非易失性存储器件的编程方法技术

一种非易失性存储器件的编程方法，包括：根据要被编程的数据来浮置被选择存储单元的沟道；以及驱动被选择存储单元和未选择存储单元的字线，以在被选择存储单元和未选择存储单元之间产生栅致漏极泄漏

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体存储器件，更具体而言，涉及。
技术介绍
快闪存储器(flash memory)器件是通过一个编程操作来擦除或编程多个存储区 域的一类EEPROM。典型的EEPROM仅允许一次擦除或编程一个存储区域，这意味着，与使 用快闪存储器器件的系统同时读写的其它存储区域相比，快闪存储器器件可以以更高的速 度更有效地操作。在执行特定数量的擦除操作后，由于用来存储数据的电荷存储(charge storage)装置的老化以及被布置成围绕电荷存储装置的绝缘层的损坏，所有类型的快闪存 储器器件和EEPROM都会损坏。 快闪存储器器件可以以不需要电源就能保持硅片中存储的信息的方式在硅片上 存储信息。此外，快闪存储器器件可以抵抗物理撞击并可以提供相对快速的读取访问时间。 因此，快闪存储器器件可以被用作电池供电的设备中的存储器。
技术实现思路
本专利技术的示例性实施例提供了一种。在一些示例性 实施例中，该编程方法可以包括根据要被编程的数据来浮置被选择存储单元的沟道；以 及驱动被选择存储单元和未选择存储单元的字线，以在被选择存储单元和未选择存储单元 之间产生栅致漏极泄漏。 在一些示例性实施例中，该编程方法可以包括根据要被编程的数据以位线电压 来驱动位线，分别以相应的选择线电压来驱动串选择线，以第一字线电压驱动被选择的字 线，以第二字线电压驱动位于被选择字线和共用源极线之间的字线，并以第三字线电压来 驱动位于被选择字线和所述位线之间的字线。所述第一字线电压等于或高于所述第三字线 电压。 在一些示例性实施例中，所述字线是从串选择线中顺序选择的。在所述第二字线 电压是负电压的情形下，通过相应的开关晶体管以相应的字线电压来驱动字线，所述开关 晶体管分别在相应的阱中形成。所述阱中的每一个可以是在衬底中形成的N阱内形成的P 阱。所述阱中的每一个可以由形成存储单元的袋形P阱(Pocket piell， ppwell)独立地 形成。附图说明 附图和相应的详细描述将使本专利技术变得更加清楚。附图中图示的实施例是出于示 例的目的而非限制的目的而提供的，附图中相同的参考标号指代相同或类似的元素。附图不需要按比例示出，相反重点被放在举例说明本专利技术的各个方面。图1是根据本专利技术的示例性实施例的非易失性存储器件的框图。 图2是根据本专利技术的示例性实施例的图1中示出的存储单元阵列的电路图。 图3是示出根据本专利技术的示例性实施例的非易失性存储器件的编程操作的流程图。 图4示出了根据本专利技术的示例性实施例的非易失性存储器件的编程操作期间的 偏置条件。 图5示出了在根据本专利技术的编程方法中的电子注入机制。 图6示出了在根据本专利技术的示例性实施例的非易失性存储器件的编程操作期间沟道电势(channel potential)与横向电场(lateral electric field)之间的关系。 图7到图10示出了根据本专利技术的其它示例性实施例的编程偏置条件。 图11是根据本专利技术的示例性实施例的包含高电压传输电路的行解码器电路的框图。 图12是示出图11中的高电压传输电路的阱(well)结构的横截面视图。 图13示出了通过图11中示出的高电压传输电路提供通过电压(passvoltage)时的阱偏置条件。 图14示出了通过图11中示出的高电压传输电路提供负电压时的阱偏置条件。 图15示出了根据本专利技术的其它示例性实施例的串结构(string structure)和偏 置条件。 图16示出了根据本专利技术的其它示例性实施例的非易失性存储器件的垂直 (vertical)阵列结构。 图17是包含根据本专利技术的非易失性存储器件的计算系统的框图。 图18是根据本专利技术的其它示例性实施例的存储系统的框图。 图19是根据本专利技术的其它示例性实施例的存储系统的框图。具体实施例方式下面将参考附图更完整地描述本专利技术，附图中示出了本专利技术的优选实施例。但是， 本专利技术可以以不同的形式实现，并且不应被理解为局限于这里阐述的实施例。相反，提供这 些实施例是为了使本公开详尽和完备，向本领域技术人员完整地传达本专利技术的范围。全文 中相同的参考标号指代相同的元素。 在本专利技术的优选实施例中详细指出了参考标号，并且在附图中表示了它们的例 子。在每个可能的情况中，相同的参考标号在说明书和附图中指代相同或类似的元素。 下面，以非易失性存储器件为例说明本专利技术的特征和功能。但是，本领域技术人员 很容易根据描述理解到本专利技术的其它优点和性能。本专利技术可以通过其它实施例来实现或应 用。此外，可以根据视角和应用来修改或调整详细的说明，而不会偏离本专利技术的范围、技术 思路和其它目的。在整篇说明书中，术语写入和编程将被解释为具有相同的含义。 图1是根据本专利技术的示例性实施例的非易失性存储器件的框图，且图2是根据本 专利技术的示例性实施例的图1中示出的存储单元阵列的电路图。根据本专利技术的非易失性存储 器件是快闪存储器器件。但是，对于本领域技术人员来说很明显，本专利技术可以被应用到其它存储器件(例如MRAM、 PRAM、 FRAM、 NOR快闪存储器器件等)。 参考图l，根据本专利技术的示例性实施例的非易失性存储器件1000可以包括存储单 元阵列110、行解码器电路200、列解码器电路300、读写块400、控制逻辑500和电压生成器 电路600。 存储单元阵列100是用于存储数据信息的区域，并可以包括以行(或字线)和列 (或位线)的矩阵形式排列的存储单元。每个存储单元可以存储l比特数据或N比特数据 (N是2或更大的整数)。存储单元可以组成多个存储块(或扇区(sector))。图2中示出了 一个存储块中包含的存储单元的示例性排列。如图2所示，存储单元可以被排列成组成多 个串(string)(或称为NAND串)101。串101可以分别连接到相应的位线BLO BLm-l。 对应于位线BLO的串101可以包括串晶体管SST0、SST1和SST2、电连接到共用源 极线(common source line)CSL的地选择晶体管GST、以及串联在选择晶体管SST2和GST 之间的多个存储单元MO Mn。串选择晶体管SSTO、 SST1和SST2分别电连接到相应的串 选择线SSL0、SSL1和SSL2。地选择晶体管GST电连接到地选择线GSL。存储单元MO Mn 分别电连接到相应的字线WLO WLn。可以以和对应于位线BLO的串101 —样的结构来组 织分别对应于每条其它位线BL1 BLn的串IOI，对此不再详细描述。对于本领域技术人员 来说很明显，可以不同地选择每个串中包含的串选择晶体管的数量。例如，每个串可以被组 织为包括一个或多个串选择晶体管。 在本专利技术的示例性实施例中，存储单元可以使用各种不同的具有电荷存储层的单 元结构中的一个来实现。具有电荷存储层的单元结构可以包括使用浮栅(floating gate) 的浮栅类型闪存结构、使用电荷捕获(charge-trap)层的电荷捕获闪存结构、将阵列堆叠 为多层的堆叠(stacked)闪存结构、没有源极和漏极的闪存结构或带引脚(pinned)的闪存结构。 返回图1，行解码器电路200可以响应于控制逻辑100的控制而操作，并根据行地 址(未示出)来选择并驱动存储单元阵列100的行。列解码器电路300可以响应于控制逻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器件的编程方法，包括：根据要被编程的数据来浮置被选择存储单元的沟道；以及驱动被选择存储单元和未选择存储单元的字线，以在被选择存储单元和未选择存储单元之间产生栅致漏极泄漏。

【技术特征摘要】
KR 2008-11-12 112237/08一种非易失性存储器件的编程方法，包括根据要被编程的数据来浮置被选择存储单元的沟道；以及驱动被选择存储单元和未选择存储单元的字线，以在被选择存储单元和未选择存储单元之间产生栅致漏极泄漏。2. 如权利要求1所述的编程方法，其中以低于编程电压的通过电压和高于通过电压且低于编程电压的电压中的一个来驱动被选择存储单元的字线，并且以地电压、负电压和高于地电压且低于电源电压的电压中的一个来驱动未选择存储单元的字线。3. 如权利要求1所述的编程方法，其中所述未选择存储单元的字线位于被选择存储单元的字线和共用源极线之间。4. 如权利要求3所述的编程方法，其中所述未选择存储单元具有擦除状态，并在被选择存储单元的编程操作之后被编程。5. 如权利要求1所述的编程方法，其中在所述被选择存储单元是要被禁止编程的存储单元时，该被选择存储单元的沟道被维持在地电压。6. 如权利要求1所述的编程方法，其中通过将对应于所述被选择存储单元的位线预充电至电源电压和地电压中的任一个，并将选择线电压施加到位于所述位线和被选择存储单元之间的选择晶体管，来浮置该被选择存储单元的沟道。7. 如权利要求6所述的编程方法，其中所述选择线电压以位线为基础逐渐增加。8. 如权利要求6所述的编程方法，其中通过将对应于所述被选择存储单元的位线预充电至电源电压和地电压中的任一个，并将选择线电压施加到位于所述位线和被选择存储单元之间的选择晶体管，来浮置该被选择存储单元的沟道，并且该选择晶体管和该被选择存储单元之间的距离长于存储单元之间的距离，以避免产生栅致漏极泄漏。9. 一种非易失性存储器件的编程方法，包括根据要被编程的数据以位线电压来驱动位线，分别以相应的选择线电压来驱动串选择线，以第一字线电压驱动被选择的字线，以第二字线电压驱动位于被选择字线和共用源极线之间的字线，并以第三字线电压来驱动位于被选择字线和所述位线之间的字线，其中，所述第一字线电压等于或高于所述第三字线电压。10. 如权利要求9所述的编程方法，其中所述第一字线电压是低于编程电压的通过电压和高于通过电压且低于编程电压的电压中的任一个，所述第二字线电压是地电压、负电压和高于地电压且低于电源电压的电压中的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李载德，郑舜文，崔正达，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]