【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、cmos光学传感器被广泛应用于电子领域，其可将镜头捕获的光的颜色和亮度转换为电子信号，并将其传输至处理器。背照式技术（bsi）是cmos光学传感器的主流结构。然而，在背照式技术（bsi）的工艺步骤中，晶片上仍存在过多的氧化物残余，影响了成品的良率，因而仍需进行改善。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其制备方法，能够大大减少氧化物残余，提高成品的良率。
2、为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：
3、如上所述，本专利技术提供了一种半导体结构，包括：
4、衬底，具有中心区域以及边缘区域；
5、台阶面，位于所述衬底的边缘区域；
6、支撑层，覆盖所述台阶面的表面及侧壁；
7、氧化层，覆盖所述衬底的中心区域及所述支撑层；
8、承载基板，所述中心区域的氧化层与所述承载基板的键合面键合。
9、在本专利技术一实施例中，所述支撑层为氮化硅层。
10、本专利技术还提供一种半导体结构的制备方法，包括：
11、提供一衬底，所述衬底具有中心区域以及边缘区域；
12、在所述边缘区域形成台阶面；
13、在所述衬底上依次形成支撑层及氧化层，所述支撑层覆盖所述台阶面的表面及侧壁，所述氧化层覆盖所述衬底的中心区域以及所述支撑层；
14、提供承载
15、在本专利技术一实施例中，制备方法还包括：
16、将所述中心区域的氧化层与所述承载基板的键合面进行键合后，减薄所述衬底，以露出所述侧壁上的支撑层；
17、依次去除所述侧壁上的支撑层及氧化层，以形成所述半导体结构。
18、在本专利技术一实施例中，形成所述台阶面的步骤包括去除所述边缘区域的部分厚度的衬底，以形成所述台阶面。
19、在本专利技术一实施例中，形成所述支撑层及所述氧化层的步骤包括：
20、在所述衬底上形成支撑层，所述支撑层覆盖所述衬底的中心区域及所述台阶面；
21、去除所述中心区域的支撑层，以保留所述台阶面的支撑层；
22、在所述衬底上形成氧化层，所述氧化层覆盖所述衬底的中心区域及所述台阶面的支撑层。
23、在本专利技术一实施例中，去除所述中心区域的支撑层的步骤包括采用化学机械研磨工艺对所述中心区域的支撑层进行研磨处理，以去除所述中心区域的支撑层。
24、在本专利技术一实施例中，减薄所述衬底的步骤包括采用化学机械研磨工艺对所述衬底进行研磨处理，以将所述衬底减薄至预定厚度。
25、在本专利技术一实施例中，去除所述侧壁上的支撑层的步骤包括采用湿法刻蚀工艺对所述支撑层进行刻蚀，以去除所述侧壁上的支撑层。
26、在本专利技术一实施例中，去除所述侧壁上的氧化层的步骤包括采用湿法清洗工艺对所述氧化层进行清洗，以去除所述侧壁上的氧化层。
27、本专利技术提出了一种半导体结构及其制备方法，在衬底的台阶面的侧壁上依次形成支撑层以及氧化层，从而支撑层支撑着侧壁上的所述氧化层。其意想不到的效果是，在衬底与承载基板键合后，减薄衬底可暴露出侧壁上的支撑层，去除支撑层后可使侧壁上的氧化层失去支撑，便于充分去除氧化层。不会存在侧壁上的氧化物残留来影响修边效果，可提高成品的良率。
28、当然，实施本专利技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述支撑层为氮化硅层。
3.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
4.根据权利要求3所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求3所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述台阶面的步骤包括去除所述边缘区域的部分厚度的衬底，以形成所述台阶面。
6.根据权利要求3所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述支撑层及所述氧化层的步骤包括：
7.根据权利要求6所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，去除所述中心区域的支撑层的步骤包括采用化学机械研磨工艺对所述中心区域的支撑层进行研磨处理，以去除所述中心区域的支撑层。
8.根据权利要求4所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，减薄所述衬底的步骤包括采用化学机械研磨工艺对所述衬底进行研磨处理，以将所述衬底减薄至预定厚度。
9.根据权利要求4所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，去除所述侧壁上的
10.根据权利要求4所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，去除所述侧壁上的氧化层的步骤包括采用湿法清洗工艺对所述氧化层进行清洗，以去除所述侧壁上的氧化层。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述支撑层为氮化硅层。
3.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
4.根据权利要求3所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求3所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述台阶面的步骤包括去除所述边缘区域的部分厚度的衬底，以形成所述台阶面。
6.根据权利要求3所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述支撑层及所述氧化层的步骤包括：
7.根据权利要求6所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，去除所述中...
【专利技术属性】
技术研发人员：金文祥，王涛涛，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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