【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容涉及银镀膜。特别是涉及适合作为连接器、开关、继电器等电接点、端子构件的银镀膜。
技术介绍
1、银(ag)镀膜由于导电性高，因此被广泛用于电子部件中。在电子部件中的以连接器、开关和继电器为代表的电接点、端子构件中，由于因插拔、滑动而磨损，因此除了要求导电性之外还要求耐磨损性。为了赋予耐磨损性，主要使用提高硬度、降低摩擦等手段。
2、例如，在专利文献1中，关于连接器用镀银端子，提出了如下技术：在由铜或铜合金构成的母材的表面，利用晶粒大的银镀层进行包覆，由此防止由铜的扩散引起的接触电阻的上升，此外在最表面利用晶粒小的银镀层进行包覆，由此改善硬度。
3、另外，在专利文献2中，提出了通过在银镀膜中含有硒、在维持高硬度的状态下防止接触电阻增加的技术。专利文献3中记载了使用含有0.1～2.0质量%的锑并且提高了硬度的银镀膜的方法。此外，专利文献4中公开了在最表层形成有锑浓度为0.5质量%以上的维氏硬度hv140以上的银合金层的铜或铜合金构件。
4、此外，专利文献5中提出了一种技术，其为包含银-铋合金层的物品，通过含有1～10质量%的铋而使摩擦系数为1以下。
5、[现有技术文献]
6、[专利文献]
7、[专利文献1] 日本特开2008-169408号公报
8、[专利文献2] 日本特开2016-145413号公报
9、[专利文献3] 日本特开2005-133169号公报
10、[专利文献4] 日本特开2009-79250号公报p>
11、[专利文献5] 日本特开2021-66953号公报
技术实现思路
1、[专利技术所要解决的课题]
2、在电子部件中的以连接器、开关、继电器为代表的电接点、端子构件中，由于因插拔、滑动而磨损，因此除了导电性以外还要求耐磨损性。另外，近年来，随着电动汽车的普及，流过大电流的电子部件也增加，在大电流下电子部件发热，因此在伴随反复插拔、滑动的电接点、端子构件中，要求即使在高温环境下也维持高导电性(低接触电阻)和耐磨损性。
3、但是，在专利文献1、专利文献2的构成中，虽然能够在将接触电阻保持得低的状态下提高最表面的银或银合金镀层的初始硬度，但在高温环境下银进行再结晶，伴随晶粒直径的粗大化，存在硬度大幅降低等问题。
4、另外，专利文献3、4中，若银镀膜中锑的含有率增多，则银的纯度降低，因此接触电阻降低。此外，在高温环境下，存在锑因扩散而在镀膜表面稠化、其氧化而导致接触电阻上升等问题。此外，还存在锑对人体的毒性高等问题。
5、另外，在专利文献5的构成中，虽然能够预期初始硬度的提高、高温下的硬度维持，但由于含有大量电阻率大的铋，因此难以减小初始接触电阻，并且在高温下，进一步存在由铋的氧化引起的接触电阻的上升大等问题。
6、鉴于上述诸多问题，本公开内容的课题在于提供即使在高温环境下也具有高导电性和耐磨损性的银镀膜以及具备该银镀膜的电接点。
7、[用于解决课题的手段]
8、本公开内容的主旨如下所示。
9、[1] 一种银镀膜，所述银镀膜含有0.02重量%以上且小于1重量%的铋，并且所述银镀膜的微晶尺寸为230å以下。
10、[2] 如[1]所述的银镀膜，所述银镀膜的接触电阻为2mω以下。
11、[3] 如[1]或[2]所述的银镀膜，所述银镀膜在180℃下热处理100小时后的接触电阻为2mω以下。
12、[4] 根据[1]或[2]所述的银镀膜，所述银镀膜的维氏硬度为hv135以上。
13、[5] 如[1]或[2]所述的银镀膜，所述银镀膜在180℃下热处理100小时后的维氏硬度为hv135以上。
14、[6] 如[5]所述的银镀膜，所述银镀膜在180℃下热处理100小时后维氏硬度的降低量为hv20以内。
15、[7] 一种电接点，具备如[1]～[6]中任一项所述的银镀膜。
16、[专利技术效果]
17、根据本公开内容，能够提供即使在高温环境下也具有高导电性和耐磨损性的银镀膜以及具备该银镀膜的电接点。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种银镀膜，所述银镀膜含有0.02重量%以上且小于1重量%的铋，并且所述银镀膜的微晶尺寸为230Å以下。
2.根据权利要求1所述的银镀膜，所述银镀膜的接触电阻为2mΩ以下。
3.根据权利要求1或2所述的银镀膜，所述银镀膜在180℃下热处理100小时后的接触电阻为2mΩ以下。
4.根据权利要求1或2所述的银镀膜，所述银镀膜的维氏硬度为Hv135以上。
5.根据权利要求1或2所述的银镀膜，所述银镀膜在180℃下热处理100小时后的维氏硬度为Hv135以上。
6.根据权利要求5所述的银镀膜，所述银镀膜在180℃下热处理100小时后维氏硬度的降低量为Hv20以内。
7.一种电接点，具备权利要求1～6中任一项所述的银镀膜。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种银镀膜，所述银镀膜含有0.02重量%以上且小于1重量%的铋，并且所述银镀膜的微晶尺寸为230å以下。
2.根据权利要求1所述的银镀膜，所述银镀膜的接触电阻为2mω以下。
3.根据权利要求1或2所述的银镀膜，所述银镀膜在180℃下热处理100小时后的接触电阻为2mω以下。
4.根据权利要求1或2所述的银镀...
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