【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。
技术介绍
1、半导体晶体管(例如金属氧化物半导体晶体管(mos晶体管))已被用于各种应用，例如电源、功率变换器、开关等应用。传统的mos晶体管采用平面式结构，半导体集成电路的技术随着时间不断发展，mos晶体管采用了堆叠式结构，实现晶体管的微缩。在堆叠式结构的设计中，一般在形成若干非晶态的材料层后统一进行退火，以使非晶态的材料层统一结晶形成晶态的材料层，而若干非晶态的材料层统一进行退火会较难使结晶后的不同晶态的材料层满足相应的性能要求，从而影响器件的可靠性。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供半导体器件的制备方法，使得通道层和漏极半导体层满足相应的性能要求，以提高半导体器件的可靠性。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体器件的制备方法，包括：
3、提供衬底，所述衬底上形成有由下至上依次堆叠的源极结构和栅极结构，所述源极结构沿第一方向延伸，所述栅极结构在第一方向上彼此间隔排布，所述源极结构和所述栅极结构之间形成有第一隔离材料层；
4、形成第二隔离材料层填充于相邻所述栅极结构之间且位于所述栅极结构上；
5、形成栅极介质层贯穿部分所述第二隔离材料层和所述栅极结构；
6、形成通道层贯穿部分所述第二隔离材料层、所述栅极结构和所述第一隔离材料层并与所述源极结构接触，部分所述栅极介质层位于所述栅极结构和所述通道层之间；
7、对所述通道层的表面执行第一
8、形成漏极半导体层位于所述通道层内及所述第二隔离材料层上；以及，
9、对所述漏极半导体层的表面执行第二退火工艺。
10、可选的，所述第一退火工艺为闪光退火工艺，所述第二退火工艺为镭射退火工艺。
11、可选的，所述第一退火工艺的退火时间为0.21ms～4ms，所述第一退火工艺的退火温度为600℃～1400℃。
12、可选的，所述第二退火工艺采用的镭射光的光源为连续光源或脉冲光源。
13、可选的，所述通道层和所述漏极半导体层具有晶格结构。
14、可选的，所述通道层和所述漏极半导体层具有不同晶粒尺寸。
15、可选的，所述通道层和所述漏极半导体层的材质相同，且所述通道层和所述漏极半导体层的掺杂浓度不同。
16、可选的，在执行所述第二退火工艺后，还包括：
17、刻蚀去除所述第二隔离材料层上的所述漏极半导体层，以保留所述通道层内的所述漏极半导体层；
18、对刻蚀后的所述漏极半导体层的表面执行第三退火工艺。
19、可选的，所述第三退火工艺包括闪光退火工艺、镭射退火工艺或炉管退火工艺。
20、可选的，在执行所述第三退火工艺后，还包括：
21、形成漏极金属层位于所述漏极半导体层上；
22、形成漏极侧墙位于所述漏极金属层的侧壁。
23、在本专利技术提供的半导体器件的制备方法中，包括：提供衬底，衬底上形成有由下至上依次堆叠的源极结构和栅极结构，源极结构沿第一方向延伸，栅极结构在第一方向上彼此间隔排布，源极结构和栅极结构之间形成有第一隔离材料层；形成第二隔离材料层填充于相邻栅极结构之间且位于栅极结构上；形成栅极介质层贯穿部分第二隔离材料层和栅极结构；形成通道层贯穿部分第二隔离材料层、栅极结构和第一隔离材料层并与源极结构接触，部分栅极介质层位于栅极结构和通道层之间；对通道层的表面执行第一退火工艺；形成漏极半导体层位于通道层内及第二隔离材料层上；以及，对漏极半导体层的表面执行第二退火工艺。本专利技术在形成通道层后执行第一退火工艺以及在形成漏极半导体层后执行第二退火工艺，对通道层和漏极半导体层分别进行退火工艺，能够使得通道层和漏极半导体层满足相应的性能要求，以提高半导体器件的可靠性。
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1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一退火工艺为闪光退火工艺，所述第二退火工艺为镭射退火工艺。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一退火工艺的退火时间为0.21ms～4ms，所述第一退火工艺的退火温度为600℃～1400℃。
4.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二退火工艺采用的镭射光的光源为连续光源或脉冲光源。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述通道层和所述漏极半导体层具有晶格结构。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述通道层和所述漏极半导体层具有不同晶粒尺寸。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述通道层和所述漏极半导体层的材质相同，且所述通道层和所述漏极半导体层的掺杂浓度不同。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在执行所述第二退火工艺后，还包括：
9.如权利要求
10.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在执行所述第三退火工艺后，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一退火工艺为闪光退火工艺，所述第二退火工艺为镭射退火工艺。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一退火工艺的退火时间为0.21ms～4ms，所述第一退火工艺的退火温度为600℃～1400℃。
4.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二退火工艺采用的镭射光的光源为连续光源或脉冲光源。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述通道层和所述漏极半导体层具有晶格结构。
【专利技术属性】
技术研发人员：袁梦洁，吴家伟，上官明沁，徐文杰，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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