫光波长段和780nm以上的红外段，常规的全光谱发光器件基本没有此部分的光谱释放，与实际太阳光的光谱存储极大差异，并非真正意义上的全光谱发光器件；另外，目前常规的全光谱器件主要以单杯结构为主，多个发光器件布置在一个碗杯中，各芯片发光可能会产生干扰，影响发光效果。
技术实现思路
1、基于此，本专利技术的目的是提供一种发光器件及其制备方法，以解决现有技术中的问题。
2、本专利技术一方面提供一种发光器件，包括：
3、基体，所述基体内设有集成驱动ic，所述基体上设有芯片基座，所述芯片基座至少包括三个独立碗杯，所述集成驱动ic用
4、其中一所述独立碗杯内布置有若干波长为375nm-480nm的芯片，波长为375nm-480nm的芯片上依次涂覆有若干层激发波长不同的第一荧光粉层，以得到光谱与太阳光中紫光的光谱吻合的第一发光芯片，所述第一荧光粉层中至少包含有磷铝酸盐；
5、其中另一所述独立碗杯中布置有若干波长为435nm-480nm的芯片，波长为435nm-480nm的芯片上依次涂覆有若干层激发波长不同的第二荧光粉层，以得到光谱与太阳光中红光的光谱吻合的第二发光芯片，所述第二荧光粉层中至少包含有镓酸盐；
6、其余的所述独立碗杯中布置有色温调节芯片，以使得所述发光器件整体的光谱与太阳光整体的光谱吻合。
7、本专利技术的有益效果是：本专利技术提供的发光器件，通过在芯片基座上设置若干个独立的碗杯，在不同的碗杯中分别布置不同的芯片，并通过集成驱动ic单独控制，防止不同芯片之间的干扰；具体的，在其中一独立碗杯内布置有若干波长为375nm-480nm的芯片，波长为375nm-480nm的芯片上依次涂覆有若干层激发波长不同的第一荧光粉层，以得到光谱与太阳光中紫光的光谱吻合的第一发光芯片；其中另一独立碗杯中布置有若干波长为435nm-480nm的芯片，波长为435nm-480nm的芯片上依次涂覆有若干层激发波长不同的第二荧光粉层，以得到光谱与太阳光中红光的光谱吻合的第二发光芯片，其余的独立碗杯中布置有色温调节芯片，以使得发光器件整体的光谱与太阳光整体的光谱吻合；通过布置第一发光芯片和第二发光芯片，使得发光器件在紫光波长段和红光波长段的光谱与太阳光在对应该波段的吻合，然后通过色温调节芯片实现发光器件整体色温的调节，并使得其他波长段内的光谱与太阳光在对应波段的吻合，进而得到与全光谱发光器件。
8、优选地，所述第一荧光粉层的激发波长为380nm-470nm，所述第二荧光粉层的激发波长为660nm-730nm。
9、优选地，在位于顶层的所述第二荧光粉层上涂覆有第三荧光粉层，其中，所述第三荧光粉的激发波长大于所述第二荧光粉的激发波长。
10、优选地，所述第三荧光粉层的激发波长为730nm-1100nm，所述第三荧光粉层中至少包含掺杂铝酸盐。
11、优选地，所述镓酸盐和所述掺杂铝酸盐的掺杂元素包括y，所述的镓酸盐分子表达式为y3（ga，al）5o12：cr，所述掺杂铝酸盐的分子表达式为y3al5o12：cr。
12、优选地，所述芯片基座包括四个独立碗杯，所述芯片基座底部中间设有第一导电片，所述第一导电片的四周间隔设有四个第二导电片，四个所述第二导电片分别位于四个所述独立碗杯内，所述第一导电片的部分区域分别位于四个所述独立碗杯内，位于所述独立碗杯内的第一导电片和第二导电片相互隔开，所述第一导电片和所述第二导电片的极性相反，分别与所述独立碗杯内的芯片两极连接。
13、优选地，所述第一导电片为“h”型导电片，“h”型导电片的四个角落分别位于四个所述独立碗杯内。
14、优选地，所述集成驱动ic与“h”型导电片的中间区域连接，并位于其中一所述独立碗杯内。
15、优选地，四个所述第二导电片之间以及所述第一导电片和所述第二导电片之间均通过隔离带隔开，四个所述独立碗杯之间通过隔离墙隔开，以得到独立的导电区域。
16、本专利技术另一方面提供一种如上述发光器件的制备方法，包括以下步骤：
17、步骤一，提供一基体，所述基体内设有集成驱动ic，所述基体上设有芯片基座，所述芯片基座至少包括三个独立碗杯，所述集成驱动ic用于驱动所述独立碗杯中的芯片发光；
18、步骤二，在其中一所述独立碗杯内布置有若干波长为375nm-480nm的芯片，波长为375nm-480nm的芯片上依次涂覆有若干层激发波长不同的第一荧光粉层，以得到光谱与太阳光中紫光的光谱吻合的第一发光芯片，所述第一荧光粉层中至少包含有磷铝酸盐；
19、步骤三，在其中另一所述独立碗杯中布置有若干波长为435nm-480nm的芯片，波长为435nm-480nm的芯片上依次涂覆有若干层激发波长不同的第二荧光粉层，以得到光谱与太阳光中红光的光谱吻合的第二发光芯片，所述第二荧光粉层中至少包含有镓酸盐；
20、步骤四，在其余的所述独立碗杯中布置有色温调节芯片，以使得所述发光器件整体的光谱与太阳光整体的光谱吻合。
21、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
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1.一种发光器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一荧光粉层的激发波长为380nm-470nm，所述第二荧光粉层的激发波长为660nm-730nm。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，在位于顶层的所述第二荧光粉层上涂覆有第三荧光粉层，其中，所述第三荧光粉的激发波长大于所述第二荧光粉的激发波长。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第三荧光粉层的激发波长为730nm-1100nm，所述第三荧光粉层中至少包含掺杂铝酸盐。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述镓酸盐和所述掺杂铝酸盐的掺杂元素包括Y，所述的镓酸盐分子表达式为Y3（Ga，Al）5O12：Cr，所述掺杂铝酸盐的分子表达式为Y3Al5O12：Cr。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述芯片基座包括四个独立碗杯，所述芯片基座底部中间设有第一导电片，所述第一导电片的四周间隔设有四个第二导电片，四个所述第二导电片分别位于四个所述独立碗杯内，所述第一导电片的部分区域分别位于四个所述独
7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述第一导电片为“H”型导电片，“H”型导电片的四个角落分别位于四个所述独立碗杯内。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述集成驱动IC与“H”型导电片的中间区域连接，并位于其中一所述独立碗杯内。
9.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，四个所述第二导电片之间以及所述第一导电片和所述第二导电片之间均通过隔离带隔开，四个所述独立碗杯之间通过隔离墙隔开，以得到独立的导电区域。
10.一种如权利要求1-9任意一项的发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一荧光粉层的激发波长为380nm-470nm，所述第二荧光粉层的激发波长为660nm-730nm。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，在位于顶层的所述第二荧光粉层上涂覆有第三荧光粉层，其中，所述第三荧光粉的激发波长大于所述第二荧光粉的激发波长。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第三荧光粉层的激发波长为730nm-1100nm，所述第三荧光粉层中至少包含掺杂铝酸盐。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述镓酸盐和所述掺杂铝酸盐的掺杂元素包括y，所述的镓酸盐分子表达式为y3（ga，al）5o12：cr，所述掺杂铝酸盐的分子表达式为y3al5o12：cr。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述芯片基座包括四个独立碗杯，所述芯片基座底部中间设有第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：张路华，饶德望，左明鹏，张宏仓，李义园，
申请(专利权)人：江西斯迈得半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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