【技术实现步骤摘要】
各种示例实施例涉及包括电容器的半导体器件和/或制造该半导体器件的方法。
技术介绍
1、正在进行研究以减小半导体器件中包括的元件的尺寸并改进其性能。例如，在诸如dram之类的存储器件中，正在进行研究以更可靠和/或更稳定地形成减小尺寸的元件。
技术实现思路
1、各种示例实施例提供了一种包括具有改进的性能的电容器在内的半导体器件。
2、备选地或附加地，各种示例实施例提供了一种制造半导体器件的方法。
3、提供了一种根据各种示例实施例的半导体器件。该半导体器件包括：包括导电区域的结构；以及电容器，与该结构的导电区域电连接。该电容器包括与导电区域电连接的第一电极、在第一电极上的第二电极以及在第一电极和第二电极之间的介电层。第一电极和第二电极中的至少一个包括：第一材料层，包括第一材料区域和第二材料区域，该第一材料区域包括第一晶体区域和与第一晶体区域不同的第二晶体区域，该第二材料区域在第一晶体区域和第二晶体区域之间；以及在第一材料层上的第二材料层。第一材料层的至少一部分在第二材料层和介电层之间，并且第一材料区域的材料不同于第二材料区域的材料。
4、备选地或附加地，提供了一种根据一些示例实施例的半导体器件。该半导体器件包括：包括导电区域的结构；以及电容器，与该结构电连接。该电容器包括与导电区域电连接的第一电极、在第一电极上的第二电极以及在第一电极和第二电极之间的介电层。第一电极和第二电极中的至少一个包括第一材料区域和第二材料区域，该第一材料区域包括具有(111)晶
5、备选地或附加地，提供了一种根据各种示例实施例的半导体器件。该半导体器件包括：包括导电区域的结构；以及存储元件，与该结构的导电区域电连接。该存储元件包括与导电区域电连接的第一电极、在第一电极上的第二电极以及在第一电极和第二电极之间的介电层。第一电极和第二电极中的至少一个包括第一材料区域和第二材料区域，该第一材料区域包括第一柱状形状的第一晶体区域和与第一柱状形状不同的第二柱状形状的第二晶体区域，该第二材料区域在第一晶体区域和第二晶体区域之间。第一材料区域的材料不同于第二材料区域的材料。在第一材料区域中，第二晶体区域的体积等于或大于第一晶体区域的体积，并且第二晶体区域的功函数大于第一晶体区域的功函数。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二材料层包括与所述第一材料区域的材料相同的材料。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一材料区域的材料和所述第二材料层的材料是金属氮化物。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述第一材料层中，所述第二材料区域中的材料为20at％或更少。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一材料层的厚度在至的范围内。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第二电极不包括所述第一材料层。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电极和所述第二电极中的每一个包括所述第一材料层和所述第二材料层。
12.一种半导体器件，包括：
13.根据权利要求12所述的半导
14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，在包括所述第一材料区域和所述第二材料区域在内的材料层中，所述第二材料区域的材料为约20at％或更少。
15.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，
16.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，
17.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，
18.一种半导体器件，包括：
19.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，
20.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二材料层包括与所述第一材料区域的材料相同的材料。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一材料区域的材料和所述第二材料层的材料是金属氮化物。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述第一材料层中，所述第二材料区域中的材料为20at％或更少。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一材料层的厚度在至的范围内。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第二电极不包括所述第一材料层。
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