【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种图像传感器及形成方法。
技术介绍
1、cmos图像传感器由于其高度集成化、低功率损耗和局部像素可编程随机读取、速度快、成本低等优点，已广泛应用于数码相机、pc摄像机、移动通信产品等领域。
2、cmos图像传感器包括像素区以及外围电路区，两者执行的功能不同，内部结构不同。比如，所述像素区是用来将入射的光信号转换为电信号，外围电路区主要是提供像素区相关工作信号，并将产生的电信号读出。
3、像素区以及外围电路区之间设有挡光沟槽，阻挡来自像素阵列外围的杂光干扰，比如围绕所述像素阵列的外围电路的光进行反射，并且可以隔挡光信号，从而能有效避免像素阵列外围的光对像素阵列的影响。
4、然而，在形成所述像素阵列之后，形成所述挡光沟槽，导致所述挡光沟槽所产生的应力影响相邻的像素，进而影响图像传感器的性能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种图像传感器及形成方法，使得第一隔离沟槽所产生的应力于感光阵列形成之前被释放掉，避免应力对所述感光阵列造成影响。
2、基于以上考虑，本专利技术提供一种图像传感器的形成方法，包括：于衬底内依次形成第一隔离沟槽及位于所述第一隔离沟槽一侧的感光阵列。
3、优选的，图形化所述衬底以形成第一沟槽，填充所述第一沟槽形成所述第一隔离沟槽。
4、优选的，图形化所述衬底以形成若干第二沟槽，填充所述第二沟槽形成所述感光阵列。
5、优选的，采用同一或不同的掩膜层
6、优选的，采用离子注入工艺形成所述感光阵列。
7、优选的，所述衬底包括自下而上的基底及内设有所述第一隔离沟槽及所述感光阵列的第一外延层。
8、优选的，形成所述感光阵列之后，还包括：于所述第一外延层上形成内设有对应所述第一隔离沟槽的第二隔离沟槽的第二外延层。
9、优选的，所述第一隔离沟槽围绕所述感光阵列。
10、优选的，所述第一隔离沟槽的纵向尺寸不小于所述感光阵列的纵向尺寸。
11、本专利技术的另一方面提供一种图像传感器，采用上述形成方法而形成。
12、本专利技术于衬底内依次形成第一隔离沟槽及位于所述第一隔离沟槽一侧的感光阵列，于第一外延层内形成位于像素区及外围电路区之间的所述第一隔离沟槽，使得所述第一隔离沟槽所产生的应力于所述感光阵列形成之前被释放掉，避免应力对所述感光阵列造成影响。
13、进一步的，所述第一隔离沟槽可以绕所述像素区设置，对来自外围电路区的光进行反射以隔挡非成像光进入像素区，从而能有效避免像素阵列外围的光对像素阵列的影响，提高图像传感器的性能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：于衬底内依次形成第一隔离沟槽及位于所述第一隔离沟槽一侧的感光阵列。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，图形化所述衬底以形成第一沟槽，填充所述第一沟槽形成所述第一隔离沟槽。
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，图形化所述衬底以形成若干第二沟槽，填充所述第二沟槽形成所述感光阵列。
4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，采用同一或不同的掩膜层，图形化所述掩膜层及所述衬底并分次形成所述第一沟槽及所述第二沟槽。
5.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，采用离子注入工艺形成所述感光阵列。
6.如权利要求1至5任一项所述的形成方法，其特征在于，所述衬底包括自下而上的基底及内设有所述第一隔离沟槽及所述感光阵列的第一外延层。
7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，形成所述感光阵列之后，还包括：于所述第一外延层上形成内设有对应所述第一隔离沟槽的第二隔离沟槽的第二外延层。
8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一隔离沟槽围绕所
9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一隔离沟槽的纵向尺寸不小于所述感光阵列的纵向尺寸。
10.一种图像传感器，其特征在于，采用如权利要求1至9任一项形成方法而形成。
...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：于衬底内依次形成第一隔离沟槽及位于所述第一隔离沟槽一侧的感光阵列。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，图形化所述衬底以形成第一沟槽，填充所述第一沟槽形成所述第一隔离沟槽。
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，图形化所述衬底以形成若干第二沟槽，填充所述第二沟槽形成所述感光阵列。
4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，采用同一或不同的掩膜层，图形化所述掩膜层及所述衬底并分次形成所述第一沟槽及所述第二沟槽。
5.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，采用离子注入工艺形成所述感光阵列。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏丹丹，张浩然，李玮，秦丰尤，徐涛，郑展，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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