【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，特别是涉及一种多重图形蚀刻补偿方法、装置、介质、程序产品及终端。
技术介绍
1、蚀刻偏差(etch bias)是指集成电路制造中的蚀刻工艺带来的图形尺寸变化，理想情况下蚀刻后晶片尺寸需要与设计尺寸保持一致。如图1所示，在掩膜数据生成的流程中，首先基于芯片设计版图得到蚀刻后目标图案，再基于蚀刻后目标图案进行蚀刻偏差补偿，得到光刻后目标图案，也就是光学邻近校正目标图案，再运行光学邻近校正程序，得到最终掩膜图案。蚀刻偏差补偿的过程为，收集晶片上不同线宽和间距图形的光刻后以及蚀刻后关键尺寸的量测数据，并基于关键尺寸的测量数据建立蚀刻偏差规则表，最后基于蚀刻偏差规则表对设计版图运行偏差补偿程序。
2、随着芯片制造工艺节点的不断演进，多重图形化(multiple patterning)工艺技术被广泛应用。多重图形化工艺包括多个光刻和蚀刻工艺步骤，例如常用的双重图形化(double patterning)工艺包括两个光刻和两个蚀刻工艺步骤。然而在多重图形化工艺的蚀刻工艺中，某一图层的蚀刻偏差会受到其他图层图案的影响，因此按照传统方法仅仅建立蚀刻偏差规则表并进行蚀刻偏差补偿，无法对不同图层之间的相互影响进行补偿。在这种情况下，即使完成了蚀刻偏差的补偿，工艺完成后在晶片上蚀刻的图案仍然可能会显著偏离目标图案。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种多重图形蚀刻补偿方法、装置、介质、程序产品及终端，用于解决现有蚀刻偏差补偿中单一的二维蚀
2、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第一方面提供一种多重图形蚀刻补偿方法，所述方法包括：获取单图层测试图案和多图层测试图案；在多重图形化中，对每一工艺步骤，分别获取对应所述单图层测试图案的单图层测量偏差值，以及对应所述多图层测试图案的多图层测量偏差值；对于每个工艺步骤，基于单图层测试图案和当前工艺步骤的单图层测量偏差值，构建当前步骤的基本蚀刻偏差规则表，在涉及多图层的情况下，基于多图层测试图案和当前步骤的多图层测量偏差值，构建当前步骤的蚀刻偏差规则修正表，供对当前待补偿图案进行蚀刻偏差补偿。
3、于本申请的第一方面的一些实施例中，基于单图层测试图案和当前工艺步骤的单图层测量偏差值，构建当前步骤的基本蚀刻偏差规则表，在涉及多图层的情况下，基于多图层测试图案和当前步骤的多图层测量偏差值，构建当前步骤的蚀刻偏差规则修正表的过程包括：按照所述多重图形化的工艺顺序，基于所述单图层测试图案的几何特征值和每个工艺步骤的单图层测量偏差值，构建每个工艺步骤的单图层拟合函数；通过每个工艺步骤的单图层拟合函数构建每个工艺步骤的基本蚀刻偏差规则表；在当前工艺步骤中涉及多图层的情况下，基于所述多图层测试图案的几何特征值和当前工艺步骤的多图层测量偏差值，构建当前工艺步骤的多图层拟合函数；通过当前工艺步骤的多图层拟合函数构建当前工艺步骤的蚀刻偏差规则修正表。
4、于本申请的第一方面的一些实施例中，所述基本蚀刻偏差规则表是以目标图层间距和线宽为变量的二维表，用于提供不同图层间距与不同线宽之间所对应的基本蚀刻偏差补偿值；所述蚀刻偏差规则修正表是以目标图层间距和干扰图层间距为变量的二维表，用于提供在目标图层中被插入干扰图层后，不同图层间距与不同线宽之间所对应的蚀刻偏差补偿修正值。
5、于本申请的第一方面的一些实施例中，基于每一工艺步骤的基本蚀刻偏差规则表和蚀刻偏差规则修正表，对所述待补偿图案进行蚀刻偏差补偿的过程包括：按照工艺倒序自序首工艺步骤起，从当前工艺步骤对应的基本蚀刻偏差规则表中提取出待补偿图案的基本蚀刻偏差补偿值；判断当前工艺步骤中是否涉及多图层；若当前工艺步骤中涉及多图层，则从当前工艺步骤对应的蚀刻偏差规则修正表中提取出偏差补偿修正值，并基于当前工艺步骤的基本偏差补偿值和偏差补偿修正值对所述待补偿图案进行边缘移动；若当前工艺步骤中未涉及多图层，则基于当前工艺步骤的基本偏差补偿值对所述待补偿图案进行边缘移动；重复执行上述所有步骤，直至当前工艺步骤为工艺倒序中的序尾工艺步骤。
6、于本申请的第一方面的一些实施例中，在对所述待补偿图案进行边缘移动后还执行如下操作：在当前工艺步骤不是末序的工艺步骤的情况下，将经过当前边缘移动后的待补偿图案作为工艺倒序中下一工序步骤的输入图案；对于非序尾的当前工艺步骤，将当前工艺步骤执行完毕后得到的图案边缘移动结果作为下一顺序工艺步骤的输入图案。
7、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第二方面提供一种多重图形蚀刻补偿装置，包括：图层获取模块：用于获取单图层测试图案和多图层测试图案；偏差获取模块：用于在多重图形化中，对每一工艺步骤，分别获取对应所述单图层测试图案的单图层测量偏差值，以及对应所述多图层测试图案的多图层测量偏差值；建表模块：用于对于每个工艺步骤，基于单图层测试图案和当前工艺步骤的单图层测量偏差值，构建当前步骤的基本蚀刻偏差规则表，在涉及多图层的情况下，基于多图层测试图案和当前步骤的多图层测量偏差值，构建当前步骤的蚀刻偏差规则修正表，供对当前待补偿图案进行蚀刻偏差补偿。
8、于本申请的第二方面的一些实施例中，所述装置还包括：偏差补偿模块：用于按照工艺倒序自序首工艺步骤起，从当前工艺步骤对应的基本蚀刻偏差规则表中提取出待补偿图案的基本蚀刻偏差补偿值；判断当前工艺步骤中是否涉及多图层；若当前工艺步骤中涉及多图层，则从当前工艺步骤对应的蚀刻偏差规则修正表中提取出偏差补偿修正值，并基于当前工艺步骤的基本偏差补偿值和偏差补偿修正值对所述待补偿图案进行边缘移动；若当前工艺步骤中未涉及多图层，则基于当前工艺步骤的基本偏差补偿值对所述待补偿图案进行边缘移动；重复执行上述所有步骤，直至当前工艺步骤为工艺倒序中的序尾工艺步骤。
9、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第三方面提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现所述多重图形蚀刻补偿方法。
10、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第四方面提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品中包括计算机程序代码，当所述计算机程序代码在计算机上运行时，使得所述计算机实现所述多重图形蚀刻补偿方法。
11、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第五方面提供一种电子终端，包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序；所述处理器执行所述计算机程序以实现所述多重图形蚀刻补偿方法。
12、如上所述，本申请的多重图形蚀刻补偿方法、装置、介质、程序产品及终端，具有以下有益效果：本专利技术提出的蚀刻偏差补偿方法充分考虑了不同图层间的相互作用，将其解耦为一个基本蚀刻偏差规则表和一个蚀刻偏差规则修正表。为了更准确地表征其他图层对蚀刻偏差的影响，特别设计了单图层和多图层蚀刻偏差数据收集图案。此外，针对经历了多个蚀刻步骤的图层，采用分步建立蚀刻偏差规则表并累加补偿的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种多重图形蚀刻补偿方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的多重图形蚀刻补偿方法，其特征在于，基于单图层测试图案和当前工艺步骤的单图层测量偏差值，构建当前步骤的基本蚀刻偏差规则表，在涉及多图层的情况下，基于多图层测试图案和当前步骤的多图层测量偏差值，构建当前步骤的蚀刻偏差规则修正表的过程包括：
3.根据权利要求1所述的多重图形蚀刻补偿方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的多重图形蚀刻补偿方法，其特征在于，基于每一工艺步骤的基本蚀刻偏差规则表和蚀刻偏差规则修正表，对所述待补偿图案进行蚀刻偏差补偿的过程包括：
5.根据权利要求4所述的多重图形蚀刻补偿方法，其特征在于，在对所述待补偿图案进行边缘移动后还执行如下操作：在当前工艺步骤不是末序的工艺步骤的情况下，将经过当前边缘移动后的待补偿图案作为工艺倒序中下一工序步骤的输入图案；对于非序尾的当前工艺步骤，将当前工艺步骤执行完毕后得到的图案边缘移动结果作为下一顺序工艺步骤的输入图案。
6.一种多重图形蚀刻补偿装置，其特征在于，包括：
7.根据
8.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至5中任一项所述多重图形蚀刻补偿方法。
9.一种计算机程序产品，其特征在于，所述计算机程序产品中包括计算机程序代码，当所述计算机程序代码在计算机上运行时，使得所述计算机实现如权利要求1至5中任一项所述的多重图形蚀刻补偿方法。
10.一种电子终端，包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序以实现权利要求1至5中任一项所述多重图形蚀刻补偿方法。
...【技术特征摘要】
1.一种多重图形蚀刻补偿方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的多重图形蚀刻补偿方法，其特征在于，基于单图层测试图案和当前工艺步骤的单图层测量偏差值，构建当前步骤的基本蚀刻偏差规则表，在涉及多图层的情况下，基于多图层测试图案和当前步骤的多图层测量偏差值，构建当前步骤的蚀刻偏差规则修正表的过程包括：
3.根据权利要求1所述的多重图形蚀刻补偿方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的多重图形蚀刻补偿方法，其特征在于，基于每一工艺步骤的基本蚀刻偏差规则表和蚀刻偏差规则修正表，对所述待补偿图案进行蚀刻偏差补偿的过程包括：
5.根据权利要求4所述的多重图形蚀刻补偿方法，其特征在于，在对所述待补偿图案进行边缘移动后还执行如下操作：在当前工艺步骤不是末序的工艺步骤的情况下，将经过当前边缘移动后的待补偿图案作为工艺倒序中下一工序步骤的...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：华芯程杭州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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